国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

未來(lái)3DXPOINT存儲(chǔ)器技術(shù)讀寫速度是現(xiàn)在的1000倍

MEMS ? 來(lái)源:未知 ? 作者:胡薇 ? 2018-05-10 16:08 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

4月26日晚10:00,夜色漸深,武昌喻家湖東路,武漢光電國(guó)家研究中心的實(shí)驗(yàn)室里仍然燈火通明,100多人的研發(fā)團(tuán)隊(duì)正挑燈夜戰(zhàn),全力研發(fā)“下一代存儲(chǔ)芯片”。在實(shí)驗(yàn)室里,貼著滿滿一墻團(tuán)隊(duì)在國(guó)際知名期刊上發(fā)表的論文,以及大批專利證書(shū)。“我們正在攻關(guān)的是基于相變存儲(chǔ)器的3DXPOINT存儲(chǔ)器技術(shù),預(yù)計(jì)明年能在實(shí)驗(yàn)室研發(fā)成功。到時(shí)候,芯片的讀寫速度會(huì)比現(xiàn)在快1000倍,可靠性提高1000倍,一旦產(chǎn)業(yè)化成功,將顛覆產(chǎn)業(yè)格局。目前,英特爾等產(chǎn)業(yè)巨頭也在研究這一方向。”研發(fā)負(fù)責(zé)人、華中科技大學(xué)教授繆向水介紹。“芯片是信息社會(huì)的糧食,其中存儲(chǔ)器芯片是應(yīng)用最廣泛的,市場(chǎng)最大的芯片,所有的電子產(chǎn)品,包括手機(jī)、相機(jī)、電腦都離不開(kāi)它。當(dāng)前,我國(guó)每年進(jìn)口額高達(dá)2600億美元,其中四分之一是存儲(chǔ)器,95%的存儲(chǔ)器芯片依靠進(jìn)口。”他說(shuō)。

繆向水(左二)與學(xué)生們交流(記者康鵬攝)53歲的繆向水自1986年開(kāi)始研究信息存儲(chǔ)技術(shù),曾在亞洲排名第一的新加坡國(guó)立大學(xué)任教10年,2007年回國(guó)后,開(kāi)始自主研發(fā)存儲(chǔ)器芯片,同時(shí)兼任武漢新芯的首席科學(xué)家。

自主研發(fā)的道路并不平坦,繆向水介紹,芯片是一個(gè)高度復(fù)雜的科技產(chǎn)品,5毫米見(jiàn)方的硅片上,電路只有頭發(fā)的幾百分之一粗細(xì),肉眼無(wú)法看到,每個(gè)存儲(chǔ)器加工過(guò)程有66步工藝,一步都不能錯(cuò),且芯片加工設(shè)備昂貴,流片出錯(cuò)的成本極高,一不小心損失可達(dá)上千萬(wàn)。

多年來(lái),繆向水帶領(lǐng)科研團(tuán)隊(duì)不斷攻關(guān)克難。25歲的博士生馮金龍進(jìn)入研發(fā)團(tuán)隊(duì)已經(jīng)3年,他和團(tuán)隊(duì)成員們整天都泡在實(shí)驗(yàn)室里,不是在查閱資料,就是穿著白大褂,在超凈間的高倍顯微鏡下做實(shí)驗(yàn)。“我做的是芯片材料機(jī)理的研究,生活是單調(diào)了一點(diǎn),但發(fā)現(xiàn)新東西讓我很有成就感。”他說(shuō)。

“芯片是國(guó)之重器,信息產(chǎn)業(yè)嚴(yán)重依賴芯片,產(chǎn)業(yè)命脈應(yīng)該掌握在自己手上,重大核心技術(shù)必須靠自主研發(fā),不能讓別人卡著脖子。”繆向水表示,目前,我國(guó)的芯片產(chǎn)業(yè)離國(guó)外還有不少差距,但我們不能自暴自棄,也不能急于求成,要靜下心來(lái),坐冷板凳,堅(jiān)持自力更生,產(chǎn)學(xué)研協(xié)同,共同攻關(guān),未來(lái)我們一定能圓“芯片夢(mèng)”。據(jù)悉,當(dāng)前武漢芯片產(chǎn)業(yè)正快速發(fā)展,武漢新芯技術(shù)居業(yè)界前列,投資1600億元的國(guó)家存儲(chǔ)器基地也正在建設(shè)中,未來(lái),將成為萬(wàn)億級(jí)的超級(jí)產(chǎn)業(yè)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 存儲(chǔ)器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    39

    文章

    7739

    瀏覽量

    171686
  • 存儲(chǔ)芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    11

    文章

    1031

    瀏覽量

    44819

原文標(biāo)題:記者夜探武漢光電國(guó)家研究中心:“下一代存儲(chǔ)芯片”將快1000倍

文章出處:【微信號(hào):MEMSensor,微信公眾號(hào):MEMS】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    【案例5.1】存儲(chǔ)器選型的考慮要點(diǎn)

    【案例5.1】存儲(chǔ)器選型的考慮要點(diǎn)某設(shè)計(jì),用戶接口數(shù)據(jù)傳輸速率為10Gbps,每8個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)一次查表需求,數(shù)據(jù)表存儲(chǔ)在由DDR4SDRAM組成的存儲(chǔ)器中。工程師需綜合考慮各方面要求,進(jìn)行
    的頭像 發(fā)表于 03-04 17:20 ?208次閱讀
    【案例5.1】<b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>選型的考慮要點(diǎn)

    CW32F030 RAM存儲(chǔ)器的介紹

    時(shí)鐘頻率進(jìn)行訪問(wèn) ?支持奇偶校驗(yàn)功能 3 RAM 存儲(chǔ)器操作 用戶可執(zhí)行的 RAM 存儲(chǔ)器操作包括:讀操作、寫操作。 對(duì) RAM 的讀寫操作支持 8bit、16bit 和
    發(fā)表于 01-12 06:33

    DDR SDRAM是什么存儲(chǔ)器(雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器介紹)

    在計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備中,存儲(chǔ)器扮演著數(shù)據(jù)臨時(shí)存放與快速交換的關(guān)鍵角色。其中,DDR SDRAM(雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)已成為現(xiàn)代內(nèi)存的主流技術(shù)之一。它不僅在速度上顯著超越前代
    的頭像 發(fā)表于 12-08 15:20 ?1307次閱讀

    雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)原理

    在各類存儲(chǔ)設(shè)備中,SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)因其高速、低功耗和高可靠性,被廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中,雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器憑借其獨(dú)特的雙端口設(shè)計(jì),在高帶寬和多任務(wù)場(chǎng)景中表現(xiàn)尤為出色,成為提升系統(tǒng)效率的重
    的頭像 發(fā)表于 11-25 14:28 ?552次閱讀

    芯源MCU的RAM存儲(chǔ)器的操作

    用戶可執(zhí)行的RAM 存儲(chǔ)器操作包括:讀操作、寫操作。 對(duì)RAM 的讀寫操作支持8bit、16bit 和32bit 三種位寬,用戶程序可以通過(guò)直接訪問(wèn)絕對(duì)地址的方式完成讀寫, 但要注意讀寫
    發(fā)表于 11-21 07:46

    芯源的片上存儲(chǔ)器介紹

    片上FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成:主FLASH 存儲(chǔ)器和啟動(dòng)程序存儲(chǔ)器。 ●● 主 FLASH 存儲(chǔ)器,共 64KB,地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區(qū)
    發(fā)表于 11-12 07:34

    Everspin存儲(chǔ)器8位并行總線MRAM概述

    在需要高速數(shù)據(jù)寫入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中,Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹(shù)立了性能與耐用性的新標(biāo)桿。這款Everspin存儲(chǔ)器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲(chǔ)器,以高達(dá)35
    的頭像 發(fā)表于 10-24 16:36 ?671次閱讀

    spi psram偽靜態(tài)存儲(chǔ)器的特點(diǎn)是什么

    PSRAM之所以被稱為"偽靜態(tài)"存儲(chǔ)器,主要是因?yàn)槠洳捎妙怱RAM的接口協(xié)議:只需要提供地址和讀寫命令就可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存取,無(wú)需像傳統(tǒng)DRAM一樣需要內(nèi)存控制定期刷新數(shù)據(jù)單元。
    的頭像 發(fā)表于 10-23 14:29 ?417次閱讀

    基于FPGA的DDR控制設(shè)計(jì)

    DDR控制協(xié)議 DDR3讀寫控制主要用于生成片外存儲(chǔ)器DDR3 SDRAM進(jìn)行讀寫操作所需要的
    發(fā)表于 10-21 14:30

    FPGA搭建DDR控制模塊

    DDR3讀寫控制主要用于生成片外存儲(chǔ)器DDR3 SDRAM進(jìn)行讀寫操作所需要的時(shí)序,繼而實(shí)現(xiàn)對(duì)
    發(fā)表于 10-21 10:40

    用FPGA實(shí)現(xiàn)DDR控制模塊介紹

    DDR3讀寫控制主要用于生成片外存儲(chǔ)器DDR3 SDRAM進(jìn)行讀寫操作所需要的時(shí)序,繼而實(shí)現(xiàn)對(duì)
    發(fā)表于 10-21 08:43

    簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)高帶寬存儲(chǔ)器

    HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲(chǔ)器,是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。其核心設(shè)計(jì)是通過(guò)硅通孔(TSV)和微凸塊(Mic
    的頭像 發(fā)表于 07-18 14:30 ?4374次閱讀

    半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片核心解析

    Flash、ROM (只讀存儲(chǔ)器)、新興存儲(chǔ)器 (如 MRAM, PCM, ReRAM/FeRAM)。 3. 主流存儲(chǔ)芯片技術(shù)詳解 3.
    發(fā)表于 06-24 09:09

    SK海力士?jī)H選擇存儲(chǔ)器(SOM)的研發(fā)歷程

    人工智能與高性能計(jì)算(HPC)正以空前的速度發(fā)展,將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)和NAND閃存等傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)揮到極致。為了滿足人工智能時(shí)代日益增長(zhǎng)的需求,業(yè)界正在探索超越傳統(tǒng)
    的頭像 發(fā)表于 04-03 09:40 ?2027次閱讀

    STM32C031F4 FLASH存儲(chǔ)器讀寫例程各位高能不能提供一個(gè)?

    STM32C031F4FLASH存儲(chǔ)器 讀寫例程 各位高能不能提供一個(gè)謝謝大家
    發(fā)表于 03-13 07:37