LM74722-Q1 理想二極管控制器可驅(qū)動和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET，以模擬具有電源路徑開/關(guān)控制和過壓保護功能的理想二極管整流器。3V 至 65V 的寬輸入電源可保護和控制 12V 和 24V 汽車電池供電的 ECU。該器件可以承受并保護負(fù)載免受低至 –65 V 的負(fù)電源電壓的影響。集成的理想二極管控制器 （GATE） 驅(qū)動第一個 MOSFET，以取代肖特基二極管，以實現(xiàn)反向輸入保護和輸出電壓保持。具有快速導(dǎo)通和關(guān)斷比較器的強大升壓穩(wěn)壓器可確保在汽車測試（例如 ISO16750 或 LV124）期間實現(xiàn)穩(wěn)健高效的 MOSFET 開關(guān)性能，其中 ECU 會受到輸入短時中斷和高達(dá) 200kHz 頻率的交流疊加輸入信號的影響。低靜態(tài)電流 35 μA（最大值），支持始終開啟的系統(tǒng)設(shè)計。在電源路徑中具有第二個 MOSFET，該器件允許使用 EN 引腳進行負(fù)載斷開控制。當(dāng) EN 為低時，靜態(tài)電流降至 3.3 μA（最大值）。該器件具有使用 OV 引腳的可調(diào)過壓截止或過壓箝位保護。
*附件：lm74722-q1.pdf

特性

• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，結(jié)果如下
  • 器件溫度等級 1：-40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 器件 HBM ESD 分類 2 級
  • 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
• 3V 至 65V 輸入范圍
• 低至 –65 V 的反向輸入保護
• 低靜態(tài)電流 35 μA（最大值）
• 3.3μA（最大值）的低關(guān)斷電流（EN = 低）
• 具有 13mV A 至 C 正向壓降調(diào)節(jié)的理想二極管作
• 驅(qū)動外部背靠背 N 溝道 MOSFET
• 集成 30mA 升壓穩(wěn)壓器
• 高達(dá) 200 kHz 的有源整流
• 對反向電流阻斷的快速響應(yīng)：0.5 μs
• 快進 GATE 導(dǎo)通延遲：0.72 μs
• 可調(diào)過壓保護
• 通過合適的 TVS 二極管滿足汽車ISO7637瞬態(tài)要求
• 采用節(jié)省空間的 12 引腳 WSON 封裝

參數(shù)

方框圖

概述

LM74722-Q1 是一款專為汽車應(yīng)用設(shè)計的低功耗理想二極管控制器，具有200kHz的主動整流功能和負(fù)載轉(zhuǎn)儲保護。它驅(qū)動并控制外部背對背N溝道MOSFETs，以模擬理想二極管整流器，并提供電源路徑的通斷控制和過壓保護。

主要特性

• ?寬輸入范圍?：支持3V至65V的輸入電壓，適用于12V和24V汽車電池供電的ECU。
• ?低功耗?：工作模式下最大靜態(tài)電流為35μA，關(guān)斷模式下最大靜態(tài)電流為3.3μA。
• ?理想二極管操作?：正向電壓降調(diào)節(jié)至13mV，零反向電流。
• ?主動整流?：高達(dá)200kHz的主動整流功能。
• ?快速響應(yīng)?：反向電流阻斷響應(yīng)時間為0.5μs，正向GATE開通延遲為0.72μs。
• ?過壓保護?：具有可調(diào)過壓保護和負(fù)載轉(zhuǎn)儲保護功能。
• ?AEC-Q100認(rèn)證?：符合汽車應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)，適用于-40°C至+125°C的工作溫度范圍。

應(yīng)用

• ?汽車電池保護?
• ?ADAS域控制器?
• ?高端音頻放大器?
• ?車載娛樂系統(tǒng)?

功能描述

• ?雙門控輸出?：GATE和PD兩個獨立的門控輸出，分別用于控制背對背N溝道MOSFETs。
• ?反向電池保護?：集成反向輸入保護，可承受低至-65V的負(fù)供電電壓。
• ?負(fù)載斷開控制?：PD引腳提供50μA驅(qū)動和88mA峰值下拉強度，用于控制負(fù)載斷開開關(guān)。
• ?過壓保護?：通過OV引腳實現(xiàn)可調(diào)過壓閾值，提供過壓切斷或過壓鉗位保護。
• ?電池電壓監(jiān)測?：集成電池電壓監(jiān)測功能，可通過VSNS和SW引腳連接電阻分壓器進行電池電壓監(jiān)測。

封裝與尺寸

• ?封裝類型?：12引腳WSON
• ?封裝尺寸?：3.00mm × 3.00mm

引腳功能與配置

• ?GATE?：二極管控制器門極驅(qū)動輸出，連接至外部MOSFET的GATE。
• ?A?：理想二極管的陽極，連接至外部MOSFET的源極。
• ?VSNS?：電壓監(jiān)測輸入。
• ?SW?：電壓監(jiān)測斷開開關(guān)終端，與VSNS內(nèi)部連接。
• ?OV?：可調(diào)過壓閾值輸入。
• ?EN?：使能輸入，連接至A或C引腳以實現(xiàn)常開操作。
• ?GND?：系統(tǒng)接地。
• ?PD?：下拉連接，用于外部HSFET的控制。
• ?LX?：內(nèi)部升壓調(diào)節(jié)器的開關(guān)節(jié)點。
• ?CAP?：升壓調(diào)節(jié)器輸出，用于驅(qū)動理想二極管階段的門極驅(qū)動器和HSFET的驅(qū)動電源。
• ?C?：理想二極管的陰極和供電電壓引腳，連接至外部MOSFET的漏極。
• ?RTN?：暴露的熱墊，保持浮動，不連接至GND平面。

電氣特性

• ?工作電壓范圍?：3V至65V。
• ?靜態(tài)電流?：工作模式下最大35μA，關(guān)斷模式下最大3.3μA。
• ?GATE驅(qū)動電壓?：9.5V至13V。
• ?升壓調(diào)節(jié)器輸出?：13V至15.5V。
• ?過壓閾值?：可調(diào)，典型值為1.23V。

應(yīng)用與實施

• ?典型應(yīng)用電路?：提供了12V反向電池保護和過壓保護的典型應(yīng)用電路。
• ?設(shè)計考慮?：包括MOSFET選型、電容和電感選擇、過壓保護和電池監(jiān)測電阻計算等。
• ?布局指南?：提供了PCB布局建議，以確保最佳性能和穩(wěn)定性。

文檔支持

• ?相關(guān)技術(shù)文檔?：包括數(shù)據(jù)手冊、應(yīng)用筆記等。
• ?支持資源?：提供TI E2E支持論壇鏈接，方便用戶獲取幫助。