LM4050QML精密基準(zhǔn)電壓源采用10引腳陶瓷CLGA封裝。 該LM4050QML的設(shè)計(jì)消除了對(duì)外部穩(wěn)定電容器的需求，同時(shí)確保 具有容性負(fù)載的穩(wěn)定性，從而使LM4050QML易于使用。LM4050-2.5QML 具有 最小工作電流為 60 μA，最大工作電流為 15 mA。LM4050-5.0QML 的最小電流為 74 μA，電流為 15 mA 最大工作電流。

該LM4050QML在晶圓期間利用熔斷器和齊納電擊反向擊穿電壓調(diào)整 分揀以確保主要部件在 25°C 時(shí)具有優(yōu)于 ±0.1% 的精度。 隙 參考溫度漂移曲率校正和低動(dòng)態(tài)阻抗確保穩(wěn)定的反向 在很寬的工作溫度和電流范圍內(nèi)的擊穿電壓精度。

該LM4050QML的工作溫度范圍為–55°C至+125°C。
*附件：lm4050qml-sp.pdf

特性

• 低劑量率合格 100 krad（Si）
• SEFI免疫
• SET 免疫，60μF C負(fù)荷
• C負(fù)荷0μF 至 100μF
• 固定反向擊穿電壓為 2.500V、5.000V

關(guān)鍵規(guī)格

• LM4050-2.5QML
  • 輸出電壓容差I(lǐng)R = 100μA ±0.1% @ 25°C
  • 低溫系數(shù) 15 ppm/°C
  • 低輸出噪聲 50 μVrms（典型值）
  • 寬工作電流范圍 60 μA 至 15 mA
• LM4050-5.0QML
  • 輸出電壓容差I(lǐng)R = 100μA ±0.1% @ 25°C
  • 低溫系數(shù) 23 ppm/°C
  • 低輸出噪聲 100 μVrms（典型值）
  • 寬工作電流范圍 74 μA 至 15 mA

參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?
LM4050QML是德州儀器（TI）推出的高精度、低功耗并聯(lián)電壓基準(zhǔn)芯片，提供2.500V和5.000V兩種固定輸出電壓版本，采用10引腳陶瓷CLGA封裝。其核心特點(diǎn)包括：

• ?輻射加固設(shè)計(jì)?：通過(guò)100 krad(Si)低劑量率輻射認(rèn)證，具備抗單粒子功能中斷（SEFI）和單粒子瞬態(tài)（SET）免疫能力（需60μF負(fù)載電容）。
• ?高精度?：初始輸出電壓容差±0.1%（25°C下，100μA電流）。
• ?低溫漂?：2.5V版本典型溫漂15 ppm/°C，5.0V版本23 ppm/°C。
• ?寬工作電流范圍?：2.5V版本60μA15mA，5.0V版本74μA15mA。

?2. 關(guān)鍵特性?

• ?電氣性能?：
  • 低動(dòng)態(tài)阻抗（2.5V版本0.3Ω典型值，5.0V版本0.5Ω）。
  • 低噪聲輸出（2.5V版本50μVrms，5.0V版本100μVrms）。
• ?環(huán)境適應(yīng)性?：
  • 工作溫度范圍-55°C至+125°C。
  • 熱滯后性能優(yōu)異（2.5V版本典型值1ppm，5.0V版本20ppm）。

?3. 應(yīng)用場(chǎng)景?

• 控制系統(tǒng)、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、儀器儀表、過(guò)程控制及能源管理。
• 典型電路包括：
  • ?并聯(lián)穩(wěn)壓器?（需外部限流電阻設(shè)計(jì)）。
  • ?DAC/ADC供電與參考源?（如搭配DAC121S101QML或ADC128S102QML）。
  • ?輸入保護(hù)電路?（用于運(yùn)算放大器輸入鉗位）。

?4. 輻射特性?

• ? 總電離劑量（TID） ?：通過(guò)1.5倍超量測(cè)試（如100krad實(shí)際測(cè)試至150krad）。
• ?單粒子效應(yīng)?：SET免疫（60μF負(fù)載下）、無(wú)SEFI事件（LET≤100 MeV-cm2/mg）。

?5. 封裝與訂購(gòu)信息?

• ?封裝?：10引腳陶瓷CLGA（NAC0010A），符合軍用標(biāo)準(zhǔn)（MIL-STD-883）。
• ?型號(hào)選項(xiàng)?：
  • 工程樣品（MPR后綴）：僅支持室溫測(cè)試，未完成全流程輻射認(rèn)證。
  • 量產(chǎn)型號(hào)（如5962R0923561VZA、LM4050WG5.0RLQV）。

?6. 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)?

• ?穩(wěn)定性?：無(wú)需外部補(bǔ)償電容，但建議添加60μF電容以優(yōu)化SET性能。
• ?熱管理?：最大功耗467mW（25°C），需根據(jù)θJA（214°C/W）降額使用。

?7. 修訂歷史?
文檔歷經(jīng)多次更新（2010-2013年），主要補(bǔ)充5.0V型號(hào)參數(shù)、輻射測(cè)試數(shù)據(jù)及工程樣品說(shuō)明。

?附件說(shuō)明?
當(dāng)前文檔為完整數(shù)據(jù)手冊(cè)（SNVS627G版本），包含電氣特性表、典型應(yīng)用電路、封裝尺寸圖及輻射測(cè)試曲線。