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LM4132/LM4132-Q1 精密低壓差電壓基準芯片總結

科技綠洲 ? 2025-08-12 11:05 ? 次閱讀
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LM4132 系列精密基準電壓源的性能可與最佳產品相媲美 激光微調雙極基準,但采用經濟高效的 CMOS 技術。關鍵在于 突破是使用 EEPROM 寄存器校正曲率、溫度系數 (tempco),以及 CMOS 帶隙架構的精度,允許封裝級編程 克服裝配班次。模具組裝過程中電壓精度和溫度系數的變化 塑料封裝限制了用激光技術修剪的參考的準確性。

與其他LDO基準電壓源不同,LM4132可提供高達20 mA的電流,并且不需要 輸出電容器或緩沖放大器。這些優點以及 SOT-23 封裝是 對于空間關鍵型應用很重要。
*附件:lm4132-q1.pdf

串聯基準電壓源的功耗低于分流基準電壓源,因為它們確實如此 在空載條件下不必空閑最大可能的負載電流。這個優勢, 低靜態電流 (60 μA) 和低壓差 (400 mV) 使 LM4132 成為以下用途的理想選擇 電池供電的解決方案。

LM4132 有五個等級(A、B、C、D 和 E)可供選擇,具有更大的靈活性。這 最佳等級器件 (A) 的初始精度為 0.05%,具有指定的溫度系數 10 ppm/°C 或更低,而最低等級器件 (E) 的初始精度為 0.5%,并且 溫度系數為 30 ppm/°C。

特性

  • 符合汽車應用標準
  • AEC-Q100 符合以下標準:
    • 器件溫度等級 1:–40°C 至 +125°C 環境工作溫度范圍
    • 設備 HBM ESD 分類 2 級
  • 輸出初始電壓精度:0.05%
  • 低溫系數:10 ppm/°C
  • 電源電流:60 μA
  • 使能引腳允許3 μA關斷模式
  • 20mA 輸出電流
  • 電壓選項:1.8 V、2.048 V、2.5 V、3 V、3.3 V、4.096 V
  • 提供定制電壓選項(1.8 V 至 4.096 V)
  • VV 范圍 裁判 + 400 mV 至 5.5 V(10 mA 時)
  • 使用低ESR陶瓷電容器穩定

參數

image.png

方框圖

image.png

產品概述

LM4132系列是德州儀器(TI)推出的精密CMOS電壓基準芯片,具有以下核心特性:

  1. ?高精度?:初始輸出電壓精度達0.05%(A級),溫度系數低至10 ppm/°C
  2. ?低功耗?:靜態電流僅60μA,關斷模式下僅3μA
  3. ?寬電壓范圍?:輸入電壓范圍VREF + 400mV至5.5V(10mA負載時)
  4. ?輸出能力?:可提供20mA輸出電流
  5. ?封裝?:小型SOT-23(5引腳)封裝,尺寸2.90mm × 1.60mm

關鍵特性

電氣特性

  • ?輸出電壓選項?:1.8V、2.048V、2.5V、3V、3.3V、4.096V
  • ?溫度范圍?:-40°C至+125°C(汽車級AEC-Q100認證)
  • ?長期穩定性?:1000小時穩定性典型值50ppm
  • ?熱遲滯?:典型值75ppm(-40°C至125°C循環后)
  • ?噪聲性能?:0.1Hz-10Hz噪聲電壓175-350μVpp(不同電壓版本)

功能特點

  • 集成使能(EN)引腳,支持低功耗關斷模式
  • 無需輸出電容即可穩定工作(最大支持10μF負載電容)
  • 采用EEPROM修調技術,克服封裝應力導致的精度偏移
  • 提供五種精度等級(A-E),滿足不同應用需求

應用領域

  • 儀器儀表和過程控制
  • 測試設備
  • 數據采集系統
  • 基站設備
  • 伺服系統
  • 便攜式電池供電設備
  • 汽車和工業系統
  • 精密穩壓器
  • 電池充電器
  • 通信設備
  • 醫療設備

設計要點

  1. ?輸入電容?:必須使用至少0.1μF陶瓷電容(X5R/X7R)
  2. ?輸出電容?:可選(最大10μF),可改善負載瞬態響應
  3. ?布局建議?:
    • 靠近PCB邊緣安裝以減少機械應力
    • 可采用U型槽隔離技術降低PCB應力影響
    • 旁路電容應盡量靠近器件引腳
  4. ?熱管理?:
    • SOT-23封裝熱阻:164.1°C/W(結到環境)
    • 最大功耗需根據環境溫度降額

產品系列

文檔詳細列出了LM4132和汽車級LM4132-Q1的各種型號,包括不同輸出電壓、精度等級和封裝選項,以及對應的訂貨型號和包裝信息。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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