Texas Instruments LP2980-ADJ可調輸出寬輸入低壓差 (LDO) 穩壓器支持高達 16V輸入電壓范圍和高達50mA負載電流。LP2980-ADJ支持1.2V至15.0V(新款芯片)和1.23V至15.0V(傳統芯片)輸出范圍。此外,LP2980-ADJ(新款芯片)在整個負載和溫度范圍內具有1%的輸出精度,可滿足低壓微控制器 (MCU) 和處理器的需求。
數據手冊:*附件:Texas Instruments LP 2980-ADJ Adj輸出LDO穩壓器數據手冊.pdf
在新款芯片中,高帶寬PSRR性能在1kHz時大于70dB,在1MHz時大于46dB,因此有助于衰減上游直流/直流轉換器的開關頻率,并最大限度地減少后置穩壓器濾波。內部軟啟動時間和電流限制保護可減小啟動期間的浪涌電流,從而最大限度地降低輸入電容。該器件還包括標準保護特性,例如過流和過熱保護。Texas Instruments LP2980-ADJ采用5引腳2.9mm × 1.6mm SOT-23 (DBV) 封裝。
特性
- V
IN范圍- 傳統芯片:2.2V至16V
- 新款芯片:2.5V至16V
- V
OUT范圍- 傳統芯片:1.23V至15.0V
- 新款芯片:1.2V至15.0V
- V
OUT(典型值)精度- 傳統芯片:±1%
- 新款芯片:±0.5%
- 整個負載和溫度范圍內的輸出精度
- 傳統芯片:±3.5%
- 新款芯片:±1%
- 輸出電流:高達50mA
- 低靜態電流 I
Q(新款芯片)- 55μA(I
LOAD=0mA時) - 350μA(I
LOAD=50mA時)
- 55μA(I
- 過熱電流關斷
- 傳統芯片:<1μA
- 新款芯片:≤0.8μA
- 輸出電流限制和熱保護
- 使用2.2μF陶瓷電容器實現穩定工作(新款芯片)
- 高PSRR(新款芯片)
- 1kHz時為70dB,1MHz為42dB
- 工作結溫范圍:–40°C至+125°C
- 5引腳SOT-23 (DBV) 封裝
功能框圖

LP2980-ADJ可調輸出LDO穩壓器技術解析
一、關鍵特性亮點:
- ?寬輸入范圍?:2.2-16V(舊版本) / 2.5-16V(新版本)
- ?可調輸出?:1.23-15V(舊版本) / 1.2-15V(新版本)
- ?高精度?:±1%輸出電壓精度(新版本),全溫度范圍內±1%精度
- ?低靜態電流?:55μA(空載)至350μA(滿載50mA)
- ?低關斷電流?:<1μA(舊版本) / ≤0.8μA(新版本)
- ?高PSRR?:1kHz時70dB,1MHz時42dB(新版本)
- ?工作溫度?:-40°C至+125°C
二、架構與功能模塊
2.1 核心架構
LP2980-ADJ采用標準LDO架構,包含:
2 引腳功能
| 引腳 | 名稱 | 功能描述 |
|---|---|---|
| 1 | VIN | 輸入電壓(2.2-16V),需外接≥1μF陶瓷電容 |
| 2 | GND | 接地 |
| 3 | ON/OFF | 使能控制(高電平有效),懸空時內部下拉 |
| 4 | ADJ | 反饋引腳,通過外部電阻分壓網絡設置輸出電壓 |
| 5 | VOUT | 輸出電壓,需外接2.2-4.7μF陶瓷電容(視版本而定) |
三、關鍵參數分析
3.1 電氣特性
?輸出電壓精度?:
- 參考電壓:1.2V(新版本) / 1.225V(舊版本)
- 線路調整率:3mV(2.5-16V輸入變化)
- 負載調整率:±1%(1mA-50mA負載變化)
?壓差特性?:
| 負載電流 | 典型壓差(mV) |
|---|---|
| 1mA | 7-10.5 |
| 10mA | 40-95 |
| 50mA | 120-150 |
?保護特性?:
- 過流保護:130-160mA(穩態短路電流)
- 熱關斷:170°C觸發,150°C恢復
- ESD保護:±3000V HBM(新版本)
四、元件選型建議:
- ? 輸入電容(CIN) ?:≥1μF陶瓷電容(X7R/X5R),靠近VIN引腳
- ? 輸出電容(COUT) ?:
- 舊版本:4.7μF(最小2.2μF),ESR 0.3-1Ω
- 新版本:2.2μF陶瓷電容
- ? 反饋電阻(R1/R2) ?:
- 計算:VOUT = 1.2V × (1 + R1/R2)
- 建議分壓電流≥5μA以減小誤差
- ? 前饋電容(CFF) ?:10pF(改善瞬態響應)
4.2 設計實例
?需求?:12V輸入轉2.5V/50mA輸出
?計算步驟?:
- 選擇R2=100kΩ
- 計算R1:R1 = R2 × (VOUT/1.2 - 1) = 100k × (2.5/1.2 - 1) ≈ 108.33kΩ
- 選擇標準值:R1=110kΩ
- 實際輸出電壓:VOUT = 1.2 × (1 + 110/100) = 2.52V
五、性能優化技巧
5.1 低噪聲設計
- 使用低ESR陶瓷輸出電容(2.2μF X7R)
- 添加10pF前饋電容(CFF)降低輸出噪聲
- 布局時縮短VOUT到ADJ的走線
5.2 熱管理
- 最大功耗計算:PD = (VIN - VOUT) × IOUT
- 對于12V轉2.5V/50mA:PD = (12-2.5)×0.05 = 0.475W
- 建議PCB銅面積≥100mm2以改善散熱
5.3 瞬態響應優化
- 增加輸出電容值(最高200μF)
- 使用低ESR電容組合(陶瓷+聚合物)
- 確保反饋環路走線遠離高頻噪聲源
六、版本差異說明
| 特性 | 舊版本(legacy) | 新版本(M3) |
|---|---|---|
| 輸入范圍 | 2.2-16V | 2.5-16V |
| 參考電壓 | 1.225V | 1.2V |
| 全溫度精度 | ±3.5% | ±1% |
| 靜態電流(空載) | 60-95μA | 55-70μA |
| 關斷電流 | <1μA | ≤0.8μA |
| 最小輸出電容 | 4.7μF | 2.2μF |
| ESD保護 | ±2000V HBM | ±3000V HBM |
七、應用場景推薦
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