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?產(chǎn)學(xué)研深度融合:無錫迪仕電子與中科院微電子所共建先進封裝聯(lián)

霍爾元件專欄 ? 來源:霍爾元件專欄 ? 作者:霍爾元件專欄 ? 2025-07-08 15:19 ? 次閱讀
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?產(chǎn)學(xué)研深度融合:無錫迪仕電子與中科院微電子所共建先進封裝聯(lián)合實驗室?

?——聚焦三維集成與系統(tǒng)級封裝技術(shù),賦能國產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)升級?

近日,無錫迪仕電子科技有限公司與中國科學(xué)院微電子研究所正式簽署合作協(xié)議,雙方將共建“先進封裝與系統(tǒng)集成聯(lián)合實驗室”,重點攻關(guān)三維集成封裝(3D TSV)、系統(tǒng)級封裝(SiP)及高密度互連技術(shù)。此次合作標(biāo)志著迪仕科技在磁性傳感器領(lǐng)域的技術(shù)積累與中科院微電子所在集成電路封裝領(lǐng)域的科研優(yōu)勢深度結(jié)合,旨在突破國產(chǎn)半導(dǎo)體封裝技術(shù)的“卡脖子”環(huán)節(jié),推動國產(chǎn)芯片自主可控進程。

合作背景:技術(shù)互補與產(chǎn)業(yè)需求驅(qū)動?

無錫迪仕電子科技作為國內(nèi)磁性傳感器領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),長期為美的、華為、上汽等知名企業(yè)提供霍爾元件、線性傳感器等核心部件,產(chǎn)品覆蓋智能門鎖、物聯(lián)網(wǎng)終端、新能源汽車等領(lǐng)域。中科院微電子所則是國內(nèi)微電子領(lǐng)域?qū)W科方向布局最完整的科研機構(gòu),主導(dǎo)建設(shè)了“高密度集成電路封裝技術(shù)國家工程實驗室”,在三維封裝、TSV互連、晶圓級封裝等領(lǐng)域擁有多項核心技術(shù)。

此次合作源于雙方對國產(chǎn)半導(dǎo)體封裝技術(shù)升級的共同需求。隨著智能終端、新能源汽車、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的快速發(fā)展,市場對高密度、小型化、低功耗封裝技術(shù)的需求激增,而國產(chǎn)封裝技術(shù)在材料、工藝、設(shè)備等方面仍存在短板。通過共建聯(lián)合實驗室,迪仕科技將依托中科院微電子所的科研平臺,加速磁性傳感器與系統(tǒng)級封裝的融合創(chuàng)新,提升產(chǎn)品競爭力。

?合作內(nèi)容:聚焦三大技術(shù)方向?

?三維集成封裝(3D TSV)技術(shù)攻關(guān)?

聯(lián)合實驗室將重點研發(fā)基于TSV(硅通孔)技術(shù)的三維堆疊封裝工藝,突破芯片間高速互連、熱管理、應(yīng)力控制等關(guān)鍵技術(shù),實現(xiàn)傳感器模塊的微型化與高性能化。

?系統(tǒng)級封裝(SiP)技術(shù)優(yōu)化?

針對物聯(lián)網(wǎng)終端、新能源汽車等場景,開發(fā)多芯片異構(gòu)集成封裝方案,將磁性傳感器、MCU、功率器件等集成于單一封裝體內(nèi),降低系統(tǒng)成本并提升可靠性。

?高密度互連材料與工藝研發(fā)?

聯(lián)合實驗室將探索新型低介電常數(shù)材料、納米改性封裝基板等創(chuàng)新技術(shù),提升封裝密度與信號傳輸效率,滿足5G通信AI算力芯片等高端需求。

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?合作模式:產(chǎn)學(xué)研協(xié)同創(chuàng)新?

?科研端?:中科院微電子所提供前沿技術(shù)指導(dǎo)與設(shè)備支持,迪仕科技投入研發(fā)資金與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用場景。

?生產(chǎn)端?:聯(lián)合實驗室成果將優(yōu)先在迪仕科技的無錫、江陰等生產(chǎn)基地實現(xiàn)量產(chǎn),確保技術(shù)快速轉(zhuǎn)化。

?人才端?:雙方共建研究生聯(lián)合培養(yǎng)基地,中科院微電子所為迪仕科技定向輸送封裝技術(shù)人才。

?產(chǎn)業(yè)影響:推動國產(chǎn)半導(dǎo)體封裝升級?

此次合作不僅將提升迪仕科技在磁性傳感器封裝領(lǐng)域的技術(shù)壁壘,更有望為國產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來以下突破:

?技術(shù)自主化?:減少對進口封裝設(shè)備與材料的依賴,降低供應(yīng)鏈風(fēng)險。

?成本優(yōu)化?:通過高密度集成封裝技術(shù),降低終端產(chǎn)品體積與制造成本。

?應(yīng)用拓展?:推動磁性傳感器在醫(yī)療設(shè)備、航空航天等高端領(lǐng)域的國產(chǎn)化替代。

?未來展望:打造國際一流封裝技術(shù)平臺?

根據(jù)協(xié)議,聯(lián)合實驗室計劃在未來三年內(nèi)完成5項以上核心技術(shù)攻關(guān),申請發(fā)明專利10項,并推動2項以上技術(shù)實現(xiàn)量產(chǎn)。迪仕科技運營總監(jiān)趙鵬表示:“此次合作是迪仕科技從‘傳感器制造商’向‘系統(tǒng)級封裝解決方案提供商’轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵一步,我們將與中科院微電子所共同打造具有國際競爭力的封裝技術(shù)平臺。”

中科院微電子所相關(guān)負(fù)責(zé)人指出:“無錫是長三角半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群的核心區(qū)域,迪仕科技在磁性傳感器領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗與我們的科研優(yōu)勢高度互補。聯(lián)合實驗室的建立將進一步鞏固無錫在全國封裝測試領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。”

此次產(chǎn)學(xué)研深度融合,標(biāo)志著國產(chǎn)半導(dǎo)體封裝技術(shù)向高端化、自主化邁出重要一步,也為區(qū)域產(chǎn)業(yè)升級提供了創(chuàng)新范本。

審核編輯 黃宇

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