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?Vishay Vitramon表面貼裝直流阻斷電容器技術解析與應用指南

科技觀察員 ? 2025-11-14 16:01 ? 次閱讀
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Vishay/Vitramon表面貼裝直流阻斷電容器在整個工作頻率范圍內具有無諧振性能。這些多層陶瓷片式電容器 (MLCC) 采用0402、0603和0805等標準EIA主體尺寸,電壓范圍為25VDC至500V DC ,最大耗散因數 (DF) 為3.5%(1VRMS和1kHz時)。這些電容器采用低損耗、可靠的貴金屬電極系統,工作溫度范圍為-55°C至+125°C。Vishay/Vitramon表面貼裝直流阻斷電容器的應用包括光纖鏈路、高隔離去耦、儀器儀表和測試設備、射頻/微波模塊、雙工器等。

數據手冊:*附件:Vishay , Vitramon 表面貼裝直流阻斷電容器數據手冊.pdf

特性

  • 在整個工作頻率范圍內具有無諧振性能
  • 直流阻斷,在整個頻段內插入損耗<0.5dB
  • 可提供自定義頻率范圍
  • 表面貼裝標準EIA主體尺寸
  • 低損耗、可靠的貴金屬電極系統
  • 可提供S參數
  • 可提供無鉛、符合RoHS指令的型號
  • 不含鹵素

典型衰減曲線

1.png

?Vishay Vitramon表面貼裝直流阻斷電容器技術解析與應用指南?

?一、產品概述?

Vishay Vitramon系列直流阻斷電容器是一種多層陶瓷芯片電容器(MLCC),專為射頻/微波應用設計。其核心功能是在特定頻段內阻斷直流信號,同時保證交流信號的低損耗傳輸。該系列支持從HF(3 MHz)至Ku波段(18 GHz)的寬頻率范圍,并具備定制化頻率選項,適用于光纖通信、測試設備、射頻模塊等高頻場景。


?二、關鍵特性與性能參數?

?1. 電氣性能?

  • ?工作溫度?:-55 °C至+125 °C
  • ?電壓范圍?:25 VDC至500 VDC(根據封裝尺寸和頻段調整)
  • ?插入損耗?:< 0.5 dB(全頻段保障信號完整性)
  • ?損耗因子?:≤ 3.5 %(1 kHz/1 VRMS條件下)
  • ?絕緣電阻?:
    • +25 °C時 ≥ 100,000 MΩ 或 1000 ΩF(取較小值)
    • +125 °C時 ≥ 10,000 MΩ 或 100 ΩF(取較小值)
  • ?耐壓測試?:
    • ≤250 VDC產品:承受250 %額定電壓
    • 500 VDC產品:承受150 %額定電壓

?2. 結構與封裝?

提供四種標準EIA封裝尺寸,兼容表面貼裝工藝:

型號代碼尺寸代碼長度(mm)寬度(mm)最大厚度(mm)
BC0404021.00±0.100.50±0.100.60
BC0606031.60±0.150.80±0.150.97
BC0808052.00±0.201.25±0.201.45
BC1212103.20±0.252.50±0.251.94

?三、選型指南與型號解析?

?1. 頻率覆蓋與標準型號?

以下為部分典型型號的頻段與電壓對應表:

頻段低頻端高頻端尺寸代碼額定電壓(VDC)示例型號
S波段2 GHz4 GHz040225BC04208408DXXA_
C波段4 GHz8 GHz0805100BC08408808DXBA_
Ku波段12 GHz18 GHz060350BC06129189DXAA_

?2. 型號命名規則?

以? BC06108208DXBA_ ?為例:

  • ?BC?:直流阻斷電容器
  • ?06?:0603封裝
  • ?108?:低頻端1 GHz,高頻端8 GHz(1×108=1 GHz,8×108=8 GHz)
  • ?208?:低頻端20 MHz,高頻端8 GHz(需結合代碼表轉換)
  • ?D?:插入損耗 < 0.5 dB
  • ?X?:鎳阻擋層+100 %錫鍍層
  • ?B?:100 VDC額定電壓
  • ?A?:無標記(外觀簡潔)

?四、典型應用場景?

  1. ?光纖鏈路?:在光模塊中阻斷直流偏置,確保信號純凈度。
  2. ?射頻模塊與雙工器?:用于天線端直流隔離,防止射頻信號干擾電源
  3. ?VCO頻率穩定?:通過阻斷直流分量提升振蕩器相位噪聲性能。
  4. ?測試儀器?:在矢量網絡分析儀等設備中實現精準阻抗匹配。

?五、設計注意事項?

  1. ?電壓降額?:在高頻應用中,建議工作電壓不超過額定值的50 %。
  2. ?焊接工藝?:需遵循EIA RS-481標準卷帶包裝要求,避免機械應力導致裂紋。
  3. ?存儲條件?:
    • 溫度:5 °C至40 °C
    • 濕度:≤ 70 % RH
    • 保質期:出廠后2年內使用(超期需驗證可焊性)。

?六、性能曲線分析?

數據手冊提供的典型衰減曲線顯示:

  • ?S波段?(2 GHz~4 GHz):所有封裝的插入損耗均穩定控制在0.5 dB以內。
  • ?C波段?(4 GHz~8 GHz):隨著頻率升高,損耗略微增加(最高至1.0 dB),但仍優于常規MLCC。
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