華德合金電阻PMSH1206 系列是一款高性能金屬板電流感測電阻，采用緊湊結構與可靠設計，具備短電極、兩端子、純金屬材質特性，標準尺寸為 0.12×0.06 英寸。該系列專為各類電子設備的精準電流感測需求打造，擁有優異的電氣性能與強勁的環境適應能力，無論是工業控制系統、汽車電子還是消費電子產品，都能提供穩定、精準的電流測量支持。

核心規格

尺寸參數

PMSH1206 系列嚴格遵循尺寸標準，確保安裝兼容性。產品長度（L）為 3.20±0.20mm，寬度（W）為 1.60±0.20mm，電極長度（E）為 0.50±0.20mm，高度（H）為 0.70±0.15mm。緊湊的尺寸設計使其能輕松融入密集的電路布局，不占用過多空間。

材質與電氣特性

系列提供兩種高品質合金材質選擇：卡瑪復合合金（KarMa）適用于 150-200mΩ 阻值范圍；錳銅復合銅合金（MnCu, Cu）則對應 101-140mΩ 阻值。2-100mΩ 阻值規格采用 1.0W 功率設計，搭配錳銅復合合金，保障性能穩定；1mΩ 與 1.5mΩ 阻值規格同樣為 1.0W 功率，溫度系數（TCR）為 ±380ppm/℃。

全系列產品工作溫度范圍覆蓋 - 55℃至 + 170℃，功率等級分為 0.5W 與 1.0W，可滿足不同功率需求。多數規格的溫度系數（TCR）為 ±50ppm/℃，確保溫度波動時阻值漂移極小。阻值偏差選項包括 ±0.5%（D）、±1%（F）、±2%（G）、±5%（J），可靈活適配各類精度要求，同時支持根據客戶需求提供規格外的定制阻值。

結構設計

PMSH1206 系列采用多層精密結構設計：核心為高純度合金制成的電阻體，外部覆蓋保護層以提升耐用性；輔以鍍銅層、鍍鎳層與鍍錫層，確保產品具備優良的可焊性與抗腐蝕性；表面設有清晰標識，便于產品識別與追溯。

可靠性與環境性能

可靠性測試

PMSH1206 系列經過多維度嚴苛可靠性測試，保障長期穩定運行：

• 短時間過負荷測試：能承受 5 倍額定功率沖擊，阻值變化（ΔR）≤±0.5%；
• 高溫高濕偏壓測試：在 10% 額定功率、85±5% 相對濕度、85±5℃環境下，經 1000 小時（90 分鐘通電 / 30 分鐘斷電循環）測試，ΔR≤±0.5%；
• 溫度循環測試：歷經 - 55℃至 + 125℃的 1000 次冷熱循環，靜置 24±4 小時后，ΔR≤±0.5%；
• 操作壽命測試：在 125±3℃恒溫環境下施加額定電流 1000 小時，ΔR≤±0.5%；
• 低溫存儲、高溫存儲、抗焊錫熱、可焊性及焊錫粘合強度等測試均符合 JIS C 5201、MIL-STD-202、JESD22 等行業標準，確保產品在各類應用場景下的耐用性。

環境適應性

產品具備出色的環境適應能力，工作溫度范圍 - 55℃至 + 170℃，可在極端溫度條件下穩定工作。當環境溫度超過 70℃時，可依據額定功率溫度衰變曲線進行功率降額使用。在溫度 + 5℃~+35℃、相對濕度 40%~75% 的密閉環境中，產品存儲壽命可達 2 年。

焊接與包裝

焊接要求

推薦焊墊尺寸為 a=1.8±0.1mm、b=1.7±0.1mm、L=1.6±0.1mm。回流焊需遵循特定溫度曲線，包含預熱區、保溫區、回流區（最高溫度 250℃）及冷卻區，嚴格控制各階段時間參數；波峰焊最高溫度不超過 260℃，需匹配適宜的升溫速率與停留時間。支持紅外線、熱蒸氣、熱風等焊接熱源，但若超出推薦溫度范圍，可能導致產品功能損壞。

包裝規格

產品采用卷盤包裝，每卷 5000 件。卷盤規格符合行業標準，關鍵尺寸包括 B=2.00±0.5mm、C=13.50±0.5mm、D=21.00±0.5mm、M=60.00±1.0mm、W=178.0±2.0mm、另一個寬度參數 9.00±0.5mm。載帶規格經過優化設計，保障產品存儲與運輸安全，核心尺寸包括 W=8.00±0.20mm、P0=4.00±0.10mm、P1=4.00±0.10mm、P2=2.00±0.10mm、A0=2.00±0.20mm、B0=3.60±0.20mm、D0=1.50+0.50mm、F=3.50±0.05mm、E=1.75±0.10mm、T=0.81±0.15mm。密封膠剝離強度為 0.1-0.7N（10-70gf），剝離角度 165-170°，便于拆包且不損傷產品。

結語

PMSH1206 系列金屬板電流感測電阻以緊湊尺寸、高精度、高可靠性為核心優勢，是各行業電流感測應用的理想選擇。其嚴格的尺寸控制、豐富的材質與阻值選項、卓越的環境適應性及嚴苛的可靠性測試，確保產品在惡劣工況下仍能穩定運行。優化的焊接設計與標準化包裝，既方便電路集成，又保障運輸安全。無論是標準需求還是定制化阻值方案，PMSH1206 系列都能提供卓越的性能與價值，為電子系統的穩定運行提供有力支撐，助力電子技術的持續發展。