在工業4.0浪潮的推動下，智能制造、工業控制及自動化領域快速發展，IGBT作為高壓電機驅動設備的核心，市場需求持續攀升。上海貝嶺受邀參加由AspenCore主辦的2025第五屆國際電機驅動與控制論壇，將與國際和本土知名廠商的技術和應用專家共同帶來電機驅動領域的最新技術。

大會將于2025年7月24日在深圳市舉辦，屆時上海貝嶺工業市場經理康博將進行“從硅片到系統：上海貝嶺IGBT黃金組合賦能電機升級“主題演講，誠邀您共聚深圳，共襄盛會！

本次貝嶺攜“多款” 先進產品參展，以下是產品介紹：

650V 10A~75A系列IGBT產品

產品性能及應用介紹

基于貝嶺第6代Trench FS IGBT工藝平臺，采用3um pitch的微溝槽工藝，正面結構采用精心設計的“Gate溝槽+dummy溝槽” 比例，背面采用優化的H FS工藝，獲得良好Vcesat-Eoff折衷性能，以及優秀的短路能力；終端采用優化的“FLR+場板技術”，實現175℃的最高工作結溫，并且可以通過HV-H3TRB的加嚴可靠性測試。

650V 80A~200A 系列IGBT產品

產品性能及應用介紹

基于貝嶺第7代Trench FS IGBT工藝平臺，采用更加先進的1.6um pitch微溝槽工藝，正面結構通過“Gate溝槽+E短接溝槽+dummy 溝槽”3種溝槽的設計比例優化，背面采用優化的H FS工藝，獲得足夠低的Vceast和良好的開關損耗，滿足電機驅動應用所需的短路能力；終端采用優化的“VLD技術”，在提高芯片有效面積占比的同時，實現175℃的最高工作結溫，并且可以通過HV-H3TRB的加嚴可靠性測試。

40V SGT MOS產品

產品性能及應用介紹

貝嶺40V系列SGT MOS基于GTA最新的低壓SGT工藝平臺，采用紅磷襯底及HDP工藝：紅磷襯底的電阻率只有砷襯底的1/3，采用紅磷可以顯著降低襯底電阻；HDP工藝可以制得高密度元胞，降低溝道電阻及整體導通電阻。得益于精心調試的工藝，高密度元胞并沒有額外增加應力，wafer仍然可以減薄至100um(非taiko)，這也顯著降低了襯底電阻。

封裝方面，40V SGT主要是PDFN5*6封裝，鍵合方式有常規鋁帶和銅片clip兩種：常規鋁帶的封裝電阻小于鋁絲鍵合，成本較低；銅片clip的封裝電阻遠小于鋁絲/鋁帶鍵合，過流能力較強。

80~150V SGT MOS產品

產品性能及應用介紹

上海貝嶺80~150V系列SGT MOS基于GTA最新的中高壓SGT工藝平臺，采用雙層EPI優化了電場分布，因此采用更高摻雜濃度的EPI也能保持BV不掉，從而顯著降低了導通電阻。其中80~100V系列得益于精心調試的工藝，獲得較高密度元胞的同時wafer可以減薄至100um(非taiko)，有效降低了襯底電阻；而150V系列則采用HDP工藝制得高密度元胞，顯著降低了溝道電阻及降低了柵電荷。