ESD指靜電放電,是電荷在不同電位物體間轉(zhuǎn)移的現(xiàn)象。
TVS(瞬變電壓抑制二極管)是一種高效能保護(hù)器件,能在遭遇反向瞬態(tài)高能量沖擊時(shí)迅速將高阻抗轉(zhuǎn)為低阻抗,吸收浪涌功率,保護(hù)電子元件。
ESD靜電放電保護(hù)的三種模型
ESD靜電放電保護(hù)涉及三種主要模型。其中HBM(人體模型)和MM(機(jī)器模型)最為常用,確保人或設(shè)備對(duì)器件放電時(shí)器件不受損。HBM CLASS 1C模型模擬1000-2000V充電的100pF電容通過(guò)1500Ω電阻放電,而MM模型能量更大,無(wú)串聯(lián)電阻,電容200pF,電壓200-400V。兩者放電特性不同,HBM峰值電流<0.75A,持續(xù)150ns;MM峰值電流<8A,僅5ns。雷擊浪涌保護(hù)則涉及更高峰值電流和更長(zhǎng)時(shí)間。
TVS 與 ESD 防護(hù)器件的核心區(qū)別
TVS與ESD防護(hù)器件兩者的工作原理相似,但TVS電容值較高,適用于更廣泛的電壓保護(hù)場(chǎng)景;而ESD器件專為防靜電設(shè)計(jì),電容值低。簡(jiǎn)而言之,TVS更側(cè)重于廣泛的電壓瞬變保護(hù),而ESD則專注于靜電防護(hù)。
ESD與TVS(瞬變電壓抑制二極管)在原理上相似,但應(yīng)用上有所區(qū)別。
ESD專注于防靜電,要求低電容值(1-3.5pF最佳),而TVS電容值較高。測(cè)試顯示,TVS在IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)下的保護(hù)性能遠(yuǎn)超貼片壓敏電阻。壓敏電阻通過(guò)物理吸收原理工作,易受損傷;TVS則采用半導(dǎo)體鉗位原理,瞬間轉(zhuǎn)移能量,對(duì)器件無(wú)影響。
TVS常用于初級(jí)和次級(jí)保護(hù),抵御浪涌;ESD則專注于板級(jí)保護(hù),對(duì)抗靜電。選擇時(shí),TVS看重功率與封裝,ESD則關(guān)注ESD評(píng)級(jí)(HBM/MM)及IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)等級(jí),高速接口還需考慮容值。

結(jié)構(gòu)上,TVS為兩腳器件,ESD抑制二極管常為三腳,通過(guò)兩個(gè)二極管串聯(lián)形成。應(yīng)用上,TVS在電源輸入端防浪涌,保護(hù)后級(jí)電路;ESD二極管則連接電源與保護(hù)引腳,釋放靜電。

TVS瞬態(tài)抑制二極管
瞬態(tài)抑制二極管(TVS),作為高效能電路保護(hù)器件,能以pS級(jí)速度限制過(guò)高電壓至安全范圍,保護(hù)后級(jí)電路。其響應(yīng)速度極快,分高低結(jié)電容型,適應(yīng)不同頻率需求。TVS能吸收高浪涌功率,工作阻抗在承受大脈沖時(shí)驟降,鉗制電壓于預(yù)定水平,響應(yīng)時(shí)間僅10^-12秒。它分雙向與單向,適用于交流與直流電路,有效防雷擊、過(guò)電壓等。關(guān)鍵電參數(shù)包括擊穿電壓V(BR)與最大反向脈沖峰值電流IPP,選型時(shí)需確保TVS的瞬態(tài)脈沖功率大于被保護(hù)對(duì)象的最大浪涌功率。
瞬態(tài)電壓抑制二極管分類
極性:?jiǎn)螛O性與雙極性。
用途:通用型(適用各種電路)與專用型(如交流電壓、環(huán)保電流、數(shù)據(jù)線等特定保護(hù)器)。
封裝及結(jié)構(gòu):軸向引線、雙列直插陣列、貼片式、組件式、大功率模塊式等。
瞬態(tài)電壓抑制二極管應(yīng)用廣泛,涵蓋計(jì)算機(jī)、通訊、電源、汽車、家電、儀器儀表等多個(gè)領(lǐng)域,保護(hù)設(shè)備免受瞬態(tài)電壓沖擊。
其特點(diǎn)包括:防止微處理器等因靜電放電、電源浪涌等瞬間脈沖而失靈。吸收高電壓脈沖,保護(hù)TTL等敏感器件,消除總線開關(guān)干擾。置于信號(hào)線與接地間,減少噪音對(duì)數(shù)據(jù)及控制總線的影響。
瞬態(tài)電壓抑制二極管選用技巧
確定被保護(hù)電路的最大工作電壓,確保TVS的VWM大于此值。
TVS的VC應(yīng)小于被保護(hù)電路的損壞電壓。
TVS的PM需大于可能出現(xiàn)的峰值脈沖功率,IPP大于瞬態(tài)浪涌電流。
數(shù)據(jù)接口保護(hù)需注意TVS的電容C。
根據(jù)電路類型(交流/直流)選用合適的極性和封裝結(jié)構(gòu)。
考慮工作環(huán)境溫度對(duì)TVS特性的影響。
關(guān)鍵參數(shù)包括
VBR:最小擊穿電壓,決定TVS開始導(dǎo)通的點(diǎn)。
VWM:反向切斷電壓,應(yīng)大于或等于被保護(hù)電路工作電壓。
VC:最大鉗位電壓,不應(yīng)超過(guò)被保護(hù)電路極限。
IPP:最大峰值脈沖電流,反映突波抑制能力。
PM:額定脈沖功率,衡量TVS的耐沖擊能力。
lC:電容值,影響高頻信號(hào),需根據(jù)回路特性選擇。

特性曲線中的關(guān)鍵點(diǎn)包括VBR、VRWM、VC、VF、IR、IT、IPP、IF,分別代表崩潰電壓、維持電壓、鉗制電壓、正向?qū)妷骸⒛嫦蚵╇娏鳌⒈罎y(cè)試電流、突波峰值電流和正向?qū)娏鳌?/p>
ESD 靜電防護(hù)二極管
“ESD靜電管”非專業(yè)術(shù)語(yǔ),實(shí)為用于靜電放電(ESD)保護(hù)的二極管。高速I/O端口需低電容ESD保護(hù)器件,以確保信號(hào)質(zhì)量。這類器件需符合RoHS與IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),特性包括低電容、低觸發(fā)電壓、短響應(yīng)時(shí)間。
ESD二極管與TVS管相比,前者適合靜電場(chǎng)合,后者適合浪涌防護(hù)。ESD二極管并聯(lián)于電路,常態(tài)下不影響線路,遇異常過(guò)壓則迅速導(dǎo)通,箝制電壓至安全水平,過(guò)壓消失后恢復(fù)常態(tài)。
ESD靜電防護(hù)二極管選型要點(diǎn)
并聯(lián)于被保護(hù)電路,不影響正常工作。
擊穿電壓高于最高工作電壓。
根據(jù)最大浪涌電流選擇脈沖峰值電流IPP,確保箝位電壓VC不超芯片承受極限。
高頻信號(hào)選用低電容系列。
使用Array式組件以節(jié)省空間并降低寄生阻抗。
確保線路電容足夠低,如USB2.0<3pF,USB3.0<0.3pF等。
箝位電壓需足夠低,以保持系統(tǒng)抗干擾能力。
ESD保護(hù)二極管以超快響應(yīng)、超低電容、超低漏電流、超耐用性及符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)為優(yōu)勢(shì),已廣泛替代傳統(tǒng)靜電防護(hù)器件,成為電子行業(yè)防靜電保護(hù)的優(yōu)選方案。
晶揚(yáng)電子 | 電路與系統(tǒng)保護(hù)專家
深圳市晶揚(yáng)電子有限公司成立于2006年,是國(guó)家重點(diǎn)專精特新“小巨人”科技企業(yè)、國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)、深圳知名品牌、廣東省制造業(yè)單項(xiàng)冠軍產(chǎn)品、深圳市制造業(yè)單項(xiàng)冠軍企業(yè),知識(shí)產(chǎn)權(quán)示范企業(yè),建成廣東省ESD靜電保護(hù)芯片工程技術(shù)研究中心,榮獲中國(guó)發(fā)明創(chuàng)業(yè)獎(jiǎng)金獎(jiǎng)等。是多年專業(yè)從事IC設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷售及系統(tǒng)集成的集成電路設(shè)計(jì)公司,在成都、武漢和加拿大設(shè)立有研發(fā)中心,擁有超百項(xiàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)和專利,業(yè)內(nèi)著名的“電路與系統(tǒng)保護(hù)專家”。為各類電子產(chǎn)品提供全方位、全覆蓋的靜電保護(hù)、高邊開關(guān)等保護(hù)方案。
主營(yíng)產(chǎn)品:ESD、TVS、MOS管、DC-DC,LDO系列、工業(yè)&車規(guī)傳感器、高邊開關(guān)(HSD)芯片、電流傳感器、汽車開關(guān)輸入芯片等。廣泛應(yīng)用于電腦、電視、手機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通信、智能穿戴、安防、家電、新能源汽車等多個(gè)領(lǐng)域,形成了強(qiáng)大的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
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原文標(biāo)題:靜電浪涌防護(hù),選TVS管還是 ESD保護(hù)管?
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