BD9A100MUV是內置低導通電阻的功率MOSFET的同步整流降壓型開關穩壓器。最大可輸出1A的電流。憑借SLLM?控制,實現輕負載狀態的良好效率特性,適用于要降低待機功耗的設備。振蕩頻率1MHz的高速產品,適用于小型電感。是電流模式控制DC/DC轉換器,具有高速瞬態響應性能,可輕松設定相位補償。
主要規格
型號 | BD9A100MUV-E2
封裝 | VQFN016V3030
包裝形態 | Taping
包裝數量 | 3000
最小獨立包裝數量 | 3000
RoHS | Yes
尺寸圖

特點
- 同步單相直流 / 直流轉換器
- SLLM?(簡單輕載模式)控制
- 過流保護
- 短路保護
- 熱關斷保護
- 欠壓鎖定保護
- 可調軟啟動功能
- 電源正常輸出
- VQFN16V3030 封裝(背面散熱)
核心功能與工作機制
1. 雙模控制技術(SLLM?+PWM)
- SLLM?控制(輕載模式) :當負載電流較小時(如幾十 mA),自動切換為非連續導通模式,減少開關次數以降低開關損耗,提升輕載效率(如圖 22-24,輕載時效率比固定 PWM 模式高 10%-20%)。
- PWM 控制(重載模式) :負載電流較大時(如>0.1A),采用固定頻率 PWM(1MHz 典型值),通過電流模式控制實現高速瞬態響應,輸出電壓穩定性更高。
2. 軟啟動與電源良好(PGD)功能
- 軟啟動 :通過 SS 引腳外接電容調節啟動時間,公式為
T_SS = (C_SS × V_FB) / I_SS(I_SS 典型 1.8μA),默認開路時啟動時間 1ms,可抑制啟動浪涌電流與輸出過沖。 - PGD(電源良好) :開漏輸出引腳,需外接 10kΩ-100kΩ 上拉電阻。當 FB 電壓在 0.8V±7% 范圍內時,PGD 輸出高電平(表示電源正常);超出 ±10% 時拉低(故障提示),具備 3% 滯回特性避免誤觸發。
3. 多重保護機制
| 保護類型 | 觸發條件(典型值) | 動作方式 | 恢復方式 |
|---|---|---|---|
| 短路保護(SCP) | FB<0.4V 且持續 1ms | 關斷高低端 MOSFET,暫停 16ms 后重啟 | 自動重啟(打嗝模式) |
| 過壓保護(OVP) | FB>0.88V | 關斷高端 MOSFET,導通低端泄放電壓 | 輸出電壓下降后自動恢復 |
| 過熱保護(TSD) | 結溫 Tj>175℃ | 關斷所有輸出,進入待機 | Tj 降至 150℃以下自動恢復 |
| 欠壓鎖定(UVLO) | AVIN<2.45V | 關斷輸出,禁止啟動 | AVIN 升至 2.55V 以上恢復 |
| 過流保護(OCP) | 高端 MOSFET 電流>2.5A | 周期 - by - 周期限制電流,不鎖存 | 電流降至閾值以下自動恢復 |
總結
BD9A100MUV 作為一款高集成度同步降壓 DC/DC 轉換器,憑借 2.7V-5.5V 的寬輸入范圍、1A 的輸出能力及 SLLM?雙模控制技術,在輕載與重載場景下均能實現高效供電,尤其適配數字芯片、消費電子等對效率與空間要求較高的設備。其完善的多重保護機制與易配置的相位補償特性,降低了設計復雜度;緊湊的 VQFN 封裝與優化的散熱設計,進一步提升了工程應用的靈活性。在實際設計中,需重點關注 PCB 布局的電流環路與接地隔離,結合輸出電壓需求合理選型外部元件,并遵循散熱降額要求,以確保器件穩定可靠運行。
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