STMicroelectronics TSB181/TSB182超高精度運算放大器是精度極高、零點漂移、單或雙運算放大器。TSB181/TSB182的最大輸入失調電壓為20μV。該器件在擴展電源電壓范圍內工作,軌至軌輸出。TSB181/TSB182具有出色的速度/功耗比率,具有3MHz增益帶寬積,而在廣泛的電源電壓范圍內,每個運算放大器通常消耗650μA電流。
數據手冊;*附件:STMicroelectronics TSB181,TSB182超高精度運算放大器數據手冊.pdf
STMicro TSB181/TSB182的工作溫度范圍為-40°C至+125°C,因此該器件非常適合工業和汽車應用,并已通過相關認證。由于封裝尺寸小,TSB181/TSB182可用于PCB空間有限的應用。因此,PCB的總體成本降低。
特性
- 超低失調電壓:20μV(25°C時,最大值)
- 軌到軌輸出
- 寬電源電壓范圍:4V至36V
- 增益帶寬乘積:3MHz
- 轉換率:2V/μs
- 低噪聲:24nV/√Hz
- EMI硬化
- 對4kV HBM ESD的高容差
- 擴展溫度范圍:-40°C至+125°C
- 符合AEC-Q100標準
引腳連接(俯視圖)

TSB182:超高精度、零漂移、36V 運算放大器的理想之選
在現代工業、汽車和電源管理等應用場景中,對運算放大器的精度、穩定性和功耗提出了越來越高的要求。STMicroelectronics 推出的 TSB182 正是一款針對這些需求設計的高性能、超高精度雙運放,具備極低的失調電壓、寬電壓工作范圍和優異的抗干擾能力,非常適合高精度信號調理和測量系統。
一、關鍵特性概覽
TSB182 的核心優勢體現在以下幾個方面:
- 超高精度 :輸入失調電壓最大僅為 20 μV (25°C),在全溫度范圍內(-40°C 至 125°C)也保持在 30 μV 以內。
- 零漂移架構 :失調電壓漂移低至 30 nV/°C ,確保在寬溫范圍內保持穩定性能。
- 寬電源電壓范圍 : 4V 至 36V ,適用于工業與汽車電源環境。
- 軌到軌輸出 :輸出動態范圍大,接近供電軌。
- 高帶寬與低噪聲 :增益帶寬積為 3 MHz ,輸入電壓噪聲密度為 24 nV/√Hz (@1kHz)。
- 低功耗 :每通道靜態電流典型值為 650 μA 。
- 強健性 :具備 4 kV HBM ESD 保護與良好的 EMI 抗擾度。
二、典型應用場景
TSB182 適用于以下高要求的應用領域:
其小封裝(SO8、MiniSO8)也使其非常適合空間受限的 PCB 設計。
三、電氣性能亮點
在不同電源電壓下(5V、12V、36V),TSB182 均表現出色:
- 共模抑制比(CMRR) :最高達 150 dB
- 電源抑制比(PSRR) :最高達 138 dB
- 開環增益 :典型值 130 dB 以上
- 輸出電流能力 : sink/source 電流均超過 20 mA
- 建立時間 :在 10V 步進下僅需 7 μs (0.1%精度)
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