方案描述

隨著新能源車快充、光儲一體系統及工業微電網需求激增，高效率、高功率密度雙向DCDC成為關鍵部件。傳統硅基方案受限于開關損耗和體積，效率已盡極限，且散熱成本較高；還有雙向拓撲控制復雜，動態響應不足等等問題；而碳化硅（SiC）器件憑借耐高溫、低損耗特性，能做到更好的效率同時減少散熱以及產品體積等優勢，隨著碳化硅（SiC）器件成本的降低，正加速替代硅基方案，預計2025年全球市場規模超50億美元。

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在此背景下，安富利（Avnet）推出基于Infineon XMC系列MCU和CoolSiCTM系列碳化硅器件的6.6KW雙向DCDC方案：

方案采用CLLC拓撲結構，全數字控制，動態響應時間小于10ms；Buck模式效率≥98%，Boost模式效率亦達到97%；方案靈活多變，可根據實際需要調整輸入輸出以及功率大小；可廣泛（但不限于）應用在儲能、電池化成、EV charging、工業電源等領域；

核心器件說明

主控MCU：

Infineon的XMC4402將英飛凌先進的外設集與行業標準的ARMCortex - M4結合在一起。

高精度PWM單元

電源電壓范圍：3.13 - 3.63V

ARM Cortex - M4，120MHZ，包括單周期DSP MAC和浮點運算（FPU）

eFlash: 256kB，80kB SRAM

10/100以太網MAC（含IEEE 1588），2x CAN

8通道DMA + USB和以太網專用DMA

USIC 4ch [Quad SPI, SCI/UART, I2C, I2S, LIN]

硬件ECC

這些都可幫助客戶游刃有余的完成整個電源的轉換，同時根據需要可以靈活選擇；

功率MOSFET

IMT65R022M1H：

Infineon CoolSIC碳化硅MOSFET；

650V，22moh，TOLL封裝；

性能可靠穩定，搭配英飛凌配套驅動IC，最大化實現碳化硅MOSFET的優勢；

可根據實際設計需要更換型號；

IPT017N12NM6：

Infineon OptiMOS 6，最新一代的OptiMOS，120V，1.7moh，TOLL封裝；

搭配英飛凌配套驅動IC，充分發揮出OptiMOS的優異性能；

可根據實際設計需要更換型號；

Driver IC：

2EDF8275F是實現大功率開關噪聲環境中高邊及低邊MOSFET初級側控制可靠穩健運行的理想選擇。4A/8A的強大驅動能力，150v/ns的CMTI能力；2個輸出通道均單獨隔離；

Aux-power IC:

ICE5QSBG英飛凌第五代準諧振反激式PWM控制器性能強大，具有全面的保護組合，有效提高了系統穩健性；

方案特點：

拓撲簡單，效率高，功率密度大；

完全自主設計，可提供全套的軟硬件支持；

可根據客戶需求調整設計，協助客戶快速出產品；

關于安富利

安富利是全球領先的技術分銷商和解決方案提供商，在過去一個多世紀里一直秉持初心，致力于滿足客戶不斷變化的需求。通過遍布全球的專業化和區域化業務覆蓋，安富利可在產品生命周期的每個階段為客戶和供應商提供支持。安富利能夠幫助各種類型的公司適應不斷變化的市場環境，在產品開發過程中加快設計和供應速度。安富利在整個技術價值鏈中處于中心位置，這種獨特的地位和視角讓其成為了值得信賴的合作伙伴，能夠幫助客戶解決復雜的設計和供應鏈難題，從而更快地實現營收。