TPS57114C-Q1 器件是一款功能齊全的 6V、4A、同步降壓電流模式轉(zhuǎn)換器,具有兩個集成 MOSFET。
TPS57114C-Q1 器件通過集成 MOSFET 實(shí)現(xiàn)小型設(shè)計(jì),實(shí)施電流模式控制以減少外部元件數(shù)量,通過實(shí)現(xiàn)高達(dá) 2MHz 的開關(guān)頻率來減小電感器尺寸,并通過小型 3mm × 3mm 熱增強(qiáng)型 QFN 封裝最大限度地減少 IC 占用空間。
*附件:tps57114c-q1.pdf
TPS57114C-Q1 器件具有精確的 ±1% 電壓基準(zhǔn) (V 裁判 ) 的 S S T
通過集成的 12mΩ MOSFET 和 515μA 典型電源電流,效率最大化。使用使能引腳,進(jìn)入關(guān)斷模式,關(guān)斷電源電流降至 5.5 μA。
內(nèi)部欠壓鎖定設(shè)置為 2.45 V,但使用使能引腳上的電阻網(wǎng)絡(luò)對閾值進(jìn)行編程可以提高設(shè)置。slow-start 引腳控制輸出電壓啟動斜坡。開漏電源良好信號指示輸出在標(biāo)稱電壓的 93% 至 107% 范圍內(nèi)。
頻率折返和熱關(guān)斷可在過流情況下保護(hù)器件。
特性
- 適用于汽車應(yīng)用
- 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn),結(jié)果如下:
- 器件溫度等級 1:-40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
- 器件 HBM ESD 分類 2 級
- 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
- 功能安全
- 兩個 12mΩ(典型值)MOSFET,可在 4A 負(fù)載下實(shí)現(xiàn)高效率
- 200kHz 至 2MHz 開關(guān)頻率
- 0.8 V ± 1% 電壓基準(zhǔn),整個溫度范圍(–40°C 至 +150°C)
- 與外部時鐘同步
- 可調(diào)慢啟動和排序
- UV 和 OV 電源就緒輸出
- –40°C 至 +150°C 工作結(jié)溫范圍
- 耐熱增強(qiáng)型 3mm × 3mm 16 引腳 WQFN
- 引腳與 TPS54418 兼容
參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述
TPS57114C-Q1是一款專為汽車應(yīng)用設(shè)計(jì)的同步降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器,具有2.95V至6V的輸入電壓范圍、4A的輸出電流能力以及高達(dá)2MHz的開關(guān)頻率。該轉(zhuǎn)換器集成了兩個低導(dǎo)通電阻的MOSFETs,提供了高效率和小尺寸的解決方案。
2. 關(guān)鍵特性
- ?汽車級認(rèn)證?:AEC-Q100認(rèn)證,適用于-40°C至+125°C的工作溫度范圍。
- ?高效率?:集成12mΩ MOSFETs,515μA典型供電電流,在4A負(fù)載下實(shí)現(xiàn)高效率。
- ?寬輸入電壓范圍?:支持2.95V至6V的輸入電壓。
- ?高開關(guān)頻率?:開關(guān)頻率可調(diào),范圍從200kHz至2MHz,支持小尺寸輸出濾波元件。
- ?精確電壓參考?:提供0.8V ± 1%的精確電壓參考。
- ?功能安全?:提供文檔支持功能安全系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
- ?熱增強(qiáng)封裝?:采用3mm × 3mm的16引腳WQFN封裝,具有裸露熱焊盤,增強(qiáng)散熱性能。
3. 應(yīng)用領(lǐng)域
- 低電壓、高密度電源系統(tǒng)。
- 高性能DSP、FPGA、ASIC和微處理器的點(diǎn)負(fù)載調(diào)節(jié)。
- 寬帶、網(wǎng)絡(luò)和光通信基礎(chǔ)設(shè)施。
4. 功能描述
- ?固定頻率PWM控制?:采用電流模式控制,減少外部組件數(shù)量,提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。
- ?慢啟動和跟蹤?:通過SS/TR引腳實(shí)現(xiàn)輸出電壓的慢啟動和跟蹤功能,減少啟動時的浪涌電流。
- ?UV和OV保護(hù)?:具有欠壓(UV)和過壓(OV)保護(hù)功能,確保輸出電壓在安全范圍內(nèi)。
- ?電源良好輸出?:PWRGD引腳指示輸出電壓是否處于正常范圍內(nèi)。
- ?熱關(guān)斷?:內(nèi)置熱關(guān)斷保護(hù)機(jī)制,防止過溫?fù)p壞。
- ?同步整流?:采用同步整流技術(shù),提高轉(zhuǎn)換效率。
5. 電氣特性
- ?輸入電壓范圍?:2.95V至6V。
- ?輸出電壓范圍?:0.8V至VIN(可調(diào))。
- ?輸出電流?:最大4A。
- ?開關(guān)頻率?:200kHz至2MHz(可調(diào))。
- ?軟啟動時間?:通過外部電容設(shè)置。
- ?熱關(guān)斷溫度?:約168°C,帶20°C遲滯。
6. 封裝和尺寸
- ?封裝類型?:16引腳WQFN封裝。
- ?尺寸?:3mm × 3mm。
7. 典型應(yīng)用電路
文檔提供了典型應(yīng)用電路圖,詳細(xì)說明了輸入電容、輸出電容、電感、電阻等元件的選擇和設(shè)計(jì)步驟。同時,建議使用TI的WEBENCH工具進(jìn)行電路設(shè)計(jì)和優(yōu)化。
8. 布局和設(shè)計(jì)指南
- ?布局建議?:強(qiáng)調(diào)輸入電容的旁路、關(guān)鍵信號的走線、熱管理等方面的布局考慮。
- ?設(shè)計(jì)考慮?:包括輸入電容、輸出電容、電感的選擇,慢啟動電容的計(jì)算,補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計(jì)等,以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和性能。
9. 文檔和支持
- ?技術(shù)文檔?:包括數(shù)據(jù)手冊、應(yīng)用筆記等,提供詳細(xì)的產(chǎn)品信息和應(yīng)用指導(dǎo)。
- ?設(shè)計(jì)工具?:支持使用TI的WEBENCH軟件進(jìn)行電路設(shè)計(jì)和優(yōu)化。
- ?社區(qū)資源?:提供TI E2E在線社區(qū)支持,方便工程師交流和獲取幫助。
10. 安全警示
- ?靜電放電(ESD)保護(hù)?:該器件具有有限的內(nèi)置ESD保護(hù),建議在存儲或處理時采取適當(dāng)?shù)念A(yù)防措施,以防止靜電損壞MOS柵極。
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