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CSD95372BQ5M 60A 同步降壓 NexFET? 智能功率級數(shù)據(jù)手冊

科技綠洲 ? 2025-08-07 14:06 ? 次閱讀
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CSD95372BQ5M NexFET? 智能功率級是一種高度優(yōu)化設(shè)計,用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。本產(chǎn)品集成了驅(qū)動 IC 和功率 MOSFET,以完成功率級開關(guān)功能。 這 組合可在小型封裝中產(chǎn)生高電流、高效率和高速開關(guān)能力5 毫米× 6 毫米外形封裝。它還集成了精確的電流檢測和溫度傳感功能,以簡化系統(tǒng)設(shè)計并提高精度。此外,PCB封裝已經(jīng)過優(yōu)化,有助于縮短設(shè)計時間并簡化整體系統(tǒng)設(shè)計。
*附件:csd95372bq5m.pdf

特性

  • 60 A 連續(xù)工作電流能力
  • 30 A 時系統(tǒng)效率為 93.4%
  • 30 A 時功耗低至 2.8 W
  • 高頻工作(高達 1.25 MHz)
  • 帶FCCM的二極管仿真模式
  • 溫度補償雙向電流
    檢測
  • 模擬溫度輸出(0°C時為600 mV)
  • 故障監(jiān)控
    • 高側(cè)短路、過流和
      過溫保護
  • 兼容 3.3 和 5V PWM 信號
  • 三態(tài) PWM 輸入
  • 集成自舉二極管
  • 優(yōu)化的死區(qū)時間,用于射穿保護
  • 高密度 SON 5 × 6 mm 封裝
  • 超低電感封裝
  • 系統(tǒng)優(yōu)化的PCB封裝
  • 符合 RoHS 標準 – 無鉛端子電鍍
  • 無鹵素

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

?1. 核心特性?

  • ?高性能參數(shù)?:支持60A連續(xù)工作電流,系統(tǒng)效率達93.4%(30A時),功率損耗僅2.8W(30A)。
  • ?高頻操作?:支持最高1.25MHz開關(guān)頻率,集成二極管仿真模式(FCCM可調(diào))。
  • ?監(jiān)測保護?:
    • 溫度補償雙向電流檢測
    • 模擬溫度輸出(0°C時600mV)
    • 故障保護(高側(cè)短路、過流、過熱)
  • ?兼容性?:支持3.3V/5V PWM信號,集成自舉二極管,優(yōu)化死區(qū)時間防止直通。
  • ?封裝?:5×6mm SON超低電感封裝,符合RoHS無鉛標準。

?2. 典型應(yīng)用?

  • 多相同步降壓轉(zhuǎn)換器(高頻/大電流場景)
  • 負載點(POL)DC-DC轉(zhuǎn)換器
  • 內(nèi)存/顯卡供電
  • 桌面/服務(wù)器VR11.x/VR12.x核心電壓轉(zhuǎn)換

?3. 功能描述?
集成驅(qū)動IC與功率MOSFET,提供高密度、高效率的電源解決方案。關(guān)鍵功能包括:

  • ?電流/溫度檢測?:通過IOUT和TAO引腳實現(xiàn)精準監(jiān)測。
  • ?工作模式?:
    • 強制連續(xù)導(dǎo)通模式(FCCM=HIGH)
    • 二極管仿真模式(FCCM=LOW)
  • ?保護機制?:ENABLE引腳控制開關(guān),故障時TAO拉高至3.3V報警。

?4. 電氣參數(shù)?

  • ?極限值?:VIN≤25V,VSW≤20V,結(jié)溫范圍-55°C~150°C。
  • ?推薦條件?:VDD=4.5~5.5V,VIN≤16V,開關(guān)頻率≤1.25MHz。

?5. 封裝與訂購?

  • ?封裝規(guī)格?:LSON-CLIP(5×6mm),支持13英寸/7英寸卷帶封裝。
  • ?型號選項?:
    • CSD95372BQ5M(標準版,2500片/卷)
    • CSD95372BQ5MT(小卷帶,250片/卷)

?6. 設(shè)計支持?

  • 提供優(yōu)化PCB布局建議(如0.1μF自舉電容配置)。
  • 典型應(yīng)用圖展示多相控制器連接方案。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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