UCC27322 采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳布局，可提供 9 A 的峰值驅(qū)動(dòng)電流。這些驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)最大的 MOSFET，適用于由于高 dV/dt 轉(zhuǎn)換而需要極高米勒電流的系統(tǒng)。這消除了額外的外部電路，可以替換多個(gè)組件，以減少空間、設(shè)計(jì)復(fù)雜性和裝配成本。
*附件：ucc27322-ep.pdf

使用本質(zhì)上最小化擊穿電流的設(shè)計(jì)，這些輸出可以在 MOSFET 開關(guān)轉(zhuǎn)換期間在米勒平臺(tái)區(qū)域最需要的地方提供高柵極驅(qū)動(dòng)電流。獨(dú)特的雙極晶體管和 MOSFET 晶體管并聯(lián)混合輸出級(jí) （TrueDrive） 可在低電源電壓下實(shí)現(xiàn)高效電流傳輸。借助這種驅(qū)動(dòng)器架構(gòu)，UCC27322可用于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 6-A、9-A 和許多 12-A 驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用。還包括閂鎖和 ESD 保護(hù)電路。最后，UCC27322 提供使能 （ENBL） 功能，以更好地控制驅(qū)動(dòng)程序應(yīng)用程序的運(yùn)行。ENBL 在引腳 3 上實(shí)現(xiàn)，該引腳之前在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳輸出中未使用。它在內(nèi)部被拉至 VDD 系列用于高電平有效邏輯，并且可以保持開路以進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)作。

特性

• 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳排列，增加使能功能
• 使用 TrueDrive 在 Miller
  Plateau 地區(qū)實(shí)現(xiàn) ±9 A 的高峰值電流驅(qū)動(dòng)能力
• 使用獨(dú)特的雙極和
  CMOS 輸出級(jí)實(shí)現(xiàn)高效的恒流源
• TTL / CMOS 兼容型輸入，不受電源電壓的影響
• 10nF 負(fù)載時(shí)，上升時(shí)間為 20ns（典型值），下降時(shí)間為 15ns（典型值）
• 典型傳播延遲時(shí)間為 25 ns（輸入下降時(shí)）和
  35 ns（輸入上升時(shí)）
• 4V 至 15V 電源電壓
• 無鉛表面處理 （NiPdAu）
• 應(yīng)用
  • 受控基線
  • 一個(gè)裝配/測(cè)試站點(diǎn)
  • 一個(gè)制造工地
  • 額定溫度范圍為 –55°C 至 125°C
  • 延長產(chǎn)品生命周期
  • 延長產(chǎn)品變更通知
  • 產(chǎn)品可追溯性
• 應(yīng)用
  • 開關(guān)模式電源
  • DC/DC 轉(zhuǎn)換器
  • 電機(jī)控制器
  • 線路驅(qū)動(dòng)器
  • D 類開關(guān)放大器
  • 脈沖變壓器驅(qū)動(dòng)器

參數(shù)

一、產(chǎn)品概述

• ?型號(hào)?：UCC-EP
• ?類型?：A高速低側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器，帶使能功能
• ?特點(diǎn)?：
  • 高峰值電流驅(qū)動(dòng)能力：±9A
  • 典型上升時(shí)間：0ns，典型下降時(shí)間：5ns（0nF負(fù)載）
  • TTL/CMOS兼容輸入
  • 獨(dú)特的Bipolar和CMOS輸出級(jí)（TrueDrive?）
  • 使能（ENBL）功能，提供對(duì)驅(qū)動(dòng)器操作的更好控制
  • 支持國防、航空和醫(yī)療應(yīng)用

二、應(yīng)用領(lǐng)域

• 開關(guān)模式電源
• DC/DC轉(zhuǎn)換器
• 電機(jī)控制器
• 線驅(qū)動(dòng)器
• 類D開關(guān)放大器
• 脈沖變壓器驅(qū)動(dòng)器

三、引腳功能與配置

• ?VDD?：電源電壓輸入
• ?IN?：輸入信號(hào)
• ?ENBL?：使能輸入，邏輯高有效
• ?OUT?：驅(qū)動(dòng)輸出，可外部連接
• ?PGND?：輸出級(jí)公共地
• ?AGND?：輸入級(jí)公共地
• ?裸露焊盤?：用于熱連接和機(jī)械性能

四、電氣特性

• ?電源電壓范圍?：4V至5V
• ?靜態(tài)工作電流?：最大μA（VDD=V，ENBL=高，IN=高）
• ?輸出高電平電壓?：VDD-VOUT，最大mV（IOUT=-0mA）
• ?輸出低電平電壓?：最大5mV（IOUT=mA）
• ?峰值輸出電流?：A（VDD=V）

五、開關(guān)特性

• ?上升時(shí)間?：ns至ns（CLOAD=0nF）
• ?下降時(shí)間?：ns至ns（CLOAD=0nF）
• ?傳播延遲時(shí)間?：
  • 輸入上升：5ns至5ns
  • 輸入下降：5ns至5ns

六、熱特性

• 提供了多種熱阻參數(shù)，包括結(jié)到環(huán)境熱阻（θJA）、結(jié)到殼熱阻（θJC）等
• 支持的工作溫度范圍：-°C至°C

七、使能功能

• ENBL引腳內(nèi)部上拉至VDD，可通過外部連接控制驅(qū)動(dòng)器的啟用和禁用狀態(tài)
• 使能閾值和遲滯特性，提高噪聲免疫力

八、應(yīng)用信息

• 適用于需要高電流驅(qū)動(dòng)能力的MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
• 可作為低功率控制器與功率MOSFET之間的接口
• 提供高功率緩沖級(jí)，優(yōu)化PWM輸出與功率器件柵極之間的驅(qū)動(dòng)

九、布局與接地建議

• 推薦將驅(qū)動(dòng)器靠近其負(fù)載放置，以減少寄生電感和電容的影響
• 使用旁路電容減少噪聲，建議使用0.1μF陶瓷電容和1μF鋁電解電容并聯(lián)
• 分離輸入和輸出地的連接，以減少噪聲耦合