Texas Instruments UCCx8C5x/UCCx8C5x-Q1電流模式PWM控制器提供了一個高性能的解決方案,可以在多種應(yīng)用中驅(qū)動Si和SiC MOSFET。UCCx8C5x/UCCx8C5x-Q1是UCCx8C4x/UCCx8C4x-Q1的更高效、更強大版本。這些器件提供獨特的UVLO閾值,使SiC MOSFET能夠可靠地運行 (UCC28C56-59),并提供現(xiàn)有的UVLO閾值以繼續(xù)支持Si MOSFET(UCCx8C50-55)。
數(shù)據(jù)手冊:
*附件:UCCx8C5x-Q1數(shù)據(jù)表.pdf
TI UCCx8C5x/UCCx8C5x-Q1電流模式PWM控制器采用8引腳 VSSOP (DGK) 和 8引腳SOIC (D) 封裝。
特性
- 支持Si和SiC MOSFET應(yīng)用的欠壓鎖定選項
- 1MHz最大固定頻率運行
- 50μA啟動電流,最大75μA
- 1.3mA的低工作電流(f
OSC=52kHz時) - 快速35ns逐周期過電流限制
- ±1A峰值驅(qū)動電流
- 軌至軌輸出
- 25ns上升時間
- 20ns下降時間
- 絕對最大電壓:30V VDD
- ±1%精確2.5V誤差放大器基準(zhǔn)
- 引腳對引腳兼容并可直接替代
- 具有功能安全能力
- 可提供相關(guān)文檔以幫助功能安全系統(tǒng)設(shè)計
- 符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn),具有以下特性 (-Q1)
- 器件溫度等級1:-40°C至+125°C
- 器件HBM分類等級2:±2kV
- 器件CDM分類電平等級C4B:750V
簡化應(yīng)用

典型的汽車應(yīng)用

UCCx8C5x系列低功耗電流模式PWM控制器技術(shù)解析
產(chǎn)品概述
德州儀器(TI)推出的UCCx8C5x系列是專為硅(Si)和碳化硅(SiC)MOSFET應(yīng)用設(shè)計的高性能電流模式PWM控制器家族,包含UCC28C50至UCC28C59以及UCC38C50至UCC38C55等多個型號。該系列在繼承UCCx8C4x系列優(yōu)點的同時,通過多項關(guān)鍵改進為電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)提供了更高效率和更強魯棒性的解決方案。
核心特性
- ?寬范圍工作能力?:
- 支持30V絕對最大VDD電壓(較前代提升50%)
- 提供1MHz最大固定頻率操作
- 極低啟動電流:50μA(典型值),75μA(最大值)
- ?高效驅(qū)動性能?:
- 低工作電流:1.3mA(fOSC=52kHz時)
- 快速35ns逐周期過流限制
- ±1A峰值驅(qū)動電流
- 軌到軌輸出,25ns上升時間/20ns下降時間
- ?精準(zhǔn)控制?:
- ±1%精度的2.5V誤差放大器參考
- 針對Si和SiC MOSFET優(yōu)化的欠壓鎖定(UVLO)選項
- 擴展頻譜調(diào)制支持
- ?封裝兼容性?:
- 提供8引腳VSSOP(DGK)和8引腳SOIC(D)封裝
- 與UCCx8C4x系列引腳兼容,可直接替換
關(guān)鍵性能提升
| 參數(shù) | UCCx8C4x | UCCx8C5x | 改進幅度 |
|---|---|---|---|
| 52kHz時供電電流 | 2.3mA | 1.3mA | 降低43% |
| 最大啟動電流 | 100μA | 75μA | 降低25% |
| VDD絕對最大值 | 20V | 30V | 提升50% |
| 參考電壓精度 | ±2% | ±1% | 精度翻倍 |
| SiC MOSFET UVLO選項 | 無 | 6種 | 新增支持 |
應(yīng)用領(lǐng)域
- ?通用電源轉(zhuǎn)換?:
- ?工業(yè)系統(tǒng)?:
- 能量存儲系統(tǒng)電源管理
- 電動汽車充電站的隔離電源
- ?高性能需求場景?:
- 需要驅(qū)動SiC MOSFET的高壓應(yīng)用
- 對效率有嚴(yán)格要求的電池供電設(shè)備
技術(shù)細(xì)節(jié)解析
1. 增強型UVLO設(shè)計
UCCx8C5x系列提供六組UVLO閾值配置,全面覆蓋不同應(yīng)用場景:
- ?離線應(yīng)用?:14.5V開啟/9V關(guān)閉(UCCx8C52/54)
- ?DC-DC應(yīng)用?:8.4V開啟/7.6V關(guān)閉(UCCx8C53/55)
- ?電池應(yīng)用?:7V開啟/6.6V關(guān)閉(UCCx8C50/51)
- ?SiC MOSFET應(yīng)用?:
- GEN-I SiC:18.8V開啟/15.5V關(guān)閉(UCC28C56H/57H)
- GEN-II SiC:18.8V開啟/14.5V關(guān)閉(UCC28C56L/57L)
- GEN-III SiC:16V開啟/12.5V關(guān)閉(UCC28C58/59)
2. 振蕩器系統(tǒng)優(yōu)化
- ?精準(zhǔn)頻率控制?:通過外部RT/CT引腳配置,支持1MHz高頻操作
- ?同步功能?:支持外部時鐘同步,便于多器件協(xié)調(diào)工作
- ?低抖動設(shè)計?:8.4mA(典型值)的穩(wěn)定放電電流,確保占空比精度
3. 電流檢測與保護
- ?3V/V電流檢測增益?:通過CS引腳實現(xiàn)精準(zhǔn)的逐周期電流限制
- ?35ns快速響應(yīng)?:過流保護延遲時間極短
- ?斜率補償?:內(nèi)置支持,防止高頻下的次諧波振蕩
典型應(yīng)用設(shè)計指南
1. 離線反激轉(zhuǎn)換器設(shè)計要點
?關(guān)鍵參數(shù)計算?:
- 變壓器匝數(shù)比(NPS)選擇需滿足:
VREFLECTED ≤ 0.8×VDS(rated) - 1.3×VBULK(max) - 最大占空比(DMAX)計算:
DMAX = (NPS×VOUT)/(VBULK(min)+NPS×VOUT)
?布局建議?:
2. SiC MOSFET驅(qū)動配置
?設(shè)計考量?:
- 選擇匹配的UVLO型號(如UCC28C56H/L)
- 柵極電阻(RG)取值需平衡開關(guān)損耗和EMI
- 建議添加二級RC濾波抑制柵極振鈴
?熱管理?:
- SOIC封裝熱阻θJA=128.9°C/W
- 高功率應(yīng)用需確保PCB提供足夠散熱面積
性能對比與選型建議
- ?占空比選擇?:
- 需要>50%占空比:選擇UCCx8C50/52/53/56H/L/58
- 限至50%占空比:選擇UCCx8C51/54/55/57H/L/59
- ?溫度范圍?:
- 工業(yè)級:UCC28C5x(-40°C至125°C)
- 商業(yè)級:UCC38C5x(0°C至85°C)
- ?封裝選擇?:
- 空間受限:3mm×3mm VSSOP(DGK)
- 散熱優(yōu)先:SOIC(D)封裝
-
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