LM2005 是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動(dòng)器，旨在以同步降壓或半橋配置驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。集成的自舉二極管無(wú)需外部分立二極管，從而節(jié)省了電路板空間并降低了系統(tǒng)成本。
*附件：lm2005.pdf

SH 引腳上的 –1V DC 和 –19.5V 瞬態(tài)負(fù)電壓處理提高了高噪聲應(yīng)用中的系統(tǒng)穩(wěn)健性。小型熱增強(qiáng)型 8 引腳 WSON 封裝允許將驅(qū)動(dòng)器放置在更靠近電機(jī)相位的位置，從而改善了 PCB 布局。LM2005 還采用與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳布局兼容的 8 引腳 SOIC 封裝。低側(cè)和高側(cè)電源軌均提供欠壓鎖定 （UVLO），用于在上電和斷電期間提供保護(hù)。

特性

• 在半橋配置中驅(qū)動(dòng)兩個(gè) N 溝道 MOSFET
• 集成自舉二極管
• GVDD 上的典型欠壓鎖定為 8V
• BST 上的最大電壓為 107V
• SH 上的最大絕對(duì)負(fù)瞬態(tài)電壓處理電壓為 –19.5V
• 0.5A/0.8A 峰值拉電流/灌電流
• 115ns 典型傳播延遲

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

LM5是一款高電壓半橋驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET，適用于同步降壓或半橋配置。該驅(qū)動(dòng)器集成了自舉二極管，具有8V的欠壓鎖定（UVLO）保護(hù)功能，并支持高達(dá)7V的BST電壓和-9.5V的SH引腳瞬態(tài)負(fù)電壓處理。

二、主要特性

• ?雙N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)?：適用于同步降壓轉(zhuǎn)換器或半橋配置。
• ?集成自舉二極管?：節(jié)省板上空間，降低系統(tǒng)成本。
• ?高電壓處理能力?：BST引腳絕對(duì)最大電壓為V，SH引腳瞬態(tài)負(fù)電壓處理能力為-9.5V。
• ? 欠壓鎖定（UVLO） ?：低側(cè)和高側(cè)電源軌均具備UVLO保護(hù)，提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。
• ?高峰值電流?：低側(cè)和高側(cè)驅(qū)動(dòng)器的峰值源/沉電流分別為.A和0.8A。
• ?快速響應(yīng)?：典型傳播延遲為5ns。
• ?緊湊封裝?：提供引腳SOIC和WSON封裝選項(xiàng)，適應(yīng)不同PCB布局需求。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

• 無(wú)刷直流（BLDC）電機(jī)
• 永磁同步電機(jī)（PMSM）
• 無(wú)線吸塵器
• 無(wú)線園林工具和電動(dòng)工具
• 電動(dòng)車(chē)和電動(dòng)滑板車(chē)
• 電池測(cè)試設(shè)備
• 離線不間斷電源（UPS）
• 通用MOSFET或IGBT驅(qū)動(dòng)器

四、功能描述

1. 輸入階段

• INH和INL輸入引腳兼容TTL和CMOS邏輯電平，未使用的輸入引腳必須接地。
• 無(wú)內(nèi)置去抖動(dòng)濾波器，傳播延遲和延遲匹配性能優(yōu)越。

2. 輸出階段

• 低側(cè)和高側(cè)輸出（GL和GH）獨(dú)立控制，支持軌到軌輸出。
• 高側(cè)驅(qū)動(dòng)器采用浮動(dòng)設(shè)計(jì)，通過(guò)BST和SH引腳供電。
• 輸出具備高峰值電流能力，支持快速開(kāi)關(guān)MOSFET。

3. 保護(hù)功能

• UVLO保護(hù)：監(jiān)測(cè)GVDD和BST電壓，確保在電壓不足時(shí)關(guān)閉輸出。
• SH引腳瞬態(tài)負(fù)電壓保護(hù)：允許SH引腳電壓瞬態(tài)低于地電位，提高系統(tǒng)魯棒性。

4. 集成自舉二極管

• 內(nèi)置自舉二極管簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)，減少了外部元件數(shù)量。
• 提高了電路的可靠性和穩(wěn)定性。

五、典型應(yīng)用

文檔提供了LM5在半橋轉(zhuǎn)換器中驅(qū)動(dòng)MOSFET的典型應(yīng)用電路圖，并詳細(xì)討論了設(shè)計(jì)要求和布局指南。

六、電源推薦

• GVDD供電電壓推薦范圍為V至V，需考慮UVLO閾值和滯回特性。
• BST引腳電壓應(yīng)高于SH引腳電壓，推薦最大值為V。
• 建議在GVDD和GND、BST和SH之間使用低ESR陶瓷旁路電容器，以支持高峰值電流并減少噪聲。

七、布局指南

• 門(mén)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)盡可能靠近MOSFET放置，以減小柵極驅(qū)動(dòng)回路的寄生電感。
• 旁路電容器應(yīng)盡可能靠近IC放置，以提供低阻抗路徑。
• 輸入和輸出信號(hào)跡線應(yīng)分開(kāi)，以減少噪聲耦合。
• 特別注意高側(cè)驅(qū)動(dòng)器的BST和SH引腳布局，確保可靠的電壓供應(yīng)和瞬態(tài)保護(hù)。