Texas Instruments TAS2780數(shù)字輸入單聲道D類音頻放大器經(jīng)過優(yōu)化,可有效地將高峰值功率驅(qū)動到小型揚聲器中。該款D類放大器在18V電源電壓下為4Ω負載提供25W連續(xù)功率,THD+N小于1%。該器件具有寬電壓輸入范圍和高輸出功率,非常適合用于電池或線路供電系統(tǒng)。
數(shù)據(jù)手冊:*附件:Texas Instruments TAS2780數(shù)字輸入單聲道D類音頻放大器數(shù)據(jù)手冊.pdf
TI TAS 2780數(shù)字輸入單聲道D類音頻放大器可用作傳統(tǒng)放大器或采用基于主機的揚聲器保護算法。集成的揚聲器電壓和電流檢測允許通過返回I^2^S路徑向保護算法提供揚聲器條件的實時反饋。
TAS2780Y橋電源構(gòu)架通過內(nèi)部選擇電源來實現(xiàn)最佳余量,從而提高效率。此外,具有多個閾值的掉電預(yù)防方案可在電源下降時降低信號路徑增益。多達八個TAS2780器件可以通過I^2^S/TDM + I^2^C接口共享公共總線。
TAS2780采用30引腳HR-QFN封裝,實現(xiàn)緊湊的PCB占位。
特性
- 主要特性
- 23V電源,用于D類輸出級
- Y橋多級電源架構(gòu)
- 擴頻控制
- 超聲波輸出支持高達40kHz
- 輸出功率:
- 25W, 1% THD+N (4Ω, 18V)
- 最大輸出功率:30W,10% THD+N
- 效率 (1% THDN) 和功耗
- 83%(1W、4Ω、PVDD=12V、VBAT1S=3.8V時)
- 83%(1W、8Ω、PVDD=18V、VBAT1S=5V時)
- 85%(1W、4Ω、PVDD=18V、VBAT1S=5V時)
- 85%(15W、4Ω、PVDD=18V、VBAT1S=5V時)
- 93%(1W、8Ω、PVDD=18V、VBAT1S=5V時)
- 硬件關(guān)斷模式下<0.5μA
- 電源和管理:
- 3V至23V PVDD
- 2.7V至5.5V VBAT1S
- 1.8V AVDD
- 1.8V/3.3V IOVDD
- 接口和控制:
- 集成揚聲器管理、保護和EMI:
- 實時IV-sense,用于揚聲器保護
- 短路和開路負載保護
- 熱保護和過流保護
- 帶功率限制器的掉電保護
- 過功率和低電池保護
- PVDD和VBAT1S電源跟蹤限制器
- 熱折返
- 后置濾波器反饋
- 輸出轉(zhuǎn)換率控制
框圖

TAS2780數(shù)字輸入單聲道D類音頻放大器技術(shù)解析
一、產(chǎn)品概述
TAS2780是德州儀器(TI)推出的一款高性能數(shù)字輸入單聲道D類音頻放大器,專為高效驅(qū)動揚聲器而優(yōu)化。該器件采用先進的Y-Bridge多級電源架構(gòu),集成了揚聲器IV(電流/電壓)檢測功能,適用于筆記本電腦、智能音箱、平板電腦和無線音箱等應(yīng)用場景。
關(guān)鍵特性包括:
- 工作電壓范圍:PVDD 3V至24V,VBAT1S 2.7V至5.5V
- 輸出功率:25W(4Ω, 18V, 1% THD+N),最大30W(10% THD+N)
- 高效率:85%@15W(4Ω, 18V)
- 集成揚聲器保護功能(實時IV檢測、短路/開路保護等)
- 支持I2S/TDM(8通道32位,最高96kSPS)和I2C接口
二、核心技術(shù)解析
1. Y-Bridge電源架構(gòu)
TAS2780采用創(chuàng)新的Y-Bridge電源架構(gòu),可智能選擇PVDD或VBAT1S供電以獲得最佳性能:
- 高壓PVDD用于大功率輸出
- 低壓VBAT1S用于小信號時提高效率
- 自動切換機制確保無縫過渡
2. 實時IV檢測技術(shù)
器件集成了高精度電壓和電流檢測ADC(16位分辨率),可實時監(jiān)測揚聲器狀態(tài):
- 電壓檢測范圍:16Vpk
- 電流檢測范圍:5A
- 動態(tài)范圍:70dB(電流),75dB(電壓)
- 支持后濾波器反饋(PFFB)補償外部濾波器的電壓降
3. 高級保護功能
TAS2780提供全面的保護機制:
- ?電源管理?:Brownout預(yù)防、過功率/低電池保護
- ?熱保護?:熱折返(142°C關(guān)斷)和熱梯度檢測
- ?負載保護?:短路/開路檢測、過流保護(6.6A max)
- ?時鐘監(jiān)控?:自動檢測無效的SBCLK/FSYNC比率
三、典型應(yīng)用設(shè)計
1. 電源配置方案
器件支持多種工作模式:
- ?PWR_MODE0?:僅使用PVDD供電
- ?PWR_MODE1?:Y-Bridge模式(高功率VBAT1S)
- ?PWR_MODE2?:Y-Bridge模式(低功率VBAT1S)
- ?PWR_MODE3?:超聲波應(yīng)用專用模式
2. 布局建議
關(guān)鍵布局注意事項:
- 使用寬走線處理大電流路徑(PVDD/VBAT1S/輸出)
- PGND直接連接至地平面
- VSNS_P/N應(yīng)盡量靠近揚聲器連接
- 自舉電容盡可能靠近BST引腳
- 去耦電容靠近電源引腳放置
3. 外部元件選擇
推薦使用:
- VBAT1S去耦電容:10μF(X7R)
- PVDD去耦電容:100nF+22μF(X7R)
- 可選EMI濾波器:120Ω@100MHz鐵氧體磁珠
- 自舉電容:100nF(6V)
四、性能表現(xiàn)
實測性能數(shù)據(jù)(18V PVDD, 4Ω負載):
- ?THD+N?:<0.01%(1W), <1%(25W)
- ?效率?:83%@1W, 89%@15W
- ?PSRR?:>110dB(217Hz)
- ?待機電流?:<0.5μA(硬件關(guān)斷)
五、應(yīng)用場景推薦
- ?高端筆記本電腦?:利用其高效率和緊湊封裝(4mm×3.5mm HR-QFN)
- ?智能音箱?:發(fā)揮實時IV檢測和高級保護功能優(yōu)勢
- ?便攜式設(shè)備?:低電壓工作(最低3V PVDD)適合電池供電
- ?超聲波應(yīng)用?:專用模式支持高達40kHz輸出
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