Texas Instruments TPS737線性低壓差（LDO）穩壓器在電壓跟隨器配置中使用NMOS導通晶體管。該拓撲結構對ESR和輸出電容值的敏感度相對較低。此功能有助于實現各種負載配置。即使搭配較小的1μF陶瓷輸出電容器，負載瞬態響應也非常出色。NMOS拓撲結構還可實現極低的壓差。

數據手冊：*附件：Texas Instruments TPS737線性LDO穩壓器數據手冊.pdf

TPS737采用先進的BiCMOS工藝，實現高精度的同時，可提供極低的壓差電壓和接地引腳電流。帶有M3后綴的器件型號采用依托當前TI工藝技術的最新設計。未啟用時，電流消耗小于20nA。該功能專為便攜式應用而設計。熱關斷和折返限流功能可為器件提供保護。

對于需要更高輸出電壓精度的應用，用戶應考慮使用Texas Instruments TPS7A37 1%總精度、1A低壓差穩壓器。

特性

• 在搭配1μF或更大陶瓷輸出電容器時可穩定工作
• 2.2 V 到 5.5 V 的輸入電壓范圍
• 超低壓差電壓
  • 傳統硅：130mV（1A時典型值）
  • 新硅（M3后綴）：122mV（1A時典型值）
• 即使采用1μF輸出電容器，也能實現出色的負載瞬態響應
• NMOS拓撲結構具有低反向漏電流
• 初始精度：1%
• 在整個線路、負載和溫度范圍內的整體精度
  • 傳統硅：3%
  • 新硅（M3后綴）：1.5%
• 關斷模式下IQ 小于20nA（典型值）
• 熱關斷和電流限制，用于故障保護
• 提供多種輸出電壓版本
  • 可調輸出：1.20V至5.5V
  • 可使用工廠封裝級編程提供定制輸出

典型應用電路

Texas Instruments TPS737線性LDO穩壓器技術解析?

?一、產品概述?

TPS737是德州儀器（TI）推出的?1A低壓差線性穩壓器?，采用NMOS拓撲結構，具有超低靜態電流（20nA關斷電流）和反向電流保護功能。其關鍵特性包括：

• ?超低壓差?：122mV（新型硅片）@1A負載
• ?寬輸入范圍?：2.2V至5.5V
• ?高精度輸出?：±1.5%總精度（新型硅片）
• ?低噪聲設計?：27μVRMS噪聲（10Hz-100kHz帶寬）
• ?多封裝選項?：SOT-223、VSON、WSON

?二、核心性能參數?

1. ?電氣特性?
   • ?輸出電流?：1A連續輸出
   • ?壓差電壓?：
     • 新型硅片：122mV典型值@1A
     • 傳統硅片：130mV典型值@1A
   • ?靜態電流?：400μA典型值@10mA負載
   • ?關斷電流?：<20nA
2. ?熱性能?
   • ?結到環境熱阻?：
     • SOT-223：76°C/W
     • VSON：49.4°C/W
     • WSON：67.3°C/W
   • ?工作結溫?：-40°C至+125°C
3. ?保護功能?
   • 熱關斷（160°C觸發）
   • 折返式過流保護（1.6A典型限流值）

?三、關鍵技術創新?

1. ?NMOS拓撲優勢?
   • 與傳統PMOS LDO相比，NMOS結構提供：
     • 更低壓差（典型值降低30%）
     • 對輸出電容ESR不敏感（支持1μF陶瓷電容）
     • 固有反向電流阻斷能力
2. ?雙硅片版本設計?
   • ?新型硅片?（CSO: RFB）：
     • 總精度提升至±1.5%
     • 壓降低至122mV
     • 啟動時間縮短30%（431μs典型值）
   • ?傳統硅片?（CSO: DLN）保持向后兼容
3. ?噪聲抑制技術?
   • 內置27kΩ電阻+外部CNR電容構成低通濾波
   • 可降低參考噪聲至8.5μVRMS/V（CNR=10nF時）

四、設計注意事項?

1. ?布局指南?
   • 輸入/輸出電容需就近放置（<10mm）
   • 采用星型接地連接散熱焊盤
   • 避免在散熱路徑上布置敏感信號線
2. ?熱管理建議?
   • 計算最大功耗：PD = (VIN - VOUT) × IOUT
   • 對于SOT-223封裝，至少需要2in2銅箔面積（θJA<50°C/W）
3. ?瞬態響應優化?
   • 增加輸出電容可減少欠沖幅度
   • 可調版本添加CFB電容（≤0.1μF）改善負載瞬態響應

?五、選型對比?