十三五國家重點研發計劃“光電子與微電子器件及集成”重點專項專家組組長、中科院半導體所副所長祝寧華表示，我國近年來不間斷地支持光電子領域的科技創新，從“863”計劃、“973”計劃到國家自然科學基金等各類項目，都投入大量資金引導高校、科研院所和企業對光電子芯片和模塊的關鍵技術進行了廣泛而深入的研究，取得了豐碩的創新性成果。

“當前我國已掌握中低端光電子器件關鍵技術，具備生產能力，但產能不足。在高端光電子器件研發方面，一些關鍵技術取得突破性進展，研制成功的原型器件通過系統功能驗證，某些關鍵技術達到國際先進水平。”祝寧華介紹，僅從“863”計劃的十二五規劃來看，國家針對寬帶通信、高性能計算機、骨干網絡、光交換、接入網、無線通信和微波光波融合等領域方向中的光電子器件進行了重點部署。

“這些研發項目有很多都是前瞻布局的，中興通訊此次受到限制的所有芯片，在十二五和十三五國家研究計劃中，都有相應的部署。”祝寧華說，半導體激光器被稱為信息網絡的心臟，可以看出以激光器為代表的光電子器件在通信系統設備中的重要作用。在光傳輸和交換設備中，光器件要占百分之六七十的成本比重，因此，我國近年來一直非常重視光電子器件的研究開發。

祝寧華分析，當前我國在光電子高端芯片研制上已具備基本條件，無論技術積累還是資金投入，以及高端核心人才的培養和儲備，都具備了一定基礎條件。“只要國家選定面向未來信息網絡急需的1—2類核心關鍵光電子芯片，集中資源，從設計、研發、器件制備到封裝測試進行綜合布局，同時通過國家引導、地方和企業的參與，構建完善的光電子芯片加工工藝平臺，相信高端芯片研發的短板能夠在5年內得到緩解。”

據了解，為實現自主創新發展，我國于2008年實施了國家科技重大專項“極大規模集成電路制造裝備及成套工藝”，經過9年攻關，成功打造了我國集成電路制造業創新體系。專項實施前，國內集成電路制造最先進的量產工藝為130納米，研發工藝為90納米。9年來，我國主流工藝水平提升了5代，55、40、28納米三代成套工藝研發成功并實現量產，22、14納米先導技術研發取得突破，已研制成功14納米刻蝕機、薄膜沉積等30多種高端裝備和靶材、拋光液等上百種材料產品，性能達到國際先進水平。封裝企業也從低端進入高端，三維高密度集成技術達到了國際先進水平。這一系列從無到有的突破，填補了產業鏈空白，使我國集成電路制造技術體系和產業生態得以建立和完善。

十三五國家重點研發計劃寬帶通信和新型網絡重點專項專家組成員、北京大學教授李紅濱表示，近年來我國通信產業取得的成績有目共睹。“從農用交換機和邊沿設備起步，到現在通信設備產品全覆蓋，從2G、3G再到4G、５G，我國的通信產業發展迅速，在通信系統技術方面已經位居世界前列。”

李紅濱表示，任何事物的發展都需要一個過程，我國通信行業也在經歷一個從低端到高端的發展過程。“事實上，這些年已經有不少企業投入大量研發力量去做高端研發，有的企業在關鍵芯片上已持續不斷地做了一二十年，也取得了創新性的成果。這是市場驅動的結果，也成為很多企業家的共識，企業要實現高質量發展、獲取更多利潤，必須在高端研發上投入更多精力。企業在投資研發高端芯片上的熱情，可以用躍躍欲試和大勢所趨來形容。”

李紅濱介紹，我國近年來在信息通訊領域加緊布局，組織實施了重大專項等多種項目，一些單憑企業自身無法實現的平臺、裝備等依靠國家投入已初見成效，今后將發揮更大作用。“只要我們堅持已有的開放、競爭合作、共同發展道路不動搖，集中政府、研發機構、企業的優勢力量，相信用不了太久，在產業鏈高端——核心芯片上也必然會取得同樣令世人矚目的成就。”