概述
HMC941A裸片是一款寬帶5位GaAs IC數(shù)字衰減器MMIC芯片。在0.1到30 GHz頻率下運(yùn)行，插入損耗低于4 dB典型值。對(duì)于15.5 dB的總衰減，衰減器位值為0.5 (LSB)、1、2、4和8。衰減精度非常高，典型步長(zhǎng)誤差小于± 0.5 dB，IIP3為+45 dBm。五個(gè)控制電壓輸入在+5V和0V之間切換，用于選擇每個(gè)衰減狀態(tài)。
數(shù)據(jù)表：*附件：HMC941A 0.5dB LSB GaAs MMIC 5位數(shù)字衰減器，0.1-30GHz技術(shù)手冊(cè).pdf

應(yīng)用

• 光纖和寬帶電信
• 微波無(wú)線電和VSAT
• 軍用無(wú)線電、雷達(dá)和ECM
• 空間應(yīng)用

特性

• 0.5 dB LSB步進(jìn)至15.5 dB
• 每位單正控制線
• 誤碼率：±0.5 dB（典型值）
• 高輸入IP3：+45 dBm
• 裸片尺寸：2.35 x 1 x 0.1 mm

框圖

電氣規(guī)格

焊盤(pán)描述

毫米波砷化鎵單片微波集成電路（GaAs MMIC）的安裝與鍵合技術(shù)

芯片應(yīng)通過(guò)共晶或?qū)щ姯h(huán)氧樹(shù)脂（見(jiàn)HMC通用處理、安裝及鍵合說(shuō)明）直接連接到接地層。
推薦使用在0.127毫米（5密耳）厚氧化鋁薄膜襯底上的50歐姆微帶傳輸線來(lái)傳輸芯片的射頻信號(hào)（圖1）。如果必須使用0.254毫米（10密耳）厚的氧化鋁薄膜襯底，芯片應(yīng)抬高0.150毫米（6密耳），使芯片表面與襯底表面共面。一種實(shí)現(xiàn)方式是將0.102毫米（4密耳）厚的芯片連接到0.150毫米（6密耳）厚的鉬散熱片（鉬片）上，再將其連接至接地層（圖2）。
微帶傳輸線應(yīng)盡量靠近芯片，以縮短鍵合線長(zhǎng)度。芯片與襯底的典型間距為0.076毫米至0.152毫米（3至6密耳）。

#處理注意事項(xiàng)

遵循以下注意事項(xiàng)，以免造成永久性損壞。

• 存儲(chǔ) ：所有裸芯片都應(yīng)放置在華夫盒或凝膠基防靜電容器中，然后密封在防靜電袋中運(yùn)輸。防靜電袋一旦打開(kāi)，所有芯片都應(yīng)存放在干燥氮?dú)猸h(huán)境中。
• 清潔度 ：應(yīng)在清潔環(huán)境中操作芯片。請(qǐng)勿嘗試使用液體清潔系統(tǒng)清潔芯片。
• 靜電敏感度 ：遵循靜電防護(hù)措施，防止靜電沖擊。
• 瞬態(tài) ：施加偏置時(shí)，抑制儀器和偏置電源的瞬態(tài)。使用屏蔽信號(hào)和偏置電纜，以盡量減少電感耦合。
• 一般處理 ：使用真空吸頭或鋒利的彎鑷子沿芯片邊緣操作。芯片表面有脆弱的空氣橋，請(qǐng)勿用真空吸頭、鑷子或鉗子觸碰。

安裝

芯片背面有金屬化層，可使用金錫共晶預(yù)成型片或?qū)щ姯h(huán)氧樹(shù)脂進(jìn)行芯片安裝。
安裝表面應(yīng)清潔平整。

• 共晶芯片粘貼 ：推薦使用80/20金錫預(yù)成型片進(jìn)行共晶芯片粘貼，工作表面溫度為255°C，工具溫度為265°C。在90/10氮?dú)浠旌蠚怏w中進(jìn)行粘貼時(shí)，工具頭溫度應(yīng)為290°C。請(qǐng)勿使芯片暴露在高于320°C的溫度下超過(guò)20秒。粘貼所需的擦拭時(shí)間不應(yīng)超過(guò)3秒。
• 環(huán)氧芯片粘貼 ：在安裝表面涂抹少量環(huán)氧樹(shù)脂，以便在芯片放置到位后，在其周邊形成薄的環(huán)氧樹(shù)脂溢邊。按照制造商的時(shí)間表固化環(huán)氧樹(shù)脂。

引線鍵合

使用0.025毫米（1密耳）直徑的金球或楔形鍵合絲進(jìn)行鍵合。熱超聲鍵合的標(biāo)稱平臺(tái)溫度為150°C，金球鍵合壓力為40至50克，楔形鍵合壓力為18至22克。使用最低水平的超聲能量實(shí)現(xiàn)可靠的鍵合。鍵合應(yīng)從芯片和終端的封裝或基板開(kāi)始。所有鍵合線應(yīng)盡可能短，長(zhǎng)度不超過(guò)0.31毫米（12密耳）。