LMG1025-Q1 是一款單通道低側(cè)增強(qiáng)型 GaN FET 和邏輯電平 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器，適用于高開(kāi)關(guān)頻率汽車(chē)應(yīng)用。窄脈沖寬度能力、快速開(kāi)關(guān)規(guī)格和小脈沖失真相結(jié)合，顯著提高了 LiDAR、ToF 和功率轉(zhuǎn)換器的性能。1.25ns 輸出脈沖寬度可實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)大、人眼安全的二極管脈沖。這與 300ns 失真相結(jié)合，可實(shí)現(xiàn)更遠(yuǎn)距離、更精確的 LiDAR/ToF 系統(tǒng)。2.9ns 的傳播延遲顯著改善了控制環(huán)路響應(yīng)時(shí)間，從而改善了電源轉(zhuǎn)換器的整體性能。分離輸出允許通過(guò) OUTH、OUTL 和 FET 柵極之間的外部電阻器獨(dú)立調(diào)整驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和時(shí)序。
*附件：lmg1025-q1.pdf

該驅(qū)動(dòng)器具有欠壓鎖定 （UVLO） 和過(guò)溫保護(hù) （OTP） 功能，以確保器件在過(guò)載或故障情況下不會(huì)損壞。LMG1025-Q1 采用緊湊、無(wú)鉛、符合 AEC-Q100 汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)的封裝，以滿足高開(kāi)關(guān)頻率汽車(chē)應(yīng)用的尺寸和柵極環(huán)路電感要求。

特性

• 符合 AEC-Q100 1 級(jí)標(biāo)準(zhǔn)
• 1.25ns 典型最小輸入脈沖寬度
• 2.6ns 典型上升傳播延遲
• 2.9ns 典型下降傳播延遲
• 300ps 典型脈沖失真
• 獨(dú)立的 7A 上拉電流和 5A 下拉電流
• 650ps（典型值）上升時(shí)間（220pF 負(fù)載）
• 850ps（典型下降時(shí)間）（220pF 負(fù)載）
• 2mm x 2mm QFN 封裝
• 反相和非反相輸入
• UVLO 和過(guò)熱保護(hù)
• 單 5V 電源電壓

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

LMG-Q是一款專為高頻和窄脈沖應(yīng)用設(shè)計(jì)的汽車(chē)級(jí)低側(cè)GaN和MOSFET驅(qū)動(dòng)器。它適用于LiDAR、駕駛員監(jiān)控、車(chē)輛乘員檢測(cè)傳感器以及DC/DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用場(chǎng)景。

二、主要特性

• ?高頻性能?：支持高達(dá)MHz的開(kāi)關(guān)頻率，具有.ns的最小輸入脈沖寬度。
• ?快速響應(yīng)?：.ns的典型上升傳播延遲和.ns的典型下降傳播延遲。
• ?低脈沖失真?：ps的典型脈沖失真。
• ?強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力?：獨(dú)立的A拉電流和A灌電流。
• ?小型封裝?：采用mm x mm的QFN封裝，滿足汽車(chē)應(yīng)用對(duì)尺寸和柵極環(huán)路電感的要求。
• ?保護(hù)功能?：具有欠壓鎖定（UVLO）和過(guò)溫保護(hù)（OTP）功能。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

• ?汽車(chē)LiDAR?：提供高頻、低失真的脈沖驅(qū)動(dòng)，支持長(zhǎng)距離、高精度的LiDAR系統(tǒng)。
• ?駕駛員監(jiān)控與乘員檢測(cè)?：快速響應(yīng)能力適用于實(shí)時(shí)傳感器數(shù)據(jù)采集。
• ?DC/DC轉(zhuǎn)換器?：高頻開(kāi)關(guān)性能有助于提高電源轉(zhuǎn)換效率。

四、功能描述

• ?輸入階段?：采用Schmitt觸發(fā)器減少噪聲敏感性，具有正輸入（IN+）和負(fù)輸入（IN-）。
• ?輸出階段?：提供獨(dú)立的拉電流（OUTH）和灌電流（OUTL）輸出，允許通過(guò)外部電阻獨(dú)立調(diào)整開(kāi)關(guān)速度和EMI。
• ?UVLO功能?：在電源電壓低于設(shè)定閾值時(shí)，自動(dòng)關(guān)閉輸出，保護(hù)電路免受損壞。
• ?OTP功能?：當(dāng)結(jié)溫超過(guò)設(shè)定閾值時(shí)，自動(dòng)關(guān)閉驅(qū)動(dòng)器，防止過(guò)熱損壞。

五、典型應(yīng)用

LMG-Q通常與低側(cè)GaN FET或邏輯電平MOSFET一起使用，通過(guò)獨(dú)立的柵極驅(qū)動(dòng)電阻控制開(kāi)關(guān)速度和EMI。文檔提供了典型應(yīng)用電路圖，并詳細(xì)描述了設(shè)計(jì)要求和布局指南。

六、電源推薦

建議使用單個(gè)V電源供電，并在VDD和GND之間連接低ESR/ESL的陶瓷電容以支持高峰值電流。文檔推薦使用.μF和μF的電容組合來(lái)優(yōu)化瞬態(tài)性能。

七、布局指南

• ?最小化柵極環(huán)路電感?：驅(qū)動(dòng)器應(yīng)盡可能靠近功率器件放置，以減小柵極回路的寄生電感。
• ?旁路電容?：VDD旁路電容應(yīng)盡可能靠近驅(qū)動(dòng)器放置，以減少高頻噪聲和電源波動(dòng)。
• ?地平面連接?：驅(qū)動(dòng)器的地平面應(yīng)直接連接到功率器件的源極，以提供低阻抗的回流路徑。
• ?避免噪聲耦合?：在布局時(shí)應(yīng)避免在隔離屏障下方放置PCB走線或銅層，以防噪聲耦合。