STMicroelectronics TSZ151/TSZ152低失調電壓運算放大器是單（TSZ151）、雙（TSZ152）運算放大器，失調電壓非常低，在溫度變化時漂移幾乎為零。此系列器件具有軌到軌輸入和輸出、出色的速度/功耗比，以及1.6MHz的增益帶寬積，在5V時僅消耗210μA的電流。該器件還具有超低輸入偏置電流。得益于以上特性，STMicroelectronics TSZ151/TSZ152非常適合用于高精度傳感器接口。

數據手冊;*附件：STMicroelectronics TSZ151，TSZ152低失調電壓運算放大器數據手冊.pdf

特性

• 極高精度和穩定性；失調電壓
  • 7μV（最大值，+25°C時）
  • 10μV（整個溫度范圍內）
• 高精度，無需校準，幾乎不受溫度變化影響
• 軌到軌輸入和輸出
• 低電源電壓：1.8V至5.5V
• 低功耗：210μA（5V時）
• 增益帶寬積：1.6MHz
• 擴展溫度范圍：-40°C至+125°C
• SC70-5或SOT23-5封裝選項
• 符合AEC-Q100標準

示意圖

TSZ151/TSZ152高精度零漂移運算放大器技術解析

一、產品概述與核心特性

STMicroelectronics推出的TSZ151（單通道）和TSZ152（雙通道）運算放大器代表了高精度信號調理技術的重大突破。該系列產品在1.8V至5.5V的寬電源電壓范圍內工作，具備以下突出特性：

?核心精度指標?

• 輸入失調電壓最大值7μV（25℃）和10μV（全溫度范圍-40℃至125℃）
• 輸入偏置電流低至100pA（典型值）
• 增益帶寬積1.6MHz
• 靜態電流僅210μA（5V供電時）

?獨特技術優勢?
該器件采用零漂移架構，實現軌到軌輸入輸出操作，特別適合需要高精度而無需校準的應用場景。

二、電氣特性深度分析

2.1 直流性能卓越表現

在工作電壓5V、室溫25℃條件下，TSZ151/TSZ152展現出卓越的直流參數特性：

• ?開環增益?：典型值131dB（TSZ151）、134dB（TSZ152）
• ?共模抑制比?：典型值140dB（TSZ151）、140dB（TSZ152）
• ?電源抑制比?：典型值120dB

2.2 交流性能參數

• ?壓擺率?：0.8V/μs（典型值）
• ?相位裕度?：60°（典型值）
• ?輸入電壓噪聲密度?：27nV/√Hz（f=1kHz時）
• ?EMI抑制比?：在400MHz至2400MHz頻率范圍內達到80-91dB的高抑制能力

三、封裝選項與引腳配置

TSZ151/TSZ152提供多種封裝選擇，滿足不同應用場景需求：

?TSZ151單運放配置?

• SC70-5封裝：IN+、VCC-、IN-、OUT、VCC+
• SOT23-5封裝：OUT、VCC-、IN+、IN-、VCC+

?TSZ152雙運放配置?
提供SO8、MiniSO8和DFN8 2x2等多種封裝選項，每種封裝都針對特定應用優化了引腳排布。

四、典型應用場景

4.1 高精度低邊電流檢測

在電源管理系統中，TSZ151/TSZ152的低失調電壓特性使其成為電流檢測應用的理想選擇。通過使用差分放大器配置，能夠精確測量分流電阻上的小電壓降。

?應用優勢?

• 相比通用運放，可在相同精度要求下選擇更小阻值的分流電阻
• 降低功率損耗和接地路徑壓降
• 顯著降低系統成本

五、PCB布局與設計建議

5.1 關鍵設計指導

• ?電源和接地布線?：采用短而寬的PCB走線以最小化電壓降和寄生電感
• ?多通孔技術?：在多個位置連接底層和頂層接地平面
• ?去耦電容?：在運放電源引腳附近放置至少22nF的去耦電容
• ?熱管理?：最大結溫150℃，需計算PD = (VCC × ICC) + (VCC+ - VOUT) × IOUT等參數

六、技術亮點與創新價值

6.1 溫度穩定性突破

在-40℃至125℃的寬溫度范圍內，輸入失調電壓變化極小，確保系統在整個工作溫度范圍內的精度保持。

6.2 汽車級認證

產品通過AEC-Q100認證，特別適合汽車電流測量和傳感器信號調理等嚴苛環境應用。