Texas Instruments TPS7H6003EVM-CVAL評估模塊可接受高達150V輸入，通過驅動EPC2307來測試TPS7H6003-SP的可靠性。TI TPS7H6003EVM-CVAL評估模塊默認設置為在PWM模式下運行TPS7H6003-SP。然后，TPS7H6003-SP接收一個開關信號的輸入，在內部開發互補信號。該功能可更改為IIM模式，其中兩個輸出互相獨立工作。

數據手冊：*附件：Texas Instruments TPS7H6003EVM-CVAL評估模塊數據手冊.pdf

特性

• 獨立輸入模式下的可選輸入聯鎖保護
• 分離輸出，用于可調節導通和關斷時間
• 獨立輸入模式下的傳播延遲：25ns（典型值）
• 1.5A峰值拉電流、3A峰值灌電流
• PVIN輸入上的工作電壓高達150V
• 支持PWM和IIM模式
• 大焊盤，用于放置自己的電感器和電容器
• 集成死區時間，用于PWM模式

布局

TPS7H60x3/60x5評估模塊(EVM)技術解析與應用指南

產品概述

TPS7H60x3EVM-CVAL和TPS7H60x5EVM是德州儀器(TI)推出的評估模塊，用于評估TPS7H6003-SP、TPS7H6013-SP、TPS7H6023-SP、TPS7H6005-SEP、TPS7H6015-SEP和TPS7H6025-SEP等半橋GaN FET驅動器的性能。該系列評估模塊通過J1/J2上的輸入電壓軌為半橋FET堆棧的PVIN供電，用戶可選擇僅運行驅動電路或通過提供的焊盤添加電感和電容構建完整功率級。

核心特性與功能模式

主要特點

• ?雙工作模式支持?：默認配置為PWM模式，也可通過簡單修改切換至IIM(獨立輸入)模式
• ?靈活的外圍設計?：提供大尺寸焊盤便于用戶添加自定義電感和電容
• ?集成死區時間控制?：PWM模式下內置互補信號生成與死區時間設置
• ?寬輸入電壓范圍?：支持0-150V(根據具體器件型號有所不同)

工作模式配置

評估模塊支持兩種工作模式切換：

?PWM模式?：

• 接受單一開關信號輸入(J9引腳1)
• 內部生成互補輸出信號
• 通過R8/R9設置死區時間(典型值100-220kΩ)

?IIM模式?：

• 兩個輸出獨立工作(互鎖禁用時R5=0Ω，R6不安裝)
• 輸入信號分別連接J6和J15
• 互鎖功能可選配置

硬件設計與接口說明

電源要求

關鍵接口

• ?功率輸入?：J1(正極)、J2(負極)
• ?控制信號?：
  • J9：PWM信號輸入(引腳1)和使能信號(引腳4)
  • J6/J15：IIM模式下的獨立輸入
• ?輸出監測?：TP7(HO)、TP8(LO)等測試點

評估板使用指南

典型測試配置

• ?輸入電壓?：100V(J1)、0V(J2)
• ?控制信號?：0-5V 500kHz/30%占空比(PWM_LI)
• ?工作頻率?：優化為500kHz(其他頻率需注意GaNFET過熱風險)

模式切換步驟

1. 斷電狀態下修改以下電阻配置：
   • PWM→IIM(互鎖禁用)：安裝R5=0Ω，移除R6
   • PWM→IIM(互鎖啟用)：移除R5，安裝R6=100-220kΩ
2. 相應調整輸入信號連接方式

應用領域與性能表現

目標應用

• 通信載荷系統
• 指令與數據處理單元
• 衛星電力系統
• FPGA核心電壓軌的太空衛星點負載供電

實測性能

評估測試顯示模塊在以下方面表現優異：

• ?柵極驅動電壓?：清晰穩定的高低電平轉換(如圖3-1至3-3所示)
• ?相位節點響應?：快速開關特性(圖3-4)
• ?熱性能?：建議操作時注意>55℃的高溫區域

安全注意事項

1. ?高壓警告?：EVMs可能包含完全可接觸的活性高壓，操作時需：
   • 使用絕緣夾具和導線
   • 禁止徒手測試
   • 配備合格觀察員
2. ?熱風險?：部分組件工作溫度>55℃，禁止觸摸通電或剛斷電的板卡
3. ?限制使用?：EVMs不得作為生產單元的全部或部分使用

設計資源與支持

配套文檔

• 完整原理圖(圖4-1至4-6)
• PCB布局圖(圖4-7至4-44)
• 詳細物料清單(表4-1和4-2)

參考設計

• TPS7H60x3-SP數據手冊
• TPS7H60x5-SP/SEP數據手冊

該評估模塊為工程師提供了快速驗證GaN驅動器性能的平臺，特別適合空間應用和高可靠性電力電子系統的開發評估。通過靈活的配置選項和全面的測試接口，可顯著縮短相關產品的開發周期。