該ADC08DL502是一款雙通道、低功耗、高性能CMOS模數轉換器。 該ADC08DL502以高達 500 MSPS 的采樣率將信號數字化至 8 位分辨率。消費 該器件在 1.2 V 單電源的解復用模式下以 500 MSPS 的典型功率為 1.9 W,因此 確保在整個工作溫度范圍內沒有缺失代碼。獨特的折疊和 插補架構、全差分比較器設計、創新設計 內部采樣保持放大器和校準方案可實現所有 超出奈奎斯特的動態參數,產生 7.5 的有效位數 (ENOB),125 MHz 輸入信號和 500 MHz 采樣率,同時提供 10^?18^法典 錯誤率 (CER)
*附件:adc08dl502.pdf
該轉換器在掉電模式下通常消耗 3.3 mW,并提供 無鉛 144 引腳 LQFP,可在改進的工業 (-40°C ≤ T 一個 ≤ +70°C)溫度范圍。
特性
- 單路+1.9V ±0.1V工作電壓
- 占空比校正采樣時鐘
主要技術參數
- 分辨率:8位
- 最大轉換率:500 MSPS
- 代碼錯誤率:10 ^?18^ (典型值)
- ENOB @ 125 MHz 輸入:7.5 位(典型值)
- DNL:±0.15 LSB(典型值)
- 功耗
- 在 1:2 解復用器輸出下運行:1.25W(典型值)
- 掉電模式:3.3 mW(典型值)
參數

方框圖

一、產品概述
ADC08DL502 是德州儀器(TI)推出的高速、低功耗雙路模數轉換器(ADC),核心優勢為 500 MSPS 超高采樣率、雙路同步采樣與優異的動態性能,專為衛星調制解調器、數字示波器、直接射頻下變頻通信系統、測試儀器等高速信號采集場景設計。器件采用 8 位分辨率折疊插值架構,集成校準功能與 LVDS 輸出接口,文檔版本為 SNAS582B,發布于 2012 年 3 月,2013 年 3 月修訂,采用 144 引腳 LQFP 封裝,工作溫度范圍 - 40°C 至 70°C。
二、核心參數與性能特性
1. 基礎規格
- ADC 性能 :8 位分辨率,無丟失碼;INL±0.3 LSB(典型)、±0.9 LSB(最大),DNL±0.15 LSB(典型)、±0.75 LSB(最大);零偏誤差 - 0.45 LSB(典型),滿量程誤差 ±25 mV(最大);碼錯誤率(C.E.R.)典型值 10?1?。
- 動態性能 :125 MHz 輸入時 ENOB 達 7.5 位、SNR 47.8 dB、SFDR 58.5 dB;248 MHz 輸入時 ENOB 7.6 位、SNR 48.5 dB、SFDR 59.1 dB;全功率帶寬 2 GHz,增益平坦度 ±0.8 dB(直流至 248 MHz);三階互調失真(IMD3)71.4 dBFS,總諧波失真(THD)-54.2 dB。
- 接口特性 :雙路差分模擬輸入(VINI±、VINQ±),支持交流 / 直流耦合;32 路 LVDS 數據輸出(4 組 8 位總線),輸出格式為偏移二進制;支持 1:2 解復用模式(降低輸出數據率)與 DDR/SDR 時鐘模式;串行接口(SCLK/SDATA/SCS)用于擴展控制模式。
2. 供電與功耗
- 供電范圍 :模擬電源(VA)與數字驅動電源(VDR)均為 1.8 V-2.0 V,標稱 1.9 V 單電源供電。
- 功耗表現 :1:2 解復用模式下典型功耗 1.25 W,掉電模式僅 3.3 mW;模擬電源電流典型值 494 mA,數字驅動電源電流典型值 168 mA,適配高速低功耗場景。
3. 封裝與環境適應性
- 封裝類型 :144 引腳 LQFP 封裝,結到環境熱阻 43.6 °C/W,結到殼熱阻 12.5 °C/W,封裝尺寸適配中等規模 PCB 布局。
- 可靠性 :ESD 防護(HBM 2500 V、MM 250 V、CDM 1000 V);存儲溫度范圍 - 65°C 至 150°C,最大結溫 145°C,滿足工業級可靠性要求。
4. 關鍵功能特性
- 高速專用功能 :雙路同步采樣,支持多器件同步(通過 DCLK_RST 信號);內置校準電路,可上電自動校準或手動觸發校準,校準后優化 INL、DNL 與增益誤差;輸入時鐘占空比校正(20%-80% 容錯),降低時鐘源要求。
- 系統集成特性 :支持測試模式輸出,便于系統調試;擴展控制模式下可通過寄存器調整輸入滿量程范圍(560 mVPP-840 mVPP)與通道偏移(±45 mV);Out Of Range(OR)信號指示輸入超量程。
三、工作模式與功能原理
1. 核心架構
采用 “差分采樣保持電路→折疊插值 ADC→校準電路→解復用器→LVDS 輸出緩沖” 架構,雙路獨立 ADC 支持同步采樣;內置 1.26 V 帶隙基準源(VBG),提供穩定參考;通過校準 trim 輸入差分終端電阻與器件參數,確保高動態性能。
2. 主要工作模式
| 模式 | 核心配置 | 關鍵參數 | 適用場景 |
|---|---|---|---|
| 正常采樣模式 | 500 MSPS 采樣率,雙路同步工作 | 1:2 解復用輸出,數據率 250 MSPS / 總線 | 高速雙路信號采集 |
| 非解復用模式 | 采樣率≤500 MSPS,單路輸出總線 | DDR 模式,數據率與采樣率一致 | 高速單路信號采集 |
| 掉電模式 | PD 引腳高電平,器件整體斷電 | 功耗 3.3 mW,輸出高阻 | 低功耗待機場景 |
| 單通道模式 | PDQ 引腳高電平,僅 “Q” 通道斷電 | “I” 通道正常工作,保留雙路架構 | 單路信號采集,節省功耗 |
3. 關鍵功能細節
- 校準功能 :上電自動校準或通過 CAL 引腳手動觸發,校準周期典型值 1.4×10?時鐘周期,校準期間優化線性度與動態性能;支持電阻微調禁用(RTD),確保 DCLK 持續輸出。
- 時鐘與同步 :差分時鐘輸入(CLK±),支持 200 MHz-500 MHz 采樣率;DCLK 輸出用于數據鎖存,支持 0°/90° 相位調整;多器件可通過 DCLK_RST 信號同步,確保多通道一致性。
- 擴展控制 :通過串行接口訪問 9 個寄存器,可配置輸入滿量程、通道偏移、采樣時鐘相位、LVDS 輸出幅度等參數,適配復雜系統需求。
四、應用場景與設計建議
1. 典型應用領域
- 衛星通信(調制解調器)、數字示波器、射頻下變頻系統、高速數據采集卡、測試測量儀器、雷達信號處理。
2. 設計關鍵要點
- 電源設計 :VA 與 VDR 引腳需分別供電,每路電源就近并聯 0.1 μF 陶瓷電容與 33 μF 鉭電容濾波;電源間建議串聯鐵氧體磁珠隔離,避免數字噪聲耦合至模擬部分。
- 輸入與接地 :模擬輸入采用差分驅動,交流耦合時 VCMO 引腳接地,直流耦合時輸入共模電壓需匹配 VCMO 輸出(1.26 V 典型值);PCB 采用單點接地平面,模擬區與數字區嚴格分區,避免高頻噪聲耦合。
- 時鐘設計 :時鐘輸入需交流耦合,差分阻抗匹配 100 Ω;時鐘源需低抖動(建議 rms 抖動≤0.4 ps),避免動態性能退化;長距離時鐘線需做阻抗匹配與屏蔽。
- 布線與防護 :LVDS 輸出線采用 100 Ω 差分阻抗匹配,減少反射;模擬輸入線遠離數字信號線與時鐘線,避免串擾;未使用的模擬通道交流耦合時接交流地,直流耦合時接 VCMO。
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