DRV814x-Q1系列設(shè)備是一款完全集成的半橋驅(qū)動器，適用于各種汽車應(yīng)用。該功率封裝中的單片器件系列采用BiCMOS高功率工藝技術(shù)節(jié)點設(shè)計，具有出色的功率處理和熱性能，同時提供緊湊的封裝尺寸、易于布局、EMI控制、精確的電流感測、魯棒性和診斷能力。該系列提供相同的引腳功能，具有可擴(kuò)展的RON（電流能力），以支持不同的負(fù)載。
這些器件集成了N溝道半橋、電荷泵調(diào)節(jié)器、帶調(diào)節(jié)的高壓側(cè)電流傳感、電流比例輸出和保護(hù)電路。提供低功率睡眠模式以實現(xiàn)低靜態(tài)電流。這些設(shè)備提供電壓監(jiān)測和負(fù)載診斷，以及過電流和過溫保護(hù)功能。故障狀態(tài)顯示在nFAULT引腳上。DRV8143和DRV8145有三種變體-硬連線接口：HW（H）和兩種SPI接口變體：SPI（P）和SPI（S），SPI（P。DRV8144僅提供兩種變體：SPI（S）和HW（H）。SPI接口變體在設(shè)備配置和故障可觀察性方面提供了更大的靈活性。
*附件：drv8144-q1.pdf

特性

AEC-Q100符合汽車應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)：
溫度等級1：-40°C至+125°C，TA
功能安全能力
可用于輔助功能安全系統(tǒng)設(shè)計的文件
4.5V至35V（最大40V絕對值）工作范圍
VQFN-HR封裝中的SPI（S）或HW（H）變體：RON_LS+RON_HS:23.6mΩ
欠條最大=30A
PWM頻率操作高達(dá)125KHz，具有自動死區(qū)時間斷言功能
可配置的轉(zhuǎn)換速率和擴(kuò)頻時鐘，實現(xiàn)低電磁干擾（EMI）
集成電流感測（消除分流電阻器）
IPROPI引腳上的比例負(fù)載電流輸出
可配置的電流調(diào)節(jié)
具有可配置故障反應(yīng)（鎖定或重試）的保護(hù)和診斷功能
在關(guān)閉狀態(tài)和打開狀態(tài)下進(jìn)行負(fù)載診斷，以檢測開路負(fù)載和短路
電源（VM）和電荷泵（VCP）的電壓監(jiān)測
過流保護(hù)
超溫保護(hù)
nFAULT引腳上的故障指示
支持3.3V、5V邏輯輸入
低睡眠電流-25°C時典型值為1μA

參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?
DRV8144-Q1是德州儀器（TI）推出的汽車級半橋驅(qū)動器，集成電流檢測與診斷功能，適用于4.5V至35V（最大40V）工作電壓范圍，支持30A最大輸出電流。其核心特性包括：

• ?AEC-Q100認(rèn)證?：滿足車規(guī)級溫度要求（-40°C至125°C）。
• ?高集成度?：內(nèi)置電荷泵、高低邊MOSFET（總導(dǎo)通電阻23.6mΩ）、電流檢測（無需外部分流電阻）及IPROPI比例電流輸出。
• ?保護(hù)功能?：過流（OCP）、過溫（TSD）、負(fù)載診斷（開/短路檢測）、電壓監(jiān)控（VM/VCP）。
• ?接口選項?：提供SPI(S)和HW(H)兩種配置變體，支持靈活控制與診斷反饋。

?2. 關(guān)鍵特性?

• ?電流檢測?：通過IPROPI引腳輸出與負(fù)載電流成比例的模擬信號，支持外部ADC讀取。
• ?可編程參數(shù)?：
  • 可配置的PWM頻率（最高125kHz）和死區(qū)時間。
  • 8級壓擺率控制（SPI變體）以優(yōu)化EMI性能。
  • 電流調(diào)節(jié)（ITRIP）閾值與關(guān)斷時間可設(shè)。
• ?診斷功能?：
  • 靜態(tài)（OLP）與動態(tài)（OLA，僅SPI變體）負(fù)載診斷。
  • 故障指示通過nFAULT引腳或SPI寄存器（SPI變體）。

?3. 應(yīng)用場景?

• 汽車直流有刷電機(jī)、電磁閥（如車門模塊、雨刮器、座椅控制）。
• 燃油/水泵、車載充電器等車身控制模塊（BCM）。

?4. 封裝與型號?

• ?封裝?：VQFN-HR（16引腳，3mm×6mm）。
• ?型號差異?：DRV8144-Q1家族包含不同導(dǎo)通電阻（RON）和電流能力的型號（如DRV8143/8145），詳見設(shè)備對比表。

?5. 保護(hù)機(jī)制?

• ?故障反應(yīng)模式?：支持鎖存（Latch）或自動重試（Retry），可通過DIAG引腳（HW）或寄存器（SPI）配置。
• ?電壓監(jiān)控?：VM過壓/欠壓、電荷泵欠壓（CPUV）觸發(fā)保護(hù)。

?6. 設(shè)計支持?

• ?典型電路?：需外接VM去耦電容（0.1μF+10μF）、VCP電容（1μF）及IPROPI電阻（500-5kΩ）。
• ?布局建議?：優(yōu)先縮短高電流路徑，優(yōu)化散熱設(shè)計（參考熱阻參數(shù)RθJA=42.5°C/W）。

?7. 文檔結(jié)構(gòu)?
數(shù)據(jù)手冊包含詳細(xì)電氣特性、時序圖、寄存器映射（SPI變體）及典型應(yīng)用電路，支持功能安全系統(tǒng)設(shè)計。