1，FLASH操作程序設計

下面我們來學習編程的內容。在學習編程前，我們要先了解一下FLASH存儲模塊的控制寄存器。

FLASH存儲模塊的所有操作都通過控制相關的控制寄存器來實現的。包括FCTL1、FCTL2、FCTL3三個控制寄存器，其中FCTL1主要包含對FLASH的編程和擦除操作的控制位；FCTL2主要定義進入時序發生器前的時鐘源和分頻系數；FCTL3保存FLASH存儲模塊的一些標志位。

2， FCTL1控制寄存器

FWKEY：FLASH存儲模塊的安全鍵值。共8位，對FLASH操作時應該向其中寫入對應的安全鍵值，否則會引起PUC信號以及KEYV信號。0x96：讀取時的安全鍵值；0x5A：寫入時的安全鍵值。

BLKWRT：段編程控制位。當需要對某一個段或者幾個段連續編程時，使用段編程方式可以加快編程的速度。1：使用段編程方式；0：不適用段編程方式。

WRT：編程控制位。當需要對FLASH編程時，必須對該位置位，否則會導致ACCVIFG（非法訪問中斷標志位）置位。1：允許對FLASH編程；0：禁止對FLASH編程。

MERAS：多段擦除控制位，當需要擦除多段時，對改為置位。1：擦除多段；0：不擦除。

ERASE：但段擦除控制位，當需要擦除一個段時，對該位進行置位。1：擦除一個段；0：不擦除。

3，FCTL2控制寄存器

FWKEY：FLASH存儲模塊的安全鍵值。共8位，對FLASH操作時應該向其中寫入對應的安全鍵值，否則會引起PUC信號以及KEYV信號。0x96：讀取時的安全鍵值；0x5A：寫入時的安全鍵值。

FSSEL1~0：選擇FLASH存儲模塊的時序發生器的時鐘源。3：選擇SMCLK；2：選擇SMCLK；1：選擇CMLK；0：選擇ACLK。

FN5-0：為時序發生器的時鐘源選擇分頻系數，最終的分頻比為32*FN5+16*FN4+8*FN3+4*FN2+2*FN1+FN0+1.

4， FCTL3控制寄存器

FWKEY為安全鍵值，和前兩個一樣，我們不在贅述。

EMEX：緊急退出位。對該位置位能夠緊急停止對FLASH的操作。1：緊急停止FLASH操作；0：不操作。

LOCK：FLASH鎖定位。如果在該位置位時對FLASH進行擦除和寫入操作會導致非法訪問，對應的標志位ACCVIFGF置位。1：鎖定FLASH存儲模塊，鎖定時可讀，但不可擦除和寫入；0：不鎖定FLASH存儲模塊，可讀可寫可擦除。

WAIT：等待標志位，用戶通過讀取該位的狀態已獲得FLASH存儲器和段編程狀態。1：段編程有效；0：段編程操作正在進行。

ACCVIFG：非法訪問標志位。1：非法訪問；0：沒有非法訪問。

KEYV：非法安全鍵值標志位。1：錯誤安全鍵值；0：正確的安全鍵值。

BUSY：FLASH存儲模塊忙標志位。1：當前FLASH存儲模塊忙；0：當前FLASH存儲模塊空閑。

5，單字節寫入操作

程序時對單字節寫入的操作，向Seg_A中的地址0x1090寫入數據0xAA。從這個程序段，我們可以看出向FLASH寫入的數據的基本流程，大部分與擦除還是很相似的。需要特別注意的是，在這段程序中我們省略了檢測BUSY狀態位的環節，并且在實際情況下，只要用戶程序不是頻繁的、交叉的操作FLASH存儲模塊，一般是需要檢測BUSY位的。

對于多字節的寫入操作，其基本操作方式單字節類似，只需要每次修改FLASH地址指針，并寫入對應的數據即可。

6，段擦除操作

MSP430系列MCU盡管可以向FLASH存儲模塊的任意地址寫入數據，但是擦除操作只能以段位基本單位操作，即最少只能擦除Seg_A和Seg_B段。從示例的程序中,可以看出段擦除的基本流程:除了啟動擦除操作之前的基本設置，擦除之后的基本設置之外，還需特別注意的是：向要擦除的段（程序中位Seg_A）任意一個地址中寫入任意數據以啟動擦除操作。同樣，這是一個簡化的程序段，也沒有檢測BUSY等標志位。

這是一個非常經典的TI的關于FLASH存儲模塊的程序，在幾乎所有的關于MSP430的書籍等資料上都可以看見他的身影。這段程序包含了擦除，段寫入、段復制等操作，是一個非常好的例子。

需要特別注意的是：前面的程序僅僅是一個示例，當你在很復雜的程序中操作FLASH前，一定要先禁止所有的中斷并禁用看門狗，切記切記。