自“雙碳”目標確定以來，我國能源綠色低碳轉型穩步推進，光伏、風電、儲能等新能源行業也迎來了井噴式發展。

下圖是光伏系統結構圖，其中逆變器作為光伏發電系統的控制中樞，能夠將太陽能電池板的輸出可變直流電轉換為并網或者供負載能夠使用的交流電。作為逆變器的“心臟”，功率器件的性能和可靠性對整個系統的重要性不言而喻。

滑動下方，詳解瑞能半導體650V 75A IGBT

為了滿足市場對并網電壓等級和裝機容量不斷擴大的需求，瑞能推出了650V 75A IGBT, 共有三個產品系列，分別是U系列(WG75N65U*)，H系列(WG75N65H*)以及M系列(WG75N65M*)。其中，M系列的產品具有≥5us 的短路耐受能力。

瑞能650V 75A IGBT采用的是先進的場截止(Field Stop)技術，先進的高密度溝槽技術保證了較低的導通壓降和開關損耗。內部采用了超快軟恢復二極管進行并聯，優化了反向恢復特性，提高了器件開關動態性能，能夠保證在擁有較快開關速度的同時優化客戶的EMI。可以高效適配于光伏、儲能、充電樁、焊接以及電機驅動等相關產品。比如，其可以適用于目前主流的戶用10kw以下的單相逆變器的各個橋臂的開關管，也可以適用于60kW以下三相T-NPC逆變器的橫管以及INPC或者ANPC逆變器的各個開關管。瑞能650V 75A IGBT產品擁有175°C的最大結溫，能夠給予客戶更多的設計裕量。針對不同的應用場景，我們也推出了不同的封裝類型，有TO247, TO247-4L等。

以下是瑞能半導體650V 75A IGBT的產品列表及關鍵參數。

目前瑞能的650V 75A IGBT產品已經應用于諸多的客戶產品中，并且在性能上表現出了一定優勢。

如下是選擇了市面上一些國際大廠的一些明星產品做的一些位置對比，從圖中可以看出，瑞能的650V 75A三個系列的產品更迫近原點，性能更優。

瑞能650V 75A基于瑞能IGBT先進的晶圓技術及封裝工藝，優化了IGBT開通關斷的電壓電流波形及反并聯二極管的軟恢復特性，有效的阻止了器件開關震蕩的發生，并且獲得了更好的開關特性。

如下是在125°C條件下滿流工況下的開關波形，從圖中可以看出瑞能75A IGBT開通關斷更平滑，無高頻震蕩，更有利于客戶的設計和使用。

測試條件：Tj=125°C, Vcc=400V, Rg=7.5ohm.

產品性能

瑞能650V 75A基于瑞能IGBT先進的晶圓技術及封裝工藝，優化了IGBT開通關斷的電壓電流波形及反并聯二極管的軟恢復特性，有效的阻止了器件開關震蕩的發生，并且獲得了更好的開關特性。

如下是在125C條件下滿流工況下的開關波形，從圖中可以看出瑞能75A IGBT開通關斷更平滑，無高頻震蕩，更有利于客戶的設計和使用。

測試條件：Tj=125℃, Vcc=400V, Rg=7.5ohm.

圖 1 WG75N65UFW1 打開

圖 2 WG75N65UFW1 關閉

圖 3 WG75N65HFW1打開

圖 4 WG75N65HFW1 關閉

圖 5 WG75N65MFW1 打開

圖 6 WG75N65MFW1 關閉

此外，我們還選擇了一個INPC的外管（紅色虛線所示）用來驗證產品的性能。

測試條件：

? Vin=750V, Vout=220V

? Po=7.5KW, PF=1

? L=200uH

? Fs=16kHz, Tc=100oC

? Vge=+15/0V, Rg=10ohm

從仿真的結果來看，瑞能的75A IGBT有著出色的損耗及結溫性能，比如，瑞能650V 75A U系列的損耗基本和競品A公司的ES5持平，H系列的產品損耗略優于競品A公司的EH5，這與客戶的反饋基本一致。出色的損耗性能主要得益于瑞能IGBT先進的溝槽柵技術。