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詳解SOA的增益譜仿真

天津見合八方 ? 來源:天津見合八方 ? 2025-11-08 09:58 ? 次閱讀
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引言

為了更好的理解SOA的特性,見合八方近期將會發布【SOA仿真】系列文章。

在前面兩篇文章中,我們分析了SOA的增益飽和特性。《【SOA仿真】SOA增益飽和特性仿真1》,我們由實際測試的輸出飽和光功率Psat_out和峰值波長的小信號增益G0仿真繪制了增益飽和特性曲線;《【SOA仿真】SOA增益飽和特性仿真1》中我們根據SOA本身的結構參數(如波導長度、波導體積)、特性參數(增益系數、透明載流子濃度,耦合參數),注入參數(偏置電流、輸入光功率)等作為輸入,仿真求解SOA的增益特性。但這兩篇文章均沒有給出增益與波長的關系,本文主要仿真增益的波長相關性(增益譜)。

關鍵詞

半導體光放大器SOA、增益、小信號增益、增益飽和、仿真、載流子、速率方程

1.高斯增益譜模型

假設為高斯分布,表示為:

45bd070e-ba22-11f0-8c8f-92fbcf53809c.png

其中gpeak(N)是增益峰值,由下面公式表示:

46164184-ba22-11f0-8c8f-92fbcf53809c.png

其隨N增大而增大,其中N0為透明載流子密度,a為微分增益參數;

λpeak(N)為增益峰值波長,隨N增大而藍移,滿足

466d44de-ba22-11f0-8c8f-92fbcf53809c.png

其中λ0為N=N0時的峰值波長,b為藍移系數;

ΔλFWHM是增益譜的半高全寬FWHM,建成譜寬。

2.載流子速率方程

參考上一篇文章《【SOA仿真】SOA增益飽和特性仿真1》的第2節中的速率方程,達到穩態時,有下面公式[1]:

46c672a2-ba22-11f0-8c8f-92fbcf53809c.png

公式的左側時電流注入帶來的載流子產生,右側是載流子復合帶來的載流子消耗。

3.仿真

第一步:設置初始參數,各參數含義與物理意義如下表: 471f7d02-ba22-11f0-8c8f-92fbcf53809c.png

第二步:通過載流子方程(公式4),可由注入電流Ibias,求取載流子濃度N;

本次使用python中自帶的fsolve函數求解速率方程,程序更簡潔。 47815b44-ba22-11f0-8c8f-92fbcf53809c.png

第三步:根據公式1的高斯增益模型,可獲取增益譜;

47df35d4-ba22-11f0-8c8f-92fbcf53809c.png

4.結論和后續

本文利用簡化的載流子速率方程,以及二分法迭代,仿真得到了外部注入(電流及輸入光功率)與增益的關系。

后續我們還將仿真增益與波長的關系(增益譜曲線),以及增益的動態特性。

參考文獻

[1] Niloy K. Dutta and Qiang Wang, “Semiconductor Optical Amplifiers,”2nd edition,World Scientific Publishing Company, 2013.

[2]王光全,沈世奎,王偉,曾志超等,“半導體光放大器SOA技術與應用白皮書”,2024版

[3] Aziz, Ahmed & Ng, Wai & Aly, Moustafa & Chiang, Ming. (2008).“Optimisation of the key SOA parameters for amplification and switching”.

天津見合八方光電科技有限公司,是一家專注國產半導體光放大器SOA研發和生產的高科技企業,目前已推出多款半導體光放大器SOA產品(850nm,1060nm,1270nm,1310nm, 1550nm,1625nm)以及增益芯片RSOA產品(850nm,1310nm,1550nm),公司已建立了萬級超凈間實驗室,擁有較為全面的光芯片的生產加工、測試和封裝設備,并具有光芯片的混合集成微封裝能力。目前公司正在進行NLL/ECL+SOA的混合集成器件、大功率SOA器件的研發工作,并可對外承接各種光電器件測試、封裝和加工服務。

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原文標題:【SOA仿真3】SOA的增益譜仿真

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