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Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(“Toshiba”)推出三款650V碳化硅(SiC)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)，搭載最新[1]第三代SiC MOSFET芯片，并采用表面貼裝TOLL封裝。這些新器件適用于工業設備，如開關式電源和用于光伏發電機的功率調節器。“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”這三款MOSFET即日起開始批量出貨。

新產品是Toshiba第三代SiC MOSFET中采用通用表面貼裝TOLL封裝的型號，與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封裝相比，器件體積減少80%以上，設備功率密度也得以改善。

TOLL封裝還具有比通孔封裝更低的寄生阻抗[2]，有助于降低開關損耗。作為四端子[3]封裝，可將開爾文連接用作柵極驅動的信號源端子。這可以減少封裝內的源極引線電感的影響，實現高速開關性能；以TW048U65C為例，其開通損耗和關斷損耗分別比現有Toshiba產品[5]降低約55%和25%[4]，有助于降低設備功率損耗。

Toshiba將繼續擴展產品陣容，為提升設備效率和增加功率容量做出貢獻。

第三代SiC MOSFET封裝陣容
類型	封裝
通孔型	TO-247
	TO-247-4L(X)
表面貼裝型	DFN8×8
	TOLL

注：
[1] 截至2025年8月。
[2] 電阻、電感等。
[3] 具有靠近FET芯片連接的信號源端子的產品。
[4] 截至2025年8月，Toshiba測量值。詳情請參見Toshiba網站發布版本中的圖1。
[5] 采用無開爾文連接TO-247封裝的具有同等電壓和導通電阻的650V第三代SiC MOSFET。

應用領域

服務器、數據中心、通信設備等的開關式電源

電動汽車充電站

光伏逆變器

不間斷電源

產品特點

表面貼裝TOLL封裝：支持設備小型化與自動化組裝。開關損耗低。

Toshiba第三代SiC MOSFET：
- 優化漂移電阻與溝道電阻比，實現漏源導通電阻良好的溫度依賴性。
- 低漏源導通電阻×柵漏電荷積
- 低二極管正向電壓：VDSF=-1.35V（典型值）(VGS=-5V)

主要規格
（除非另有說明，否則Ta=25℃）
部件編號				TW027U65C	TW048U65C	TW083U65C
封裝	名稱			TOLL
	尺寸(mm)		典型值	9.9×11.68×2.3
絕對最大額定值	漏源電壓 VDSS(V)			650
	柵源電壓 VGSS(V)			-10至25
	漏極電流（直流）ID(A)	Tc=25°C		57	39	28
電氣特性	漏源導通電阻 RDS(ON)(mΩ)	VGS=18V	典型值	27	48	83
	柵極閾值電壓 Vth(V)	VDS=10V		3.0至5.0
	總柵極電荷 Qg(nC)	VGS=18V	典型值	65	41	28
	柵漏電荷 Qgd(nC)	VGS=18V	典型值	10	6.2	3.9
	輸入電容 Ciss(pF)	VDS=400V	典型值	2288	1362	873
	二極管正向電壓 VDSF(V)	VGS=-5V	典型值	-1.35
樣品檢查及供應情況				在線購買	在線購買	在線購買