?1. 核心特性?
- ?完全浮置設計?:無需電源或接地連接,各模塊通過介質隔離實現電氣獨立。
- ?高精度輸出?:提供兩路100 μA電流源(精度±0.5%)及一個電流鏡像模塊,支持50 μA至400 μA多檔配置。
- ?寬電壓兼容范圍?:2.5 V至40 V工作電壓,溫度系數低至±25 ppm/°C。
- ?封裝與尺寸?:SOIC-8封裝,尺寸3.91 mm × 4.90 mm。
?2. 關鍵應用場景?
?3. 功能模塊詳解?
- ?電流源/接收器?:兩路獨立100 μA源,可并聯實現更高電流(如200 μA、400 μA)。
- ?電流鏡像?:增益0.995–1.005,支持0–250 μA線性范圍,帶寬5 MHz。
- ?保護機制?:反向電壓耐受6 V/350 μA,建議添加二極管保護(如1N4148)。
?4. 典型電路設計?
- ?RTD溫度測量?:3線制RTD配100 μA激勵,通過INA326放大器實現電阻-電壓轉換(圖11)。
- ?可調電流源?:結合運放(如OPA602)擴展輸出至1 nA–1 mA(圖25)。
- ?波形生成?:三角波/方波發生器(圖27)、精密占空比調制器(圖28)。
?5. 性能參數?
- ?電流源?:輸出阻抗20 MΩ(典型),噪聲0.1–10 Hz帶寬下100 nA峰峰值。
- ?鏡像模塊?:非線性度±0.05%,輸入電壓1.4 V(典型)。
?6. 布局與散熱建議?
?7. 文檔支持?
- 關聯設計指南:RTD至電壓參考設計(TIDU969)、電流源應用手冊(SBOA046)。
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