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電源學會學術年會前沿報告:GaN+HSC解決方案,開啟數據中心48V高效轉換新紀元

思瑞浦3PEAK ? 2025-12-10 18:28 ? 次閱讀
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日前,第四屆中國電力電子與能量轉換大會暨展覽會、中國電源學會第二十八屆學術年會(CPEEC & CPSSC 2025)在深圳圓滿落幕。思瑞浦研發團隊深度參與,并就數據中心48V供電系統這一關鍵技術作了相關報告,同時與現場專家進行深入討論。

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01數據中心的48V革命

在算力需求爆發的時代,數據中心正面臨嚴峻的能耗挑戰。以NVIDIA為例,其最新AI基礎設施架構白皮書顯示,其下一代GPU單機架的功率密度已較2020年的上一代機架增長超100倍,功率達到MW,提升速度接近指數級。功率的激增使得傳統12V供電架構已不堪重負。而新興的48V架構憑借其獨特優勢,正成為行業新寵。

02

如何高效地把48V變成12V


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傳統12V供電架構


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新一代48V供電架構


12V供電架構與48V供電架構對比

傳統12V供電架構

新一代48V供電架構

基于在線交流UPS,轉換級數多,能效低;

12V母線架構,線損嚴重。

擴容需要增加整個UPS模塊,工程復雜。


分布式48V UPS,減小轉換級數;

48V母線架構,線損降低;

按需增加機柜,無縫平滑擴容。

把48V電壓高效轉換到芯片所需的超低電壓(如0.8V-3.3V),是一個行業公認的難題。核心挑戰在于:降壓幅度越大,傳統方案的效率損失就越嚴重。為此,業界普遍采用“兩步走”的分級降壓方案:

第一級(48V→12V):由專門的48V總線變換器(IBC)高效完成;

第二級(12V→負載電壓):再由靠近芯片的負載點(PoL)變換器精細調節。

這種架構在保證整體效率的同時,優化了系統散熱和供電布局。那么,關鍵的第一步(48V→12V)如何實現?主流方案可分為兩大類:

一、硬開關方案

特點:原理直接,設計相對簡單,對元器件參數的細微變化不敏感,更易實現。

代表:多相BUCK變換器、混合開關電容(HSC)變換器。

二、軟開關方案

特點:理論開關損耗更低,但對參數更敏感,設計復雜度高。

代表:LLC諧振變換器、諧振型開關電容變換器。

其中,混合開關電容(HSC)變換器正成為一種高密度、高效率的熱門選擇。它與諧振型方案不同,工作在非諧振模式這帶來一個突出優勢:對電感和電容的精度要求大幅降低,從而簡化了電路設計,并有效控制了成本。同時,HSC通過巧妙的結構減少了對大型磁性元件的依賴,為實現更高的功率密度打開了新思路。

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48V IBC實現方案

03

思瑞浦的高效能方案

HSC變換器:利用電容傳遞能量,配合磁性元件進行濾波,實現了固定的1/4分壓,大大減小了被動元件體積。

核心架構包括:

開關電容網絡:由多個開關管與飛跨電容組成,負責快速切換電荷,實現降壓;

磁性元件:抑制紋波,進一步實現降壓,提升功率密度。


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混合開關電容變換器(HSC Converter)


亮點A:采用GaN(氮化鎵)器件(EPC2218A),開關頻率高達500kHz,速度快、損耗低。

亮點B:創新磁性設計。使用平面變壓器,并巧妙利用“漏感”來替代輸出濾波電感,進一步壓縮體積。

亮點C:思瑞浦的隔離器+GaN驅動方案(TPT7710 + TPM1025),保障了高頻下的穩定驅動。

亮點D:思瑞浦的隔離供電方案(TPM6501+TPL8032),保障穩定供電。

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電路原理


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驅動電路數字隔離器+GaN驅動


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輔電:推挽DCDC+LDO


04

實測表現


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VIN=48V穩態運行波形

下圖展示了所設計樣機的效率曲線。結果表明峰值效率可達97.14%,在輸出功率100W至160W范圍內,效率均保持在97%以上。


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VIN=48V效率曲線

05

總結

思瑞浦的HSC方案為數據中心電源提供了高密度、高效率的參考設計,解決了從48V母線到中間總線的關鍵轉換難題。

除此之外,思瑞浦還為其他的48V電源磚拓撲提供全棧解決方案,覆蓋供電、驅動、功率MOS、采樣和保護關鍵環節,推動智算中心快速迭代。

供電

TPP0003X

TPQ5180

TPL5080

TPL8032



高壓同步BUCK

原邊反饋Flyback

高壓低靜態功耗LDO

高壓低噪LDO



驅動

TPM27282

TPM27211

TPM27524

TPM21550

TPM1025

TPM6501

高壓半橋柵極驅動

高壓半橋柵極驅動

雙通道低邊柵極驅動

雙通道隔離柵極驅動

GaN柵極驅動

變壓器驅動器

采樣/保護

TP5531

TPA191

TPA132

TPCMP27X

TPR6040

TPR33

零漂運算放大器

電流檢測放大器

電流檢測放大器

高速比較器

并聯型電壓基準

串聯型電壓基準

功率MOS

CMSH1080M

CMSH3085M





100V NMOS

30V NMOS





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