全球新能源汽車產業正經歷一場"功率革命"：800V高壓平臺滲透率提高，車規級SiC模塊的市場需求增速爆發。

在這片被英飛凌、意法半導體等國際巨頭長期壟斷的賽道上，一家成立僅5年左右的中國新銳企業——利普思，正通過技術創新和規模化生產，逐步提升國產競爭力。

總投資10億元! 年產車規級SiC模塊300萬只

2025年3月1日，總投資10億元的利普思車規級SiC模塊項目在江蘇江都開發區正式動工。

SiC作為第三代半導體材料的代表，因其高擊穿電場、高熱導率、低導通損耗等優異特性，在新能源汽車、光伏、儲能等領域展現出巨大潛力。

據了解，該SiC項目占地32畝，項目建成后可實現年產車規級SiC模塊300萬只，年銷售收入10億元，年稅收5000萬元，經濟效益顯著。

值得關注的是，此次新建SiC產能將與現有生產基地形成協同發展格局。

利普思在無錫和日本已建成成熟產線。待新項目投產后，將形成SiC模塊年產能超360萬只的“質”的突破。

通過中國長三角與日本地區的產能聯動，利普思將構建起輻射整個東亞汽車市場的戰略支點體系。

同時，這一產能擴張戰略深度契合新能源汽車產業的高速發展需求。

隨著汽車電氣化進程加速，48V電氣架構、800V電壓平臺正成為行業主流配置方案，而作為電驅系統"心臟"的車規級SiC功率模塊，其市場需求呈現爆增態勢。

QYResearch數據顯示，2023年全球車規級SiC功率模組市場銷售額達到了125億元，預計2030年將達到657.1億元，年復合增長率(CAGR)為24.1%(2024-2030)。

面對百億級市場機遇，利普思通過規模化生產實現降本增效的良性循環。同時，依托長三角地區完善的半導體產業鏈和新能源汽車產業集群，企業得以實現供應鏈深度協同，將優勢轉化為強勁的市場競爭力。

盡管車規級SiC模塊市場的主要競爭者包括意法半導體、比亞迪半導體、英飛凌等知名企業，利普思正通過技術創新和規模化生產，正在逐步提升其市場競爭力。

不過，在全球半導體巨頭紛紛布局SiC賽道的背景下，利普思大幅擴充產能，究竟有何制勝法寶?

ArcbondingTM技術 獲北美Tier1項目定點

利普思成立于2019年，專注于第三代功率半導體SiC模塊的封裝設計、制造與銷售。

公司于2021年先后完成Pre-A輪4000萬元融資及近億元人民幣A輪融資;2022年獲數千萬元A+輪融資;2023年獲逾億元Pre-B輪融資。

公司核心產品HPD SiC模塊在800V電壓平臺下峰值功率達250kW，并采用自主專利ArcbondingTM技術。

圖/利普思

相較傳統SiC模塊，采用ArcbondingTM技術的HPD SiC模塊，具有顯著優勢：更大的電流、更低的導通電阻、更小的寄生電感和熱阻，以及更優的開關損耗表現。

在技術性能方面，該模塊支持6-10個SiC芯片并聯，在保持低寄生電阻和電感的同時，兼具優異的動態開關性能。

據悉，HPD SiC模塊于2024年獲得北美知名新能源汽車Tier1項目定點。

此外，利普思開發的新一代塑封半橋SiC模塊——LPS-Pack系列，采用Pressfit Pin技術實現信號和電流傳輸，實現SiC on PCB架構，使電流直接通過PCB，顯著降低模塊和系統的寄生電感，同時減小控制器體積，降低銅排和電容成本。

圖/利普思

該系列采用新型塑封工藝，Tjmax達200℃。單模塊在小于26cm2的面積內可實現300Arms以上的最大電流輸出。

盡管技術優勢顯著，利普思仍需直面行業共性難題：

技術卡脖子：英飛凌、意法半導體等國際巨頭持有全球多數SiC核心專利，國內企業需在芯片設計、封裝工藝等環節加速突破;

成本困局：SiC襯底良率不足導致模塊成本居高不下，規模化降本依賴上下游協同;

供應鏈風險：全球SiC襯底產能大部分集中于海外企業，地緣政治波動可能加劇原材料供應不確定性。

小結

利普思江都項目的投產，是企業發展征程中的關鍵一步，更是我國半導體產業在車規級 SiC 領域奮進的生動縮影。這個從無錫起步的企業，用自主專利技術勾勒出國產替代的現實路徑。

然而，從行業整體來看，利普思所面臨的 “技術卡脖子”“成本困局”“供應鏈風險” 等難題，絕非個別企業的困境，而是整個中國車規級 SiC 產業發展路上的 “攔路虎”。

破解這些難題，更需要企業、科研機構、行業協會乃至政府部門協同發力。

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審核編輯 黃宇