華為明確會有第三代智能手表,不著急發布
據報道，華為消費者業務CEO余承東向其確認， 華為會有新一代的智能手表產品，不過尚不著急發布 。
他解釋，目前，HUAWEI Watch 2的銷量不錯，所以并不會在新一代的發布上趕時間。
事實上，2017年的MWC上，華為發布了第二代智能手表，迄今已經整整一年了。
TR認為，從余承東的表態來看，華為不太可能在3月27日和P20一起公布手表，更可能的時間點會是8月底開幕的德國IFA。
關于HUAWEI Watch 3，尚沒有更進一步的消息，比如外形、規格、特色功能等。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
華為
+關注
關注
218文章
36005瀏覽量
262107 -
智能手表
+關注
關注
38文章
3359瀏覽量
120125 -
可穿戴設備
+關注
關注
55文章
3885瀏覽量
170091
原文標題：華為確認第三代智能手表：尚不急于推出
文章出處：【微信號：ofweekwearable，微信公眾號：OFweek可穿戴設備網】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
第三代特斯拉人形機器人將亮相，預計年產百萬臺
2月2日，特斯拉官方微博發布消息稱，第三代特斯拉人形機器人，即將正式亮相。據官方消息，新機完全跳出現有供應鏈體系，從第一性原理出發重新設計，不用復雜編程，觀察人類行為、聽口頭指令甚至看段視頻，就能自主執行任務。
龍騰半導體推出全新第三代超結MOSFET技術平臺
今天，龍騰半導體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發的全新第三代（G3） 超結 MOSFET技術平臺。
高頻交直流探頭在第三代半導體測試中的應用
高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應原理，具備高帶寬、高精度和高分辨率，適用于第三代半導體器件的動態特性、柵極電流測量及開關損耗計算。
Neway第三代GaN系列模塊的生產成本
Neway第三代GaN系列模塊的生產成本Neway第三代GaN系列模塊的生產成本受材料、工藝、規模、封裝設計及市場定位等多重因素影響，整體呈現“高技術投入與規模化降本并存”的特征。一、成本構成：核心
發表于 12-25 09:12
CINNO出席第三代半導體產業合作大會
10月25日，第三代半導體產業合作大會在鹽城高新區召開。省工業和信息化廳二級巡視員余雷、副市長祁從峰出席會議并致辭。鹽都區委書記馬正華出席，鹽都區委副書記、區長臧沖主持會議。
基本半導體B3M平臺深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用
基本半導體B3M平臺深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用 第一章：B3M技術平臺架構前沿 本章旨在奠定對基本半導體（BASIC Semiconductor）B3M系列的技術認知
電鏡技術在第三代半導體中的關鍵應用
第三代半導體材料，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現，正在成為半導體領域的重要發展方向。在這些材料的制程中，電鏡技術發揮著不可或缺的作用
第三代半導體的優勢和應用領域
隨著電子技術的快速發展，半導體材料的研究與應用不斷演進。傳統的硅（Si）半導體已無法滿足現代電子設備對高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導體材料應運而生。第三代半導體主要包括氮化鎵（GaN
瑞能半導體第三代超結MOSFET技術解析（1）
隨著AI技術井噴式快速發展，進一步推動算力需求，服務器電源效率需達97.5%-98%，通過降低能量損耗，來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇，瑞能半導體先發制人，推出的第三代超結MOSFET，能全面滿足高效能需求。
英飛凌發布第三代3D霍爾傳感器TLE493D-x3系列
近日，英飛凌的磁傳感器門類再添新兵，第三代3D霍爾傳感器TLE493D-x3系列在經歷兩代產品的迭代之后應運而生。
能量密度提升15%！TDK第三代電池量產在即
電子發燒友網綜合報道?消息人士指出，日本 TDK 公司正加速推進第三代硅陽極電池的量產進程，將出貨時間從原計劃的第三季度提前至 6 月底。 ? 這款電池的核心技術在于將負極材料由傳統石墨替換為硅材料
工商網監
評論