給大家分享Monolithic Power Systems (MPS)MPQ2483DQ-LF-P PWM LED驅動IC的參數特性 EDA模型和數據手冊。
(MPS)MPQ2483DQ-LF-P的數據手冊免費下載
*附件:MPQ2483DQ.pdf
(MPS)MPQ2483DQ-LF-P 的EDA模型免費下載http://www.3532n.com/p/e855664119
http://www.3532n.com/p/e855664119
(MPS)MPQ2483DQ-LF-P PWM LED驅動IC是初級側CC/CV反激式調節器。特點?:
2. 應用領域
3. 封裝信息
- ?封裝類型?:SOIC8-7B
4. 電氣特性


4.1 供電電壓管理(VCC)
- VCC開啟閾值(V_CCH):18.8V至20.0V
- VCC關閉閾值(V_CCL):8.2V至9.2V
- 操作電流(I_OP):
- f_S = f_S-min時:235μA至300μA
- f_S = 40kHz時:0.55mA至0.85mA
4.2 內部MOSFET
- 擊穿電壓(V_BRDSS):700V
- 導通電阻(R_DSon):4.5Ω至6.5Ω(VCC=10V, I_DS=0.1A, T_J=25°C)
4.3 高壓電流源
- 供電電流(I_HV):1.8mA至2.6mA(VCC=18V, V_D=80V, T_J=25°C)
4.4 反饋輸入(FB)
- FB參考電壓(V_FB):3.90V至4.02V
- OLP閾值(V_FBolp):1.4V
- FB最大采樣時間(t_FBS-Max):多種配置,如R_SS=0Ω時,2.60μs至4.9μs
4.5 保護特性
- 過壓保護(OVP)閾值:5.7V至6.3V
- 過溫保護(OTP)閾值:140°C
5. 引腳功能
- ?FB?:反饋,決定工作模式(CV或CC)
- ?GND?:地
- ?DRAIN?:內部MOSFET漏極,集成高壓電流源
- ?SOURCE?:內部MOSFET源極,連接電流感應電阻
- ?SS?:選擇采樣時間
- ?CP?:輸出電纜補償
- ?VCC?:供電電壓

6. 操作原理

6.1 啟動
- 初始由內部高壓電流源供電,VCC達到開啟閾值后由輔助繞組供電
- VCC低于關閉閾值時,IC停止切換,高壓電流源再次開啟
6.2 峰值電流控制
- 使用電流感應電阻檢測初級電流,達到峰值時MOSFET關閉
- 恒流模式下,峰值電流參考固定;恒壓模式下,峰值電流由開關頻率調制
6.3 恒壓(CV)操作
- 通過FB引腳采樣輔助繞組電壓,調節輸出電壓
- 采樣時間可定制,以適應不同應用
6.4 恒流(CC)操作
- 峰值電流固定,CC環路控制功能維持次級二極管導通時間與開關周期之間的固定比率
7. 保護功能
- ?OVP?:FB電壓超過閾值時觸發
- ?OCkP?:無法每個周期監測FB電壓時觸發
- ?SSP?:達到最大導通時間時觸發
- ?OLP?:連續128個周期FB電壓低于閾值時觸發
- ?OTP?:結溫超過閾值時觸發
8. 應用信息
9. PCB布局指南
- 最小化輸入電容、變壓器初級繞組、MOSFET漏極和源極、感應電阻形成的環路面積
- 最小化電壓跳變區域,如MOSFET漏極、次級二極管陽極等
- 放置旁路電容盡可能靠近IC
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