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DAC5311 數據手冊全文總結

科技綠洲 ? 2025-11-25 10:33 ? 次閱讀
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8位DAC5311、10位DAC6311和12位DAC7311(DACx311)是低功耗、單通道輸出的數字轉模擬轉換器(DAC)。正常運行時的低功耗(5 V時為0.55 mW,斷電模式下降至2.5 μW),使DACx311成為便攜式電池供電應用的極佳選擇。
*附件:dac5311.pdf

這些器件設計為單調,提供極佳的線性性,并最大限度地減少不必要的代碼間瞬態電壓,同時在兼容引腳的系列內提供便捷的升級路徑。所有設備都采用多功能的三線串行接口時鐘頻率最高可達50 MHz,并兼容標準SPI、QSPI、Microwire和數字信號處理器DSP)接口。

所有設備都使用外部電源作為參考電壓來設定輸出范圍。這些設備內置了開機復位(POR)電路,該電路在 0 V 時將 DAC 輸出通電,并保持在 0 V 直到有效寫入設備。DACx311 包含通過串行接口訪問的斷電功能,可在斷電模式下將設備電流消耗降至 0.1 μA,電壓為 2.0 V。

這些設備與DAC8311DAC8411兼容引腳,提供了從8位、10位和12位分辨率到14位和16位的便捷升級路徑。所有設備均采用小型6針SC70(SOT)封裝。該封裝在該系列中提供了靈活、針腳和功能兼容的即插式DAC,溫度范圍從–40°C到+125°C。

特性

  • 相對準確性:
    • 0.25 LSB INL(DAC5311:8位)
    • 0.5 最低限位內線(LSB INL)(DAC6311:10位)
    • 1 個 LSB INL(DAC7311:12位)
  • 微功率工作:2.0 V 時 80 μA
  • 斷電:5 V時0.5 μA,2.0 V時0.1 μA
  • 寬電源:2.0 V 至 5.5 V
  • 開機重置為零刻度
  • 直線二進制數據格式
  • 低功耗串行接口,施密特觸發輸入:最高50 MHz
  • 片上輸出緩沖放大器,軌對軌作
  • SYNC 中斷設施
  • 擴展溫度范圍 –40°C 至 +125°C
  • 小型6針SC70封裝中的兼容引腳家族

參數

image.png

方框圖

image.png
?一、產品概述?
DAC5311(8位)、DAC6311(10位)、DAC7311(12位)是德州儀器(TI)推出的低功耗、單通道、電壓輸出型數模轉換器(DAC),采用6引腳SC70封裝。其核心特點包括:

  • ?超低功耗?:正常模式80 μA(2.0 V),休眠模式0.1 μA(2.0 V)
  • ?寬電壓范圍?:2.0 V至5.5 V
  • ?高精度?:相對精度分別為±0.25 LSB(8位)、±0.5 LSB(10位)、±1 LSB(12位)
  • ?軌到軌輸出?:輸出范圍0 V至AVDD
  • ?內置緩沖放大器?
  • ?溫度范圍?:-40°C至+125°C

?二、關鍵特性?

  1. ?靜態性能?
    • 微分非線性:±0.25 LSB(8位)至±1 LSB(12位)
    • 零點/滿量程誤差:<0.2% FSR
    • 增益誤差:±0.15% FSR
  2. ?輸出特性?
    • 建立時間:6 μs(1/4至3/4量程)
    • 壓擺率:0.7 V/μs
    • 短路保護:50 mA(5 V供電)
  3. ?接口與控制?
    • ?三線串行接口?(SYNC、SCLK、DIN)
    • 兼容SPI/QSPI/Microwire/DSP
    • 最高時鐘頻率:50 MHz
    • ?SYNC中斷功能?:支持寫序列中斷

?三、工作模式?

  1. ?正常模式?:全功能運行
  2. ?三種休眠模式?:
    • 1 kΩ接地
    • 100 kΩ接地
    • 高阻態輸出

?四、應用場景?

  • 便攜式電池供電設備
  • 4-20 mA環路供電系統
  • 工業過程控制與自動化
  • 編程電壓/電流源

?四、封裝與兼容性?

  • ?引腳兼容家族?:可無縫升級至14位(DAC8311)和16位(DAC8411)

?五、技術規格?

  1. ?電氣參數?(詳見第5-6節)
    • 電源電流:80 μA(2.0 V)至180 μA(5.5 V)
    • 功耗:0.14 mW(2.0 V)至0.99 mW(5.5 V)
  2. ?時序要求?(詳見第7.6節)
  3. ?典型特性曲線?:涵蓋5 V/3.6 V/2.7 V供電條件

?六、設計支持?

  1. ?參考電路?:
    • 環路供電變送器(4-20 mA)
    • 雙極性輸出配置(±5 V)
    • 使用REF5050等高精度基準源供電方案

?七、可靠性保障?

  • ESD防護:HBM ±1000 V,CDM ±500 V
  • 熱阻參數:θJA=216.4°C/W
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