傾佳電子行業洞察-電力電子的樞紐：以SiC碳化硅為支點，駕馭“十五五”能源變革

傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業電源、電力電子設備和新能源汽車產業鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數字化轉型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導體器件以及新能源汽車連接器。?

傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業自主可控和產業升級！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導體器件變革潮頭：

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢！

傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢！

摘要

傾佳電子旨在深度剖析中國“十五五”規劃（2026-2030年）對電力電子產業的深遠影響，并闡明以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體在其中發揮的關鍵價值。傾佳電子認為，“十五五”時期將是中國“雙碳”戰略與“新型電力系統”建設從頂層設計轉向大規模工程實踐的關鍵轉折點。這一歷史性轉型將催生對電力電子產業前所未有的結構性需求。

傾佳電子的核心論點是，高效、高密度的功率變換技術是這場能源革命的基石。在此背景下，以碳化硅為核心的第三代半導體功率器件，將從一個高速增長的細分領域，演變為支撐國家能源戰略的、不可或缺的基礎性技術。碳化硅在效率、功率密度和高頻運行方面的卓越性能，并非簡單的增量改進，而是實現國家在能源效率、電網穩定性和技術自主可控等核心目標的關鍵賦能要素。以深圳基本半導體等為代表的本土領軍企業的崛起，將成為這一時期產業格局的決定性特征，其背后是市場需求與國家戰略產業政策協同共振的強大驅動力。

第一章：戰略背景：“十五五”規劃與電力電子革命的必然性

1.1 “雙碳”目標：電力電子產業的核心驅動力

“十五五”規劃期間，中國將進入實現2030年“碳達峰”目標的攻堅期，這為能源結構的根本性變革設定了明確的時間表和戰略方向 。延續“十四五”期間的政策導向，“十五五”將進一步加速能源消費從化石能源向非化石能源的轉型。既有的政策文件已經明確要求大幅提升非化石能源在總消費和發電量中的比重，這一趨勢在未來五年將只強不弱，從而為支撐綠色低碳能源體系的技術創造了巨大的結構性需求 。

目前，中國已經構建了碳達峰、碳中和的“1+N”政策體系，并已采取實質性行動，如將非化石能源消費占比提升至17.5%，并對存量煤電機組進行節能降碳改造 。可以預見，“十五五”規劃將在此基礎上，提出更具雄心的目標和更具體的實施路徑。

國家的“雙碳”目標不僅是一項環境政策，更是一項全面的經濟與產業升級戰略。政策文件反復強調將綠色轉型與“高質量發展”相結合，這意味著目標不僅是減排，更在于通過轉型培育新的經濟增長點 3。電力電子產業，特別是以碳化硅為代表的先進功率半導體，正處在這一戰略的交匯點。它們通過提升從發電、輸配電到終端消費全鏈路的能源效率，直接服務于“雙碳”目標。通過SiC器件實現的每一個百分點的效率提升，都意味著更少的能源浪費和碳排放。同時，這本身也催生了一個高附加值的先進制造業，完美契合了國家經濟發展的雙重目標。因此，電力電子產業的角色已從傳統的配套支撐，上升為“十五五”經濟愿景的核心支柱之一。

1.2 構建新型電力系統：電力電子主導的能源網絡

“十五五”期間，中國電力系統建設的核心任務是應對“五高”特征帶來的挑戰：高比例新能源、高比例電力電子設備、高活躍度創新、高比例新市場主體和高概率極端氣候 1。這一根本性轉變意味著電網的運行模式將從過去由同步發電機主導的、穩定可預測的系統，轉變為由大量間歇性、波動性電源構成的復系統。

這種波動性要求電網必須具備前所未有的靈活性和調節能力，其中，以儲能為代表的靈活性資源成為維持電網穩定的關鍵 。連接這些資源與電網的電力電子設備，如儲能變流器（PCS）和光伏/風電逆變器，成為了調控整個電網的主要手段。“十四五”規劃已經明確提出要發展由先進儲能和智能電網技術支撐的“新型電力系統”，而“十五五”將是這些大規模系統從示范走向全面部署的實施階段 。

傳統電網的穩定性在很大程度上依賴于大型旋轉發電機組提供的物理轉動慣量。而在新型電力系統中，光伏、風電和儲能等資源通過逆變器等電力電子設備并網，這些設備本身不具備物理慣量 。因此，整個電網的頻率穩定和動態平衡，完全取決于電力電子接口的控制速度、智能化水平和可靠性。這使得核心功率半導體器件（如SiC MOSFET）的性能，不再僅僅是單個設備的效率指標，而是直接關系到國家能源安全的系統性問題。SiC器件更快的開關速度、更低的損耗和更優越的控制特性，使其成為有效管理未來復雜電網動態、保障系統安全穩定運行的必要技術支撐。

1.3 技術自主可控：國產SiC產業的政策東風

在當前復雜的國際環境下，能源安全與“科技自立自強”已被提升至國家戰略的最高層面 。“十四五”能源領域科技創新規劃明確提出，要“補強短板”，解決在關鍵零部件、基礎材料和專用軟件等方面對國外的依賴問題 。

在這一戰略指引下，以碳化硅為代表的第三代半導體被定位為“前瞻性、顛覆性技術”，是國家重點扶持和攻關的領域 。這意味著本土SiC產業鏈，從上游的襯底材料到下游的器件制造與應用，都將獲得包括研發資金、市場準入和產業政策在內的全方位支持。

供應鏈安全已成為國家關鍵基礎設施建設的首要考量 。在“十五五”期間，國家電網、大型新能源基地、數據中心等關鍵能源基礎設施的建設，將極大地傾向于采用國產核心元器件，以規避地緣政治風險和供應鏈中斷的威脅。這將為本土SiC企業創造一個巨大的、具有一定保護性的高增長市場。這種非市場的戰略性拉動，將有力地幫助如基本半導體等本土領軍企業加速擴大市場份額，即使在面對擁有技術或成本優勢的國際競爭對手時也能獲得發展空間。基本半導體的股東結構中已出現中國中車、三峽能源、廣汽資本等國家戰略性產業資本的身影，這正是產業與國家戰略深度綁定的早期信號，為其未來的市場拓展和規模化發展提供了堅實的保障 。

第二章：關鍵領域影響分析：新能源、儲能及其他

2.1 儲能系統（ESS）：電網靈活性的核心支柱

儲能是解決新能源并網波動性的關鍵技術，而儲能變流器（PCS）作為連接電池與電網的核心，其性能直接決定了整個儲能電站的經濟性和可靠性。“十五五”期間，隨著儲能裝機規模的爆發式增長，對PCS的效率和功率密度要求將達到前所未有的高度 。

SiC功率器件的應用為PCS帶來了革命性的性能提升。實證數據顯示，在125 kW工商業儲能PCS中，以SiC模塊替代傳統IGBT模塊，可實現顯著的經濟效益 。

表1：SiC在125kW儲能PCS中的性能與經濟影響

指標	基于IGBT的PCS	基于SiC的PCS	量化提升
平均效率	約98%	>99%	提升1%+
模塊功率密度	基準	基準 x 1.25	提升25%+
系統尺寸 (示例)	780x220x485mm	680x220x520mm	體積更緊湊
系統初始成本	基準	降低5%	降低5%
投資回報周期	基準	縮短2-4個月	縮短2-4個月

在具體產品選型上，針對125 kW的PCS，系統設計者既可以選擇采用24顆1200V/13mΩ的SiC MOSFET分立器件（如B3M012C120Z）并聯的方案，也可以選擇采用4個1200V/5.5mΩ的SiC半橋功率模塊（如BMF240R12E2G3）的方案，體現了SiC技術應用的靈活性 。

儲能項目的盈利能力對往返效率和初始投資成本（CapEx）極為敏感。SiC帶來的超過1%的效率提升，在項目長達10-15年的生命周期內，通過能量套利和輔助服務能夠創造可觀的額外收入 。更重要的是，功率密度提升25%以上，直接降低了系統集成（BOS）成本，包括更小的機柜、更簡化的冷卻系統和更少的占地面積，而這些BOS成本占據了項目總成本的很大一部分。通過同時提升運營收入（效率）和降低初始投資（密度），SiC從根本上改善了儲能項目的商業模型，這將極大加速其在“十五五”期間的部署速度。

2.2 新能源發電（光伏與風電）

對于光伏和風電等新能源發電形式，逆變器是將直流電能轉換為交流電能并入電網的核心設備。逆變器的效率每提高一個百分點，就意味著同一套發電資產能夠向電網輸送更多的電量，這直接增加了項目運營商的收入，并降低了平準化度電成本（LCOE）。

SiC MOSFET憑借其卓越的高頻、高效性能，已成為新一代光伏逆變器的首選技術。例如，基本半導體的B3M020120ZL等型號被明確推薦用于光伏逆變器應用 。SiC器件的低開關損耗特性允許逆變器工作在更高的開關頻率，這使得內部的電感、電容等磁性元件可以做得更小、更輕，從而大幅提升逆變器的功率密度，降低制造成本和安裝難度

“十五五”期間，中國將繼續推進大規模新能源基地（如沙漠、戈壁、荒漠地區）和海上風電的建設 1。在這些動輒吉瓦級的項目中，系統效率的微小差異都會被放大。SiC逆變器帶來的效率提升直接增加了年發電量。同時，其高功率密度特性對于重量和空間極其敏感的海上風電平臺，以及空間有限的分布式屋頂光伏項目尤為關鍵。因此，SiC技術不僅是在提升效率，更是在通過降低單位瓦特的總安裝成本，加速可再生能源實現全面平價上網的進程。

2.3 電網基礎設施與電能質量

隨著高比例的逆變器并網，電網中的諧波污染問題日益突出，嚴重影響電能質量和電網穩定性。有源電力濾波器（APF）是解決這一問題的關鍵設備，其作用是實時補償諧波，凈化電網環境。

SiC器件的應用使APF的性能實現了跨越式發展。數據顯示，與傳統的IGBT方案相比，采用SiC的APF體積可減小超過50%，重量減輕超過40%，而整機效率則從普遍的97%左右提升至高達99% 。在產品選型上，一個150A的APF推薦使用3個SiC半橋模塊（如BMF240R12E2G3），展示了模塊化方案在電能質量設備中的應用潛力 。

電網的穩定性是國家能源安全的基石。“十五五”期間大規模的新能源接入，必然伴隨著巨大的電能質量治理需求。傳統APF設備笨重、損耗高，限制了其大規模部署。SiC技術帶來的性能飛躍，使得在變電站、工業園區、數據中心等關鍵節點大規模部署高效、緊湊的APF成為可能。更高的效率也意味著APF設備自身能耗更低，有助于降低電網的整體碳足跡。因此，基于SiC的APF是為新能源轉型“保駕護航”的關鍵技術裝備。

2.4 電氣化生態系統：充電設施與工業升級

電動汽車充電設施：為支撐日益增長的電動汽車保有量，“十五五”期間必然要求建設一個覆蓋廣泛、充電快速的高功率充電網絡 3。SiC器件是實現高效、高功率密度充電模塊的核心技術。對于一個60kW的雙向充電模塊，采用全SiC拓撲（例如使用3個BMF240R12E2G3模塊）已成為推薦方案，這有助于提升充電效率，縮小充電樁體積 。

工業應用升級：提升工業能效是國家節能減排戰略的重要組成部分。在逆變焊機等高頻工業設備中，SiC的優勢尤為突出。量化對比顯示，采用SiC（開關頻率70kHz）的焊機可輕松達到一級能效標準（效率>90%），而傳統IGBT焊機（開關頻率20kHz）通常只能達到二級能效（效率約86%）。這帶來了約9.8%的顯著節電效果，僅需運行60至110天，節省的電費就足以收回購買一臺新SiC焊機的成本 。

“十五五”的能源戰略不僅關注清潔發電，同樣重視降低終端能耗。電動汽車充電樁和工業焊機的案例生動地展示了SiC如何成為需求側能效提升的催化劑。對充電樁而言，更高的效率意味著更少的電能以熱量形式浪費，降低了充電網絡運營商的運營成本。對工業領域而言，焊機的例子提供了一個極具說服力的范本：SiC帶來的運營成本節約是如此顯著，以至于為工業設備的更新換代創造了極具吸引力的、快速的投資回報。這將推動一輪廣泛的工業電氣化和能效升級浪潮，從需求側為“雙碳”目標的實現做出重要貢獻。

第三章：SiC功率器件的關鍵價值：技術深度解析

3.1 SiC相較于硅的根本優勢

碳化硅之所以被譽為第三代半導體的核心材料，源于其遠超傳統硅材料的物理特性。這些特性賦予了SiC功率器件在性能上的代際優勢。

表2：碳化硅（SiC）與硅（Si）核心材料屬性對比

屬性	硅 (Si)	碳化硅 (4H-SiC)	倍數差異 (SiC vs. Si)	對功率器件的意義
禁帶寬度 ($E_g$)	1.12 eV	3.26 eV	$approx$ 3倍	更低漏電流，更高工作溫度，更低損耗
臨界擊穿場強 ($E_c$)	$approx$ 0.3 MV/cm	$approx$ 3.0 MV/cm	$approx$ 10倍	可制造更高耐壓、更薄、更低導通電阻的器件
熱導率 ($lambda$)	$approx$ 1.5 W/cm·K	$approx$ 4.5 W/cm·K	$approx$ 3倍	優異的散熱能力，簡化冷卻系統，提高可靠性
電子飽和漂移速率 ($v_{sat}$)	$approx$ 1.0 x $10^7$ cm/s	$approx$ 2.0 x $10^7$ cm/s	$approx$ 2倍	更快的開關速度，支持更高工作頻率

這些優越的材料特性，直接轉化為功率器件層面的性能飛躍，使得SiC器件能夠實現比硅器件更高的電壓、更高的頻率、更高的效率和更高的溫度，同時體積更小。

3.2 SiC MOSFET 與 Si IGBT：性能量化基準

在電力電子應用中，SiC MOSFET正逐步取代傳統的Si IGBT，成為中高壓領域的首選。其優勢可通過關鍵性能指標進行量化對比。

導通損耗 ($R_{DS(on)}$)：雖然IGBT在極高電流下的飽和壓降可能更低，但SiC MOSFET在絕大多數應用（如電動汽車）長時間運行的中低負載區間，表現出更低的導通電阻，從而具有更低的導通損耗 16。基本半導體的第三代（B3M）芯片相比前代和競爭對手，在導通電阻的一致性和溫度穩定性方面表現更優 。

開關損耗 ($E_{on}$, $E_{off}$)：這是SiC最核心的優勢。IGBT作為雙極型器件，在關斷時存在明顯的“拖尾電流”，導致巨大的關斷損耗 ($E_{off}$) 。而SiC MOSFET作為單極型器件，幾乎沒有拖尾電流，開關速度極快。

表3：SiC MOSFET與IGBT在高頻工業應用中的性能對比

應用場景	技術方案	開關頻率	單器件總損耗	系統效率
20kW 逆變焊機	Si IGBT	20 kHz	$approx$ 150 W	$approx$ 97.1% (2級能效)
20kW 逆變焊機	SiC MOSFET	80 kHz	$approx$ 80 W	> 98.6% (1級能效)

如上表所示，在逆變焊機應用中，將開關頻率從IGBT的20 kHz提升至SiC的80 kHz（提升4倍），單器件總損耗反而降低了近50% 12。具體到器件層面，基本半導體的B3M040120Z SiC MOSFET與業界領先的Cree（Wolfspeed）同類產品相比，其關斷損耗低30%，總開關損耗在室溫下低%，且在高溫下優勢更為明顯 。

品質因數 (FOM = $R_{DS(on)} times Q_G$)：該指標綜合了導通性能（$R_{DS(on)}$）和開關性能（柵極電荷$Q_G$）。更低的FOM值代表更優的綜合能效。基本半導體的B3M系列器件相比其上一代產品及主要競爭對手，展現出更優的FOM值，證明了其在技術上的進步 。

SiC的性能優勢并非在所有工況下都均等，其價值在需要高開關頻率的應用中被最大化。低開關損耗不僅直接節約了能量，更關鍵的是，它允許設計者將系統的工作頻率提升數倍。頻率的提升使得系統中的電感、電容等無源元件的體積、重量和成本得以大幅縮減。因此，SiC的顛覆性價值不僅在于器件本身的節能，更在于它所帶來的整個電力變換系統的成本、尺寸和重量的革命性優化。這正是其在光伏逆變器、車載充電機和各類電源中成為顛覆性技術的核心原因。

3.3 成熟的SiC生態系統：從芯片到解決方案

隨著產業的成熟，領先的SiC企業已不再僅僅是銷售分立器件，而是致力于提供完整、易用的系統級解決方案。

基本半導體的產品布局是這一趨勢的典型代表。其產品組合不僅覆蓋了核心的SiC MOSFET分立器件 12 和SiC肖特基二極管（SBD），還包括了采用行業標準封裝（如34mm、62mm、E1B、E2B）的高度集成的功率模塊 12。更重要的是，公司還提供了一系列關鍵的配套芯片，包括隔離柵極驅動芯片（如BTD5350MCWR）、驅動電源芯片（如BTP1521F）以及專用隔離變壓器（如TR-P15DS23-EE13），形成了一個完整的解決方案生態 。

一個完整的本土化解決方案生態系統，是推動SiC技術廣泛應用的關鍵加速器。由于SiC器件開關速度極快，其驅動設計和電路布局比傳統硅器件更為復雜，對電磁干擾（EMI）和電壓過沖的控制要求更高。通過提供經過充分測試和驗證的全套組件（芯片、模塊、驅動、電源），像基本半導體這樣的公司極大地降低了系統設計工程師的應用門檻。這種“交鑰匙”式的解決方案，不僅縮短了客戶產品的開發周期和上市時間，也確保了SiC芯片的優異性能能夠在最終系統中得到充分發揮。這種生態系統的成熟度，標志著中國SiC產業已經為迎接“十五五”期間的大規模市場應用做好了準備。

第四章：市場動態與競爭格局（2026-2030）

4.1 量化機遇：全球與中國市場預測

在電動汽車和新能源產業的強勁拉動下，全球SiC功率器件市場正迎來爆發式增長。

全球市場：根據Yole Group的預測，全球SiC功率器件市場規模將從2023年的27億美元增長至2029年的超過100億美元，復合年增長率（CAGR）約為25% 。其中，汽車應用預計將占據70%至80%的市場份額，成為最主要的增長引擎 。

中國市場：中國的SiC市場增速更為迅猛。據預測，2024年至2029年，中國SiC功率器件市場的年復合增長率將高達43.9%，市場規模預計在2029年達到428億元人民幣（約合60億美元）。屆時，SiC在中國整體功率器件市場的滲透率將從2024年的5.4%躍升至19.0% 。

表4：中國SiC功率器件市場預測（2024-2029年）

年份	市場規模（人民幣十億元）	年復合增長率 (CAGR)	在功率器件市場中的滲透率
2024 (E)	10.1	-	5.4%
2029 (P)	42.8	43.9% (2024-2029)	19.0%

“十五五”期間，SiC技術將在中國從一個新興的細分市場轉變為功率半導體的主流技術之一。屆時，中國單一市場的規模將可能超過幾年前的全球市場總量。2029年中國市場約60億美元的預測規模，已遠超2023年全球27億美元的市場體量 。這表明中國不僅是SiC產業的參與者，更將成為全球最核心的需求中心。由“十五五”能源與電動汽車政策驅動的龐大內需，為本土SiC企業提供了實現規模經濟、挑戰國際巨頭的獨特主場優勢。

4.2 本土力量崛起與國產化浪潮

在國家戰略的推動下，中國正在SiC全產業鏈上加速國產化進程，從上游的襯底材料到下游的器件和模塊，本土企業正在迅速崛起。

上游襯底材料：中國企業已在全球市場中占據重要地位。例如，天岳先進在2024年已成為全球第二大導電型SiC襯底供應商，市場份額達到22.8% 。

中下游器件與模塊：國內器件領域的競爭格局日趨活躍，涌現出包括IDM（整合元件制造商）、設計公司和代工廠在內的眾多參與者。基本半導體將自身定位為具備晶圓制造和模塊封裝能力的“第一梯隊”企業，在激烈的市場競爭中占據了有利位置 。

SiC產業已成為中國實現“科技自立自強”戰略的關鍵領域。目前，中國正采取雙軌并行的策略：一方面，大力扶持像天岳先進和基本半導體這樣的本土龍頭企業；另一方面，也積極推動如意法半導體（STMicroelectronics）等國際領軍企業在中國設立合資公司，實現本地化生產 。這一策略旨在快速提升國內的制造能力和技術水平。“十五五”期間，這意味著下游應用企業（如電動汽車制造商和電網公司）將擁有多個可供選擇的“本土”供應商，包括純內資企業和中外合資企業。這將加劇市場競爭，推動成本下降，并加速對進口硅基IGBT及國外SiC器件的替代，最終實現關鍵元器件供應鏈安全可控的國家戰略目標。

4.3 案例分析：基本半導體的戰略定位

基本半導體的發展路徑，是中國本土SiC企業成功戰略的一個縮影。

技術與產品：公司擁有清晰的技術路線圖，其第三代（B3M）SiC MOSFET產品在與Wolfspeed、英飛凌等國際巨頭的對標測試中，展現出極具競爭力的性能 。其全面的產品組合覆蓋了從分立器件到功率模塊，再到驅動和電源芯片的完整生態系統，能夠為客戶提供一站式解決方案 。

市場應用：公司已成功進入國內外多家主流汽車廠商和一級供應商的供應鏈，配套的多款車型已實現量產 12。在工業領域，其產品也已成為光伏、儲能、焊機等行業客戶的首選品牌之一 。

戰略協同：公司的股東結構中包含了中國中車、廣汽集團、三峽能源、深投控等關鍵領域的產業資本和國有資本，這表明其發展與國家戰略方向高度一致，能夠獲得來自產業鏈上下游和資本層面的強大支持 。

基本半導體的成功模式——以強大的研發實力為基礎，構建完整的產品生態，并與國家戰略性產業深度融合——為本土企業如何在“十五五”期間抓住歷史機遇、實現價值最大化提供了范本。該公司不僅是在銷售元器件，更是將自身嵌入到中國最具戰略意義的產業鏈（汽車、軌道交通、新能源）之中。與主流車企的深度合作，為其帶來了長期、穩定的大批量訂單，這不僅是銷售收入，更是支撐其持續進行技術研發和產能擴張的基石。這種與下游“國家隊”企業形成的共生關系，構建了強大的競爭壁壘。

第五章：戰略展望與建議

5.1 未來五年的關鍵趨勢（2026-2030）

向8英寸晶圓過渡：為降低成本，全行業將加速從6英寸向8英寸SiC晶圓的遷移。中國襯底供應商在此領域已展現出強大的潛力，甚至開始演示12英寸技術，這將成為未來成本競爭的關鍵 。

成本競爭加劇：隨著更多本土廠商產能的釋放，尤其是在工業級市場，價格競爭將日趨激烈。能否在要求高可靠性的汽車和電網領域鎖定長期訂單，將是決定企業盈利能力的關鍵。

供應鏈全面國產化：從SiC粉料、外延生長到芯片制造和模塊封裝，構建完全自主可控的供應鏈將是“十五五”期間的重中之重，也是衡量產業發展成功與否的核心指標。

模塊級創新：競爭的焦點將進一步從分立器件轉向高度集成的智能功率模塊。這些模塊將集成驅動、傳感、保護和先進散熱技術，以最大化SiC在系統層面的價值。

5.2 對行業相關方的建議

深圳市傾佳電子有限公司（簡稱“傾佳電子”）是聚焦新能源與電力電子變革的核心推動者：
傾佳電子成立于2018年，總部位于深圳福田區，定位于功率半導體與新能源汽車連接器的專業分銷商，業務聚焦三大方向：
新能源：覆蓋光伏、儲能、充電基礎設施；
交通電動化：服務新能源汽車三電系統（電控、電池、電機）及高壓平臺升級；
數字化轉型：支持AI算力電源、數據中心等新型電力電子應用。
公司以“推動國產SiC替代進口、加速能源低碳轉型”為使命，響應國家“雙碳”政策（碳達峰、碳中和），致力于降低電力電子系統能耗。
需求SiC碳化硅MOSFET單管及功率模塊，配套驅動板及驅動IC，請添加傾佳電子楊茜微芯（壹叁貳 陸陸陸陸 叁叁壹叁）

對于投資者：應重點關注那些具備明確規模化路徑、與下游戰略產業（電動汽車、電網、儲能）深度綁定，并擁有核心技術護城河（如襯底生長技術、先進封裝工藝）的企業。從上游材料到下游器件的整個價值鏈都存在投資機會 。

對于SiC制造商：必須持續加大研發投入，保持技術領先（如溝槽柵MOSFET、更低導通電阻）。圍繞核心器件構建完善的“解決方案生態”，降低客戶的應用門檻。同時，與國內優質襯底供應商簽訂長期供貨協議，以鎖定成本并保障產能擴張的順利進行。

對于系統集成商（PCS、逆變器、車企等）：應積極與國內領先的SiC供應商建立戰略合作關系，共同設計下一代電力電子系統。充分利用SiC高頻、高密度的系統級優勢，打造具有更低全生命周期成本和更高性能的差異化產品。

對于政策制定者：在繼續通過研發項目（如“揭榜掛帥”）支持技術創新的同時，應將政策重心更多地向需求側傾斜。例如，制定和推行鼓勵高能效設備的標準，并在電力輔助服務等市場機制中，為SiC系統所具備的快速響應能力提供應有的價值回報，從而通過市場化手段引導技術升級 。

審核編輯 黃宇