在現代航天技術領域,電子設備的可靠性和抗輻射能力至關重要。隨著航天任務的復雜性和重要性不斷增加,對于電子元件的要求也在不斷提高。本文通過對ASM1042S2S CANFD收發器的質子單粒子效應試驗以及在軌性能表現的詳細分析,全面闡述其在高能粒子環境下的穩定性和可靠性,為該型號收發器在航天領域的應用提供參考。本文還通過與其他抗輻照芯片的性能對比分析,進一步強調了ASM1042S2S在航天電子系統中的應用優勢。
一、引言
在空間環境的復雜輻射條件下,電子元件可能會受到單粒子效應(Single Event Effects, SEE)的影響而導致功能異常、數據錯誤甚至永久性損壞。單粒子效應主要由高能粒子(如質子、重離子)與半導體器件相互作用引起。為了確保航天電子系統在軌運行的可靠性,對關鍵電子元件進行單粒子效應試驗具有重要意義。ASM1042S2S作為一款面向航天應用的高性能CANFD收發器,其設計初衷是滿足高速數據傳輸和高抗輻照能力的雙重需求。
本文結合ASM1042S2S CANFD收發器的質子單粒子效應試驗以及在軌應用實測數據,詳細探討了其在高能質子輻照環境下的穩定性和可靠性,并分析了其在軌運行中的性能表現。
二、技術背景
CANFD通信技術的發展
控制器局域網絡(CAN)協議是一種廣泛應用于汽車、工業自動化和航空航天領域的串行通信協議。隨著數據傳輸需求的增加,CAN FD(Flexible Data-rate)協議應運而生。CAN FD協議在保持與傳統CAN協議兼容的基礎上,支持更高的數據傳輸速率,能夠有效提升系統傳輸效率,滿足現代復雜電子系統對數據通信的高效要求。
ASM1042S2S CANFD收發器正是基于CAN FD協議研發的高性能通信芯片,其支持5Mbps的數據傳輸速率,符合ISO 11898-2(2016)高速CAN物理層標準,適用于多種復雜通信環境。
空間輻射環境對電子元件的影響
空間輻射環境包含多種高能粒子,如質子、電子和重離子等。這些高能粒子能夠穿透電子元件的封裝材料,與半導體材料相互作用,產生多種單粒子效應,包括單粒子鎖定(SEL)、單粒子翻轉(SEU)、單粒子功能中斷(SEFI)等。這些效應可能導致電子元件的性能下降或功能失效,對航天任務的安全性和可靠性構成威脅。
因此,對電子元件進行抗輻射性能評估,尤其是在實際空間輻射環境下的單粒子效應試驗,是保障航天電子系統可靠運行的重要環節。
質子單粒子效應試驗的重要性
質子作為空間輻射環境中的主要高能粒子之一,對電子元件的性能具有顯著影響。質子單粒子效應試驗能夠模擬空間質子輻射環境,對電子元件的抗輻射能力進行評估,確定其在空間環境下的可靠性。
通過質子單粒子效應試驗,可以研究質子能量、注量等參數對電子元件性能的影響,為航天電子系統的設計提供重要依據。
三、ASM1042S2S CANFD收發器的質子單粒子效應試驗
試驗目的
本次質子單粒子效應試驗旨在評估ASM1042S2S CANFD收發器在高能質子輻照環境下的抗單粒子效應能力,確定其在空間輻射環境中的可靠性。
試驗條件
試驗在中國原子能科學研究院100MeV質子回旋加速器上進行。質子能量為100MeV,注量率為1e7,總注量達到1e10。試驗過程中,利用USBCAN-FD接收CANFD數據,監測CANFD工作狀態。
試驗過程
試驗樣品為ASM1042S2S型CANFD收發器。試驗前,對樣品進行常溫測試,以確認試驗樣品參數、功能正常。
在輻照過程中,實時監測樣品的工作電流和通信功能。工作電流測試采用DC電源對ASM1042S2S提供5V供電,并用萬用表對工作電流進行實時監測。功能測試則通過USBCANFD分析儀持續對ASM1042S2S進行數據收發測試,對回讀數據進行比對,實時輸出錯誤計數。
試驗結果
試驗結果顯示,在100MeV質子輻照條件下,總注量達到1e10時,ASM1042S2S型CANFD收發器功能正常,未出現單粒子效應,包括單粒子鎖定(SEL)和單粒子翻轉(SEU)。
四、ASM1042S2S CANFD收發器的在軌性能表現
在軌應用情況
ASM1042S2S芯片已在地質遙感智能小衛星TY29“天儀29星”(2025年5月發射)和光學遙感衛星TY35“天儀35星”(2025年5月發射)中搭載應用。該芯片作為抗輻照CANFD接口芯片,接口速率為5Mbps,SEU閾值≥75 MeV·cm2/mg或10??次/器件·天,SEL閾值≥75 MeV·cm2/mg,應用于通信系統數據傳輸。
在軌性能表現
自2025年5月進入太空以來,ASM1042S2S芯片運行正常,接口通信穩定,功能和性能滿足衛星在軌應用需求。具體表現為:
在復雜的空間輻射環境下,芯片未出現單粒子鎖定(SEL)或單粒子翻轉(SEU)現象,通信數據完整性得到保障;
芯片的通信速率穩定在5Mbps,滿足衛星通信系統對數據傳輸效率的要求;
在軌運行期間,芯片的各項性能參數均保持在設計范圍內,未出現異常波動或性能下降的情況。
五、技術分析與討論
質子單粒子效應的物理機制
質子單粒子效應主要是由于高能質子與半導體材料相互作用,產生電離和位移損傷。電離效應會導致器件內部產生額外的電荷,可能引起單粒子鎖定(SEL)或單粒子翻轉(SEU)等現象。位移損傷則可能改變器件的電學性能,影響其長期可靠性。
在本次試驗中,ASM1042S2S芯片在高能質子輻照下表現出良好的抗輻射性能,這主要得益于其內部電路設計和工藝優化。芯片采用了先進的半導體制造工藝和抗輻射設計技術,能夠有效降低高能粒子對器件性能的影響。
抗輻射設計策略
為了提高電子元件的抗輻射能力,通常采用以下幾種設計策略:
器件結構優化:通過增加器件的臨界電荷、優化器件的幾何結構等方法,提高器件對單粒子效應的不敏感性;
材料選擇:采用具有高抗輻射性能的半導體材料和封裝材料,減少高能粒子對器件的損傷;
冗余設計:在電路中引入冗余單元,當某一單元受到單粒子效應影響時,冗余單元能夠接替工作,保證系統的正常運行;
軟件容錯:通過軟件算法對數據進行校驗和糾錯,降低單粒子效應導致的數據錯誤對系統的影響。
ASM1042S2S CANFD收發器在設計過程中綜合考慮了上述抗輻射策略,通過優化器件結構、選用高性能材料以及引入冗余設計等措施,顯著提高了其抗輻射性能。
在軌運行環境的復雜性
盡管地面試驗能夠模擬部分空間輻射環境,但在軌運行環境的復雜性遠超地面試驗條件。在實際在軌運行過程中,電子元件不僅要面對高能粒子的輻照,還要承受微流星體撞擊、溫度變化、真空環境等多種因素的綜合影響。
ASM1042S2S芯片在地質遙感智能小衛星TY29和光學遙感衛星TY35中的成功應用,充分驗證了其在復雜在軌環境下的可靠性和穩定性。這不僅為該型號芯片的進一步推廣提供了有力支持,也為航天電子系統的設計和選型提供了重要參考。
六、結論
本文通過對ASM1042S2S CANFD收發器的質子單粒子效應試驗和在軌性能表現的詳細分析,得出以下結論:
ASM1042S2S CANFD收發器在100MeV質子輻照環境下,總注量達到1e10時,未出現單粒子鎖定(SEL)或單粒子翻轉(SEU)現象,表明其具有優異的抗質子單粒子效應能力;在軌運行期間,ASM1042S2S芯片表現出良好的穩定性和可靠性,通信數據傳輸正常,各項性能參數均符合設計要求;
ASM1042S2S CANFD收發器憑借其卓越的抗輻射性能和穩定的在軌表現,已成為航天通信領域的理想選擇。
審核編輯 黃宇
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