UCC27324-Q1 高速雙 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器可向容性負(fù)載提供大峰值電流。這些驅(qū)動(dòng)器采用一種本質(zhì)上將擊穿電流降至最低的設(shè)計(jì)，在 MOSFET 開關(guān)轉(zhuǎn)換期間，在米勒高原區(qū)域提供 4 A 的電流。獨(dú)特的雙極和 MOSFET 混合并聯(lián)輸出級(jí)還允許在低電源電壓下實(shí)現(xiàn)高效的電流源和吸收。

該器件采用標(biāo)準(zhǔn) SOIC-8 （D） 封裝。
*附件：ucc27324-q1.pdf

特性

• 適用于汽車應(yīng)用
• 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳排列
• Miller Plateau 地區(qū)的 ±4 A 高電流驅(qū)動(dòng)能力
• 即使在低電源電壓下也能實(shí)現(xiàn)高效的恒流源
• TTL 和 CMOS 兼容輸入，不受電源電壓的影響
• 1.8nF 負(fù)載時(shí)，典型上升時(shí)間為 20ns，典型下降時(shí)間為 15ns
• 典型傳播延遲時(shí)間為 25 ns（輸入下降時(shí)）和 35 ns（輸入上升時(shí)）
• 電源電壓為 4 V 至 15 V
• 電源電流：0.3 mA
• 雙輸出可并聯(lián)以獲得更高的驅(qū)動(dòng)電流
• 額定溫度范圍為 T J = –40°C 至 125°C
• TrueDrive? 輸出架構(gòu)采用雙極和 CMOS 晶體管并聯(lián)

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

1. 基本信息

• ?產(chǎn)品名稱?：UCC4-Q
• ?類型?：雙4A峰值高速低側(cè)功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器
• ?應(yīng)用?：開關(guān)模式電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制器、線路驅(qū)動(dòng)器、Class D開關(guān)放大器

2. 主要特點(diǎn)

• ?汽車級(jí)認(rèn)證?：適用于汽車應(yīng)用
• ?高電流驅(qū)動(dòng)?：在Miller平臺(tái)區(qū)域提供±A的驅(qū)動(dòng)電流
• ?雙輸出?：兩個(gè)獨(dú)立的輸出通道，可并聯(lián)以增加驅(qū)動(dòng)電流
• ?輸入兼容?：TTL和CMOS兼容輸入，獨(dú)立于電源電壓
• ?快速開關(guān)?：ns典型上升時(shí)間和ns典型下降時(shí)間（.nF負(fù)載）
• ?寬供電范圍?：V至V供電電壓
• ?熱增強(qiáng)封裝?：標(biāo)準(zhǔn)SOIC-封裝，提高長(zhǎng)期可靠性

二、引腳配置與功能

1. 引腳配置

• ?OUTA/OUTB?：驅(qū)動(dòng)輸出A/B，提供高達(dá)A的驅(qū)動(dòng)電流
• ?INA/INB?：輸入A/B，控制相應(yīng)驅(qū)動(dòng)器的開關(guān)
• ?GND?：公共地，應(yīng)緊密連接到被驅(qū)動(dòng)功率MOSFET的源極
• ?VDD?：供電電壓輸入
• ?NC?：無連接引腳，應(yīng)接地

2. 功能描述

• ?OUTA/OUTB?：輸出端，用于驅(qū)動(dòng)外部N溝道MOSFET的柵極
• ?INA/INB?：輸入端，接收控制信號(hào)以開關(guān)相應(yīng)的輸出
• ?GND?：提供公共參考地，確保電路穩(wěn)定
• ?VDD?：為驅(qū)動(dòng)器供電
• ?NC?：無電氣功能，設(shè)計(jì)用于接地以防止浮動(dòng)

三、電氣特性

1. 絕對(duì)最大額定值

• ?供電電壓?：4V至6V
• ?輸出電流?：DC 0.3A，脈沖4.5A
• ?結(jié)溫?：-°C至°C

2. 推薦操作條件

• ?供電電壓?：4V至5V

3. 電氣特性

• ?靜態(tài)工作電流?：典型值μA至μA（根據(jù)輸入狀態(tài)）
• ?輸出電阻?：高電平輸出電阻0.6Ω至.Ω，低電平輸出電阻0.Ω
• ?輸入閾值?：高電平輸入閾值1.6V至.V，低電平輸入閾值1.8V至.V

4. 開關(guān)特性

• ?上升時(shí)間?：ns至ns（1.8nF負(fù)載）
• ?下降時(shí)間?：ns至ns（1.8nF負(fù)載）
• ?傳播延遲?：輸入上升時(shí)5ns至0ns，輸入下降時(shí)ns至ns

四、應(yīng)用與實(shí)現(xiàn)

1. 應(yīng)用信息

• 適用于需要高速、高電流驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用，如開關(guān)模式電源和電機(jī)控制器

2. 典型應(yīng)用

• 提供了在PWM控制器和功率MOSFET之間的典型應(yīng)用電路圖

3. 設(shè)計(jì)考慮

• ?并聯(lián)輸出?：A和B驅(qū)動(dòng)器可并聯(lián)以增加驅(qū)動(dòng)電流
• ?傳播延遲?：根據(jù)系統(tǒng)開關(guān)頻率選擇合適的驅(qū)動(dòng)器
• ?電源旁路?：推薦使用兩個(gè)電源旁路電容以減少噪聲

五、布局與熱考慮

1. 布局指南

• ?驅(qū)動(dòng)靠近MOSFET?：減少寄生電感和噪聲
• ?電源旁路電容?：靠近VDD和GND放置旁路電容
• ?地平面?：使用地平面提供噪聲屏蔽和散熱路徑

2. 熱考慮

• ?熱阻?：提供了不同封裝下的熱阻信息
• ?散熱設(shè)計(jì)?：選擇合適的封裝以滿足熱設(shè)計(jì)要求

六、封裝與訂購(gòu)信息

1. 封裝選項(xiàng)

• ? SOIC- (D) ?：標(biāo)準(zhǔn)引腳小外形集成電路封裝

2. 訂購(gòu)信息

• 提供了訂購(gòu)信息，包括狀態(tài)、材料類型、封裝尺寸、載帶和卷盤信息、RoHS狀態(tài)等