該LMP92066是一款高度集成的溫控雙通道DAC。兩個DAC都可以是 由兩個獨立的、用戶定義的溫電壓傳遞函數編程，存儲在 內部EEPROM，允許校正任何溫度影響，而無需額外的外部 電路。通電后，設備自主運行，無需系統干預 控制器，為設置和補償偏置電壓和電流提供完整的解決方案 在控制應用中。

該LMP92066有兩個模擬輸出，支持兩個輸出范圍：零到加五 伏特和零到負五伏。每個輸出都可以通過 使用專用控制引腳。輸出開關設計用于快速響應，使 該器件適用于射頻功率放大器偏置應用。
*附件：lmp92066.pdf

EEPROM 經過 100 次寫入作驗證，可實現重復現場更新。這 EEPROM 編程在用戶發布的 I^2^C 命令。

LMP92066的數字端口與各種系統控制器接口，如 專用 VIO 引腳設置數字 I/O 電平。該設備具有熱增強型 PowerPAD? 封裝，可實現精確的 PCB溫度測量。

特性

• 內置 12 位溫度傳感器
  • 精度（–40°C 至 120°C），±3.2°C
    （最大值）
• EEPROM 中
  存儲的兩個獨立傳遞函數
• 雙模擬輸出
  • 兩個 12 位
  • 輸出范圍 0 V 至 5 V 或 0 V 至 –5 V
  • 高電容負載容限，高達 10 μF
  • 校準后精度 ±2.4 mV（典型值）
• 輸出開/關控制開關時間 50 ns（典型值）
  • 開關時間 50 ns（典型值）
  • RDSON 5 Ω（最大）
• 我^2^C 接口：標準和快速
  • 九個可選從地址
  • TIMEOUT 函數
• VDD 電源范圍 4.75 V 至 5.25 V
• VIO 范圍 1.65 V 至 3.6 V
• 指定溫度范圍 –25°C 至 120°C
• 工作溫度范圍 –40°C 至 125°C

參數

方框圖

LMP92066 是德州儀器推出的雙路溫度控制數模轉換器（DAC），集成 EEPROM 與輸出開關控制，核心優勢為溫度補償自校準、高容性負載驅動及快速輸出切換，專為 GaN/LDMOS 功率放大器偏置控制、傳感器溫度補償等場景設計。

一、核心產品參數

1. 基礎規格

• 分辨率與輸出：雙 12 位 DAC 通道，支持 0V-5V 或 0V--5V 輸出范圍；單通道連續輸出電流最大 10mA
• 封裝與溫度：16 引腳 HTSSOP 封裝（5.0mm×4.4mm），帶散熱焊盤；工作溫度 -40°C 至 125°C，結溫最高 150°C
• 電源與功耗：主電源（VDD）4.75V-5.25V，數字 I/O 電源（VIO）1.65V-3.6V；典型功耗 20mW，EEPROM 操作時峰值電流 10mA

2. 性能特性

• 靜態精度：微分非線性（DNL）最大 ±1 LSB，積分非線性（INL）最大 ±2.78 LSB；校準后殘余誤差典型 ±2.4 mV
• 溫度傳感：內置 12 位溫度傳感器，分辨率 0.0625°C/LSB，-40°C 至 120°C 范圍內誤差最大 ±3.2°C，轉換周期 25ms
• 動態特性：輸出開關切換時間典型 50ns，開關導通電阻（RDRV）最大 6Ω；DAC 建立時間（10μF 負載）典型 250μs
• 負載能力：支持最高 10μF 容性負載，輸出阻抗典型 3Ω

3. 關鍵功能參數

• 存儲與校準：內置 EEPROM 存儲 2 組獨立溫度 - 電壓轉換函數，支持 100 次寫入；支持單點校準，補償溫漂與增益誤差
• 接口與控制：I2C 接口（標準 / 快速模式），9 種可選從機地址；獨立 DRVEN 引腳控制輸出開關，支持異步開關操作
• 保護與可靠性：ESD 防護（HBM ±2500V、CDM ±1000V）；內置地址鎖定、超時功能，EEPROM 數據傳輸帶錯誤校驗與修正

二、關鍵功能特性

1. 溫度補償與自主運行

• 溫度 - 電壓轉換：通過 EEPROM 存儲 4°C 步長的溫度系數，結合 ALU 線性插值算法，自動生成目標補償曲線
• 多工作模式：支持默認自主運行（上電自動加載 EEPROM 配置）、溫度傳感器 Override、DAC 輸入 Override、ALU 旁路模式
• 雙極性輸出：通過 VDDB/VSSB 電源配置，可切換 0V-5V（LDMOS 模式）或 0V--5V（GaN 模式）輸出，適配不同類型功率放大器

2. 高靈活性與可靠性設計

• 輸出控制：獨立通道開關，支持 “先斷后合” 切換邏輯，避免短路電流；FETDRV 引腳可直接驅動外部場效應管
• 存儲與校準：20 字節記事本存儲區，支持用戶自定義數據；增益 / 偏移誤差溫度系數分別低至 20 ppm/°C 和 43 μV/°C
• 接口優化：支持塊數據傳輸，減少 I2C 通信開銷；地址鎖定功能防止總線地址沖突

3. 工業級適配能力

• 抗干擾設計：電源抑制比優異，容性負載驅動能力達 10μF，適配長距離布線場景
• 快速響應：輸出開關切換時間僅 50ns，滿足射頻功率放大器快速偏置切換需求
• 校準簡化：單點校準后殘余誤差典型 ±2.4 mV，大幅降低系統校準復雜度

三、典型應用場景

• 射頻通信：GaN/LDMOS 功率放大器（PA）偏置電壓控制與溫度補償
• 傳感器系統：壓力、流量傳感器的溫度漂移補償
• 時序電路：高精度時鐘、振蕩器的溫度穩定性校準

四、設計與使用建議

1. 接口與配置

• I2C 通信：建議啟用地址鎖定功能，避免多設備總線沖突；塊傳輸模式適用于批量更新 LUT 系數
• 模式選擇：自主運行模式適用于無需主機干預的場景，Override 模式可用于系統調試與校準
• EEPROM 操作：寫入后需等待 125ms 完成固化，避免頻繁寫入超出 100 次壽命限制

2. 電源與布線

• 電源設計：VDD 引腳需并聯 10μF-47μF 電解電容與 0.1μF 陶瓷電容，保證 EEPROM 操作時供電穩定
• 散熱布局：散熱焊盤需焊接至 PCB 接地銅層，縮短與被控器件（如 PA）的熱路徑，提升溫度傳感精度
• 噪聲抑制：模擬地（GNDA）與數字地（GNDD）單點連接；DAC 輸出引腳遠離數字信號線，減少耦合干擾

3. 負載與切換

• 容性負載：驅動大于 10μF 負載時，建議串聯 5Ω 限流電阻，避免開關切換時電流過大
• 快速切換：DRVEN 引腳控制信號需保證上升沿陡峭，減少切換延遲；外部場效應管驅動時，建議搭配 10nF 加速電容。