概述
HMC8364是一款砷化鎵(GaAs)四頻單片微波集成電路(MMIC)電壓控制振蕩器(VCO)，專用于提供寬帶頻率功能，且不減弱相位噪聲性能。該器件集成了4個獨立的具有重疊頻段的窄帶VCO，采用18.10 GHz至26.60 GHz基波頻率范圍。在所有頻段內具有穩定一致的調諧靈敏度，幫助簡化了頻率合成器環路濾波器設計。

調諧端口適用于所有VCO內核，以實現簡單的鎖相環(PLL)反饋路徑設計。HMC8364也為功率敏感型應用提供典型的99 mA低電流消耗。

HMC8364將諧振器、負電阻器件和變容二極管集成在一起。振蕩器采用單片式結構，能夠提供極低的相位噪聲和優化的溫度穩定性，且可以免受振動和工藝變化影響。

4個VCO都包含在單個6 mm × 6 mm表貼引腳架構芯片級封裝(LFCSP)中，無需外部匹配組件。HMC8364與高頻率、高性能PLL ADF41513組合，提供完整的RF或微波頻率生成解決方案。
數據表：*附件：HMC8364 18.10 GHz至26.60 GHz四頻VCO技術手冊.pdf

應用

• 電子測試與測量
• 工業和醫療儀器儀表
• 點到點和點到多點無線電
• 航空航天和防務
• 無線通信基礎設施

特性

• 一組4個窄帶VCO，具有穩定的靈敏度與頻率
• RF和調諧端口可供所有4個VCO使用
• RF輸出通過基波振蕩器工作，無次諧波振蕩
• RF輸出功率高達4 dBm
• 電源靜音功能
• 無需采用外部諧振器
• 40引腳、6 mm × 6 mm LFCSP封裝

框圖

引腳配置描述

接口示意圖

典型性能特征

應用信息

HMC8364在微波合成器應用中用作本地振蕩器（LO） 。該器件的主要應用包括點對點和多點無線電、軍事雷達、測試測量、工業和醫療設備，以及無線通信基礎設施。其低相位噪聲允許更高階的調制，并改善通信系統中的誤碼率。穩定的帶隙濾波器設計可通過線性、單調調諧跨四個壓控振蕩器（VCO） 核心的靈敏度輕松實現，并且高輸出功率可提供驅動后續級所需的增益。級聯輸出緩沖放大器級確保了壓控振蕩器核心在寬輸出頻率范圍內的穩定性，并提升了其性能。

為實現壓控振蕩器核心的最佳性能，包括最低的相位噪聲，需使用高電源抑制比（PSRR）和低壓差（LDO）穩壓器，以最大限度地減少電源中的任何雜散頻率。ADM7150和LT3042滿足這些要求，是可接受的LDO穩壓器。

壓控振蕩器核心的寬頻率范圍意味著需使用低噪聲鎖相環合成器，如ADF41513。ADF41513的寬輸入帶寬（1 GHz至26.5 GHz）使其成為理想的微波合成器。HMC8362上的電荷泵電流可在ADF41513上進行調整，以補償壓控振蕩器靈敏度變化。許多應用需要盡可能快地在多個壓控振蕩器核心之間進行切換。不建議同時啟用多個壓控振蕩器核心，因此需采用多路復用器。推薦使用ADG1604。ADG1604具有低導通電阻，能夠在3 V或5 V邏輯下工作，并提供先斷后合的切換順序。或者，也可使用多個ADG854開關來實現啟用和禁用壓控振蕩器核心的功能。盡管此開關也包含先斷后合延遲，但用戶必須防止出現多個壓控振蕩器核心同時上電的情況。無論采用何種方法來控制壓控振蕩器核心，都可使用額外的ADG854來控制偏置，為級聯放大器電路提供電源，以便在需要時對射頻輸出（RFOUT，引腳5）進行靜音處理。對RFOUT進行靜音處理可將輸出功率在所有頻率下抑制約20 dB，并且不會影響長期可靠性，前提是一次僅對一個壓控振蕩器核心上電。

對于射頻布局的良好實踐而言，理解互連至關重要。首先要優先考慮從壓控振蕩器核心的輸出緩沖器到ADF41513的射頻輸入引腳（RFINA）的微波功率分配器網絡的布局。盡可能將最敏感的電路節點置于ADF41513 CP輸出引腳附近，并將最終的RC極點盡可能靠近HMC8364 VTUNE引腳放置。HMC8364的寬調諧范圍要求使用高電壓、低噪聲的運算放大器。ADA4625 - 1適用于此類應用。

建議的印刷電路板（PCB）疊層由高質量電介質材料（如Rogers 4003）組成。傳輸高頻信號的傳輸線必須仔細控制，使其特性阻抗為50歐姆。