仁懋產品T9166T特點

低導通阻抗Rds(on):6.7(type)

內置體二極管反向恢復時間148ns

超低反向電容Crss低至346pf@40V

高浪涌能量EAS達2500mJ

外掛仁懋MOT9166T的N MOS

寬工作溫度范圍:-55~175℃

采用 trench工藝使得Id可達81A@100℃

封裝:擁有8腳TOLL以及TOLT雙面散熱等封裝可實現P 2 P

能實現在浪涌事件中不間斷供電，實現負載系統的可持續運行

MOT9166T應用領域

電機、BMS系統

高壓直流配電系統

工業、汽車系統浪涌保護

主要參數——外掛仁懋MOT9166T的優點

1. 高EAS

仁懋MOT9166T具高EAS特點，其高達2500mJ 的EAS是的，其在電機、BMS、浪涌防護等需要高浪涌能量承受能力的應用場景中如魚得水；

2.低導通阻抗

仁懋MOT9166T具有低導通阻抗的特點，使得其在搭配LTC433組成主動浪涌防護電路時，能夠進一步降低整個系統能耗提高功率轉換；

3.低反向傳輸電容

仁懋MOT9166T具有低反向傳輸電容，這是的仁懋MOT9166T在過壓事件中能夠實現快速電壓鉗位進而保護后級電路；

4.電流部分

仁懋MOT9166T具有高達114A@25℃以及81A@100℃的導通電流，這使得仁懋MOT9166能在各式各樣環境實現高功率應用

5.工作環境溫度

仁懋MOT9166T具有寬工作溫度特點，這使得能在相對惡劣環境中也能應用自如；

6.封裝

仁懋MOT9166T具有擁有8腳TOLL以及TOLT雙面散熱等先進封裝既可實現傳統TOLL的P 2 P，同時也能實現高散熱性。

仁懋電子公司介紹

?東仁懋電?有限公司創始于2011年，是國內知名的半導體封裝測試?新技術企業，國家級專精特新企業“?巨?”企業，深圳市瞪羚企業，致?于為全球電?制造企業提供優質半導體元器件產品。發展?今，仁懋電?擁有兩??產基地：珠三?惠州?及?三?江蘇鹽城?，建筑?積為60000平??，?前封裝測試?間?積為40000平?，主要封裝形式為SOT、TO系列、PDFN產品封裝。隨著公司的投?和?藝技術不斷優化，品質穩步提升，先后與業界知名企業建?戰略合作關系，已發展

成為全國頗具競爭?的功率器件封測企業。