TLC6C598-Q1 是一款單片、中壓、低電流功率 8 位移位寄存器設計用于需要相對中等負載功率的系統，例如 LED。

該器件包含一個 8 位串行輸入、并行輸出移位寄存器，用于為 8 位D 型存儲寄存器。數據通過上升上的移位寄存器和存儲寄存器傳輸分別是移位寄存器時鐘 （SRCK） 和寄存器時鐘 （RCK） 的邊緣。存儲寄存器在移位寄存器清除 （CLR） 時將數據傳輸到輸出緩沖器為高電平。CLR 上的低電平清除器件中的所有寄存器。保持輸出使能 （G） 為高電平，使輸出緩沖器中的所有數據保持為低電平，并且所有漏極輸出關閉。保持 G 為低電平使來自存儲寄存器的數據對輸出緩沖器透明。當輸出緩沖器中的數據為低電平時，DMOS 晶體管輸出關閉。當數據為高電平時，DMOS晶體管輸出具有灌電流能力。 這 串行輸出 （SER OUT） 在 SRCK 的下降沿從器件發出時鐘，以提供額外的級聯應用的保持時間。這為以下應用提供了更高的性能時鐘信號可能偏斜，設備彼此不靠近，或者系統必須承受電磁干擾。該器件包含內置的熱關斷保護。
*附件：tlc6c598-q1.pdf

輸出為低側開漏 DMOS 晶體管，輸出額定值為 40 V 和 50 mA當 Vcc = 5 V 時具有連續灌電流能力。電流限制隨著結處的降低而降低溫度升高以提供額外的設備保護。該器件還提供高達 2000 V 的ESD 保護（使用人體模型測試時）和 200 V （使用機器模型時）。

TLC6C598-Q1 特性適用于在工作環境范圍內工作溫度范圍為 ?40°C 至 125°C。

特性

• 符合汽車應用標準
• AEC-Q100 符合以下標準：
  • 器件溫度等級 1：–40°C 至 125°C 環境工作溫度范圍
  • 設備 HBM ESD 分類等級 H2
  • 設備 CDM ESD 分類級別 C3B
• 3 V 至 5.5 V 的寬 Vcc
• 輸出最大額定值為.40 V
• 8個功率DMOS晶體管輸出，50 mA連續電流，V CC = 5 伏
• 熱關斷保護
• 增強多級級聯
• 所有寄存器均通過單輸入清除
• 低功耗
• 開關時間慢（tr和 t f ），這有助于顯著降低 EMI
• 16引腳TSSOP-PW封裝
• 16引腳SOIC-D封裝

參數

方框圖

?1. 產品概述?
TLC6C598-Q1是德州儀器（TI）推出的汽車級認證8位移位寄存器LED驅動器，具有以下核心特性：

• ?工作條件?：3V至5.5V寬電壓范圍，支持-40°C至125°C環境溫度
• ?輸出能力?：8路開漏DMOS晶體管輸出，單路連續電流50mA（VCC=5V時），耐壓40V
• ?關鍵保護?：內置熱關斷（175°C觸發）、ESD防護（HBM 2000V/CDM 200V）

?2. 功能特點?

• ?級聯擴展?：支持通過SER_OUT引腳串聯多設備，提升多級LED控制可靠性
• ?寄存器控制?：8位串入并出移位寄存器+8位D型存儲寄存器，數據在SRCK↑和RCK↑沿同步
• ?輸出管理?：CLR低電平清除所有寄存器，G引腳全局使能/禁用輸出（支持PWM調光）

?3. 電氣特性?

• ?靜態參數?：靜態導通電阻典型值6-14Ω（VCC=5V，25°C）
• ?動態性能?：最大時鐘頻率10MHz，輸出切換時間tr/tf約210ns/128ns
• ?功耗?：靜態電流≤160μA，動態電流隨頻率線性增長（5MHz時約200μA）

?4. 封裝與布局?

• ?封裝選項?：16引腳TSSOP（PW）和SOIC（D）封裝
• ?熱設計?：TSSOP封裝θJA=129.4°C/W，建議PCB布局時最大化覆銅并增加散熱過孔
• ?推薦設計?：VCC引腳需就近放置0.1μF陶瓷去耦電容

?5. 典型應用?

• ?汽車電子?：儀表盤背光、指示燈（Tell-Tale）驅動
• ?LED控制?：支持級聯架構的多通道LED照明系統
• ?接口方案?：通過MCU的SPI/GPIO控制，典型電路包含限流電阻計算：Rx = (VSupply - VLED) / ILED