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深圳市坪山區將出臺各種政策推動第三代半導體發展

半導體動態 ? 來源:網絡整理 ? 作者:工程師吳畏 ? 2018-08-29 15:22 ? 次閱讀
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8月28日,在2018“芯集坪山”中國集成電路產業高峰論壇上,電子材料及第三代半導體成為重點話題。深圳市坪山區政府表示,為推動第三代半導體產業發展,坪山區即將出臺產業政策——《坪山區人民政府關于促進集成電路第三代半導體產業發展若干措施》。

發展第三代半導體是國家戰略重大需求

第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長、深圳第三代半導體研究院副理事長吳玲會上表示,第三代半導體滿足國防安全、智能制造、產業升級、節能減排等國家重大戰略需求。

在她看來,第三代半導體支撐著我國高頻、高速、寬帶通信系統核心器件的自主可控,支撐國家能源戰略,支撐著高速列車、新能源汽車等核心動力系統的發展以及節能環保、國防安全軍事裝備的自主發展等。

吳玲表示,第三代半導體現已進入爆發式增長期,全球各國爭相搶占戰略制高點,在我國,第三代半導體早已受到政府層面的高度關注。

自2004年開始,我國政府就第三代半導體材料研究與開發進行了相應的部署,并啟動了一系列的重大研究項目。

2016年我國啟動“十三五”國家重點研發計劃“戰略性先進電子材料”重點專項,第三代半導體材料是重點專項中的重要研究領域。

隨后在2016年國務院發布的面向2030的6項重大科技項目和9大重大工程中,第三代半導體是“重點新材料研發及應用”重大項目的重要部分。

2016年12月,國務院成立國家新材料產業發展領導小組,貫徹實施制造強國戰略,加快推進新材料產業發展;2017年2月,國家新材料產業發展專家咨詢委員會成立。

2017年6月,第三代半導體產業技術創新戰略聯盟組織編輯2030國家重點新材料研發及應用第三代半導體版塊實施方案。

在國家政策推動下,江蘇、浙江、廈門、江西等地已逐步發展成為第三代半導體產業特色集聚區,那么目前成效如何?據吳玲介紹,目前國內中低壓電力電子材料和器件已初步量產,應用快速滲透。

SiC方面,天科合達、山東天岳、中電集團2所等初步實現4英寸SiC單晶襯底材料量產,并開發出6英寸樣品;泰科天潤、世紀金光、中電55所、13所等多家企業和機構已實現600-3300V的SiC肖特二極管量產,處于用戶驗證階段;中車株洲時代電氣、國家電網聯研院、廈門三安等企業建設了6英寸SiC電力電子器件工藝線。

GaN方面,中電13所已形成系列化GaN微波功率器件和MMIC產品,并被華為、中興用于進行基站研發;蘇州納維、東莞中鎵具備2-4英寸GaN單晶襯底材料的供貨能力;蘇州能訊、蘇州晶湛、江蘇能華、杭州士蘭微、江蘇華功半導體均已進入布局GaN電力電子材料和器件;三安集團也已建設GaN射頻器件工藝線。

根據發展目標,2018~2020年間,我國將完成第三代半導體的產業基礎建設,進行產業鏈的完善、核心裝備研發、核心工藝開發、開發基礎器件并開始示范應用等。

深圳坪山優先發展,政策即將出臺

在國家政策推動下,江蘇、浙江、廈門、江西等地已逐步發展成為第三代半導體產業特色集聚區,深圳亦是國內第三代半導體發展排頭兵之一。

深圳市根據“十三五”規劃的國際科技和產業創新中心定位,正在實施新一輪創新發展戰略布局,將著力在核心芯片、人工智能等重點關鍵技術的突破。根據規劃,坪山區為第三代半導體產業的優先發展區域。

坪山區作為深圳東部產業發展重要基地,集聚了中芯國際、比亞迪(中央研究院)、昂納科技、金泰克、基本半導體、拉普拉斯等重點企業,集成電路及第三代半導體產業集聚漸成規模。

為了加快第三代半導體發展步伐,深圳市已相繼成第三代半導體器件重點實驗室、深圳第三代半導體研究院,并在坪山區設立第三代半導體產業集聚區。坪山區政府于8月3日公開發布了《深圳市坪山區人民政府關于促進集成電路第三代半導體產業發展若干措施(征求意見稿)》。

在高峰論壇上,政府代表人員表示該政策即將出臺,并重點介紹了政策主要內容。據介紹,該政策主要包括對符合條件的相關企業在資金、融資、租賃、落戶等14方面的支持和資助獎勵,具體有:

1.資金支持:坪山區級層面將成立產業發展專項資金以提供續的支撐,此外還將設立一個集成電路專項產業基金,帶動社會資本一起支撐第三代半導體擊和集成電路產業發展。

2.融資資助:對于企業獲得一年期以上的信貸融資的,將按照利息或擔保費50%,分別給予年度最高200萬元的資助。

3.租金資助:對企業租賃創新型產業用房的,按照市場平均價的50%到90%,給予最高年度500萬元的資助。

4.落戶獎勵:對新設立或新遷入的制造、封測類企業,按照落戶后第一年實際完成工業投資額的10%,給予最高1000萬元一次性獎勵;對新設立或新遷入的設計、設備和材料類企業,按落戶后第一年追加實繳資本的10%,給予最高500萬元的資助。

5.研發資助:對企業關鍵技術攻關的,按照研發投入的10%,給予年度最高500萬元的資助,對產品區域聯合研發的資助額度提高到最高600萬。

6.平臺支持:對于企業建設的公共服務平臺,經區政府認定的,按設備購置費的50%一次性給予最高2000萬元的資助。

7.設計資助:企業購買EDA軟件(含升級費用)、采購轄區公共服務平臺設計服務等不同類型,

按實際發生費用的50%給予資助。

8.驗證資助:對企業進行工程片、設備、材料測試驗證的,按實際發生費用50%,給予年度最高200萬元的資助。

9.流片資助:對企業參加多項目晶圓項(MPW)項目的,按MPW直接費用的80%(高校和科研院所比例提高到90%),給予年度最高200萬元資助;對企業首次工程流片的,按照實際費用的30%,給予年度最高300萬元資助;對利用轄區企業開展MPW的,最高資助額度為400萬元。

10.首購獎勵:對整機企業首購首用本轄區芯片,按采購金額的10%,一次性給予最高50萬元獎勵;對企業首購首用本轄區設備、材料的,按照采購金額的10%,一次性給予最高100萬元的獎勵。

11.經營資助:對生產性用電按用電費用的50%,一次性給予最高500萬元資助;對企業建設雙回路、儲能電站等用電設施,按實際投入費用的30%,一次性給予最高500萬元的資助;對企業的日常環保處理,按照實際支出的50%,給予最高100萬元的資助;對企業建設環保處理工程的,按工資費用50%,給予年度最高500萬元的資助。

12.配套資助:對于承擔軍工科研項目、設立海外研發中心、建設公共服務平臺、獲得國家首臺(套)重大技術裝備保險補償的企業,分別按照上級實際資助額度的1:1給予配套資助。

13.技改資助:征求意見稿中關于微組裝生產線、設備購置、潔凈室裝修的資助內容,將以更大支持力度納入“實體經濟二十條”的修訂版中,即將發布。

14.人才資助:征求意見稿中關于人才資助的內容,將統籌納入到“龍聚坪山”的人才政策,即將發布。

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