概述
ADuM3200/ [ADuM3201]均為采用ADI公司 iCoupler^?^ 技術的雙通道數字隔離器。這些隔離器件將高速CMOS與單芯片變壓器技術融為一體,具有優于光耦合器等替代器件的出色性能特征。
數據表:*附件:ADuM3200 ADuM3201雙通道數字隔離器,具有增強的系統級ESD可靠性技術手冊.pdf
iCoupler器件不用LED和光電二極管,因而不存在一般與光耦合器相關的設計困難。簡單的 iCoupler數字接口和穩定的性能特征,可消除光耦合器通常具有的電流傳輸比不確定、非線性傳遞函數以及溫度和使用壽命影響等問題。這些 iCoupler產品不需要外部驅動器和其它分立器件。此外,在信號數據速率相當的情況下,iCoupler i器件的功耗只有光耦合器的1/10至1/6。
ADuM3200/ADuM3201隔離器提供兩個獨立的隔離通道,支持多種通道配置和數據速率(請參考“訂購指南”)。它們的任一側均可采用3.3 V至5 V電源電壓工作,與低壓系統兼容,并且能夠跨越隔離柵實現電壓轉換功能。ADuM3200W和ADuM3201W為汽車應用級產品,工作溫度可達125°C。
與ADuM1200/ADuM1201隔離器相比,ADuM3200/ADuM3201隔離器包含多項電路和布局改進,系統級IEC 61000-4-x測試(ESD、突波和浪涌)顯示其性能大大增強。對于ADuM1200/ADuM1201或ADuM3200/ADuM3201產品,這些測試的精度主要取決于用戶電路板或模塊的設計與布局。欲了解更多信息,請參考應用筆記AN-793:“iCoupler隔離產品的ESD/閂鎖考慮因素”。
應用
特性
- 增強的系統級ESD保護性能,符合IEC 61000-4-x標準
- 工作溫度最高可達:125℃
- 8引腳窄體SOIC封裝,符合RoHS標準
- 低功耗工作
- 5 V 工作電壓(請參考數據手冊)
- 3.3 V工作電壓(請參考數據手冊)
- 雙向通信
- 3.3 V/5 V電平轉換
框圖
引腳配置描述
典型性能特征
應用信息
印刷電路板布局
ADuM3200/ADuM3201數字隔離器的邏輯接口無需外部接口電路。強烈建議在輸入和輸出電源引腳處進行電源去耦。去耦電容值應在0.01μF至0.1μF之間。電容兩端的總走線長度均不得超過20mm。有關電路板布局指南,請參閱AN - 1109應用筆記。
系統級靜電放電(ESD)考慮與增強措施
系統級ESD可靠性(例如,符合IEC 61000 - 4 - x標準)在很大程度上取決于系統設計,而系統設計因應用而異。ADuM3200/ADuM3201整合了眾多增強功能,使ESD可靠性對系統設計的依賴程度降低。這些增強功能包括:
- 在所有輸入/輸出接口添加靜電放電保護單元。
- 通過采用更寬的幾何形狀和并聯線條,降低關鍵金屬走線的電阻。
- 利用保護環和隔離技術,在PMOS和NMOS器件之間,最大程度減少CMOS器件中硅控整流(SCR)效應的影響。
- 采用覆蓋金屬,消除高電場集中區域。
- 在每個電源軌上使用更大的ESD鉗位,防止電壓過沖。
雖然ADuM3200/ADuM3201可提升系統級ESD可靠性,但它們無法替代完善的系統級設計。請參閱《AN - 739 iCoupler隔離產品Latch - Up考慮因素》,了解有關電路板布局和系統級設計的詳細建議。
傳播延遲相關參數
傳播延遲是描述邏輯信號通過一個組件所需時間的參數。邏輯高電平到邏輯低電平輸出的傳播延遲,可能與邏輯低電平到邏輯高電平輸出的傳播延遲不同。
脈沖寬度失真指的是兩種延遲值之間的最大差異,它體現了輸入信號時序的保真度。
通道間匹配是指單個ADuM3200/ADuM3201組件內不同通道之間,傳播延遲的最大差異量。
傳播延遲偏差是指在相同條件下運行的多個ADuM3200/ADuM3201組件之間,傳播延遲的最大差異量。
直流校正與磁場抗擾度
正負邏輯跳變(由隔離器輸入產生的窄脈沖,小于1納秒)可通過變壓器發送到解碼器。解碼器可被這些脈沖觸發或重置,從而指示輸入邏輯跳變。在輸入 absence(無信號)狀態下,若輸入有超過1微秒的邏輯跳變脈沖,解碼器會正確設置狀態,以確保輸出正確。如果解碼器側在約5微秒內未收到內部直流信號,則隔離器被視為未通電或出現故障(見表格32和表格33),此時看門狗定時器電路會將輸出強制設置為默認狀態。
ADuM3200/ADuM3201對外部磁場具有極強的抗擾性。隔離器對磁場的抗擾性由接收線圈中感應電壓是否足夠大來決定,感應電壓過大會導致解碼器誤觸發或重置。以下分析定義了可能出現這種情況的條件。對ADuM3200/ADuM3201的3V工作條件進行檢驗,因為這是最易受影響的工作模式。
變壓器輸出端的脈沖幅度大于1.0V。解碼器的感應閾值約為0.5V,因此可建立0.5V的裕量,在此裕量內,感應電壓可被承受。接收線圈上感應的電壓由下式給出:

- B 是磁通密度(高斯)。
- N 是接收線圈的匝數。
- r_n 是接收線圈中第n匝的半徑(厘米) 。

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