文章來源：學習那些事

原文作者：前路漫漫

本文主要講述塑封工藝。

概述

塑封是微電子封裝中的核心環節，主要作用是保護封裝內部的焊線、芯片、布線及其他組件免受外界熱量、水分、濕氣和機械沖擊的損害，同時增強封裝的機械強度，便于后續貼片操作。按封裝材料劃分，電子封裝可分為金屬封裝、陶瓷封裝和塑料封裝三類。其中，塑料封裝因工藝簡便、成本低廉，占據了90%以上的市場份額，且這一占比仍在持續上升。在集成電路塑料封裝中，環氧模塑料是最常用的材料，在塑封材料中的占比超95%。

塑料按特性可分為熱塑性與熱固性兩類。熱塑性塑料的樹脂分子呈線性或支鏈狀結構，受熱時會軟化熔融，可塑造成特定形狀，冷卻后保持形態，再次加熱仍能軟化熔融，可重復加工，成型過程通常僅涉及物理變化。

熱固性塑料則是通過加熱實現固化的聚合物材料，成型時同時伴隨物理與化學變化。這類材料在較低溫度下會熔融，具備良好流動性；注入模具后，在模具的溫度和壓力作用下發生化學交聯反應，長鏈分子轉化為密集的網狀交聯結構，最終固化成型。冷卻后，即便再次加熱也不會軟化，溫度過高時會出現碳化分解。

塑料成型技術多樣，包括轉移成型（又稱壓注成型、傳遞模塑）、壓縮成型（又稱模壓成型）和注塑成型等，其中轉移成型與壓縮成型在微電子封裝中應用最為廣泛。

注塑成型是常見的塑料成型工藝，具有勞動強度小、成型周期短、產品質量佳、模具使用壽命長、操作安全等優勢。但在微電子封裝領域，由于引線框架在注塑模具中不易固定，且環氧模塑料采用該工藝難度較高，目前尚未投入實際應用。

轉移成型技術整合了注塑成型與壓縮成型的優點，設有獨立的加料室。模塑料在加料室內受熱熔化后，在低壓作用下通過澆注系統快速注入已加熱的閉合模具型腔，隨后在型腔內經保溫保壓完成固化。其工藝流程如下：①將引線框架定位放入下模具；②合上上模具；③加入環氧模塑料（這類材料通常儲存在冷庫，使用前需在室溫下回溫）；④進行預加熱；⑤通過活塞加壓，將模塑料壓入型腔；⑥保溫保壓，完成固化成型；⑦活塞撤離；⑧打開上模具；⑨取出成型樣品。

轉移成型具有壓注時間短、成型快速、生產效率高的特點，適合加工薄壁、壁厚不均、含細薄金屬嵌件、帶深孔及形狀復雜的塑件，尤其適用于電子元器件的塑封。經其塑封的元器件精度高、尺寸穩定，無氣孔和縮孔，且電性能、耐濕性良好，是微電子封裝中應用最廣的成型技術。不過，該技術也存在不足：一是模塑料利用率僅約70%；二是填充料分布不夠均勻；三是樹脂流動可能對芯片和焊線產生應力；四是在薄包封上蓋及大面積襯底封裝時，可能出現封裝不充分的問題。

與轉移成型不同，壓縮成型的加料室與型腔是一體的。模塑料直接放入已加熱至成型溫度的敞開型腔中，塑化與固化過程均在型腔內完成。但塑料粉末可能干擾合模定位銷及用于孔成型的金屬嵌件位置，導致塑件精度不足，影響產品質量，且成型效率較低，因此早期塑封多采用轉移成型工藝。

隨著封裝厚度逐漸變薄，以及大尺寸襯底封裝、大面積扇出式晶圓級封裝等新工藝的發展，轉移成型的缺陷愈發明顯，已難以滿足需求。而壓縮成型能很好地解決這些問題，在薄型封裝、低翹曲封裝、大尺寸襯底封裝及大面積扇出式晶圓級封裝中得到了有效應用。關于轉移成型與壓縮成型在微電子封裝中的差異，可參考相關對比表。

壓縮成型的工藝流程如下：①打開上下模具，將基板定位在上模具，通過真空吸附將分離膜貼合到下模具表面，并在膜上放置模塑料粉末；②合上上下模具，對模塑料進行預加熱；③下模具活動部分上移，模塑料在垂直壓力作用下流動；④模塑料填滿型腔，并在溫度與壓力作用下固化。

塑封后續步驟

塑封工序完成后，還需進行后續的固化處理。具體操作是將塑封后的樣品放入烤箱，在170-180℃的溫度下烘烤8小時，以此確保環氧模塑料充分固化，同時消除塑封過程中產生的內應力。

經過模塑處理后，封裝表面會殘留溢出的模塑料，且烘烤后的引線框架表面可能出現氧化層，這些都需要清除干凈，以便后續的電鍍工序順利進行。傳統的去溢料方法包括機械噴砂（分干法和濕法）、堿性電解法以及化學浸泡結合高壓水噴射法。隨著激光加工技術在微電子封裝領域的應用推廣，全自動激光去溢料技術逐漸發展起來，該技術具有清理徹底、效率大幅提升的優勢。

為提升引線框架引腳的可焊性與導電性，同時抵御潮濕、高溫等外界不利環境的影響，塑封完成后的引線框架需通過電鍍或浸錫工藝，在引腳上覆蓋一層薄薄的保護性金屬層，目前以電鍍工藝為主。電鍍主要有含鉛和無鉛兩種類型，早期多采用含鉛電鍍，出于環保要求，現在主流為無鉛電鍍，即使用高純度錫鍍層或錫銀鍍層。電鍍過程在流水線式的電鍍槽中進行：先在專門的上料臺放置引線框架，隨后框架被傳送至裝有電鍍液的電鍍槽，作為陰極浸入其中，金屬離子在獲得電子后沉積到引腳上完成電鍍，最后送至下料臺取出。

電鍍完成后，還需進行退火處理，通常是在145-155℃的溫度下保持2小時。這一步的作用是讓無鉛鍍層在高溫烘烤后，通過內部結構的調整來抑制鍍層中晶須的生長。晶須是指在長期潮濕或溫度變化的環境中，從材料表面生長出的須狀晶體，可能導致產品引腳短路，而無鉛鍍層中較易出現晶須，存在短路風險。

要理解錫須，先明確晶須的定義：晶須是一種發絲狀晶體，能從固體表面自然生長，又稱“固有晶須”。多種金屬表面會生長晶須，常見的有錫、鎘、鋅、銻、銦等，錫鉛合金上也可能出現，但概率較低；而鉛、鐵、銀、金、鎳等金屬表面則很少出現。一般來說，晶須現象更易發生在質地較軟、延展性好的材料上，尤其是低熔點金屬。

錫的晶須簡稱錫須，呈單晶體結構，具有導電性。其形狀多為直狀、扭曲溝狀或交叉狀，有時為中空結構，外表面帶有溝槽。錫須直徑可達10微米，長度甚至能超過9毫米，可承載10毫安的電流，電流過大時通常會被燒斷。

錫須的生長速率通常在每年0.03-0.9毫米之間，在特定條件下可能加快100倍以上。其生長速率受多種復雜因素影響，包括鍍層的電鍍化學過程、鍍層厚度、基體材料、晶粒結構以及儲存環境等。錫須多從電鍍層開始生長，且存在較長的潛伏期，從幾天到數月甚至數年不等，因此其可能帶來的危害難以準確預測。

一般而言，錫須產生的原因主要有兩點：一是錫與銅之間發生相互擴散，形成金屬化合物，導致錫層內壓應力急劇增加，促使錫原子沿晶體邊界擴散，進而形成錫須；二是電鍍后鍍層存在殘余應力，引發錫須生長。

抑制錫須生長的方法主要有以下幾種：一是采用電鍍霧錫，通過改變晶體結構來減小應力；二是在150℃下烘烤2小時進行退火處理（實驗表明，溫度高于90℃時，錫須會停止生長）；三是在Enthone FST浸錫工藝中添加少量有機金屬添加劑，以限制錫銅金屬互化物的生成；四是在錫與銅之間添加一層阻擋層，如鎳層；五是在錫中添加鉛曾是抑制錫須的有效方法，但因鉛不環保，需從其他角度尋找解決方案；六是添加1%-2%的黃金，也能有效抑制錫須生長。

切筋成型包含切筋與成型兩道工序。其中，切筋是將整片引線框架分割為獨立單元的過程；成型則是對已分割的單元進行引腳加工，使其形成工藝所需的形狀，之后放入料管或料盤中。簡單來說，切筋成型工藝就是先把原本的大塊引線框架切割成若干小分塊，再對這些小分塊進行處理，讓引腳達到規定形態。這兩道工序有時會同步完成，有時也會分開進行。部分企業會先進行切筋，接著完成上錫，再開展成型工藝，通過這種方式減少引腳截面未鍍上焊錫的面積。

作為電子封裝產業的分支技術，IC切筋成型技術在產業近年來的快速擴張推動下實現了迅猛發展。隨著封裝形式從DIP、SOP、QFP逐步向CSP等演進，其與電路板的連接方式、引腳數量都發生了顯著變化，這對切筋成型的工藝標準提出了越來越高的要求。

激光打碼是利用激光束在封裝的正面或背面標注標識，這些標識包含國家、制造商、器件代碼、生產批次等信息，便于產品的使用與追溯。

完成打碼后，需對成品電路的外觀進行檢查，合格產品將按照包裝規范進行包裝，包裝方式包括料管、料盤、卷帶盤等。