TPSM86125x 是一款簡(jiǎn)單易用、高效率、高功率密度的同步降壓模塊,輸入電壓范圍為 3V 至 17V,并支持高達(dá) 1A 的連續(xù)電流。
*附件:tpsm861257.pdf
TPSM86125x 采用 D-CAP3 控制模式來提供快速瞬態(tài)響應(yīng),并支持低 ESR 輸出電容器,而無需外部補(bǔ)償。該器件可支持高達(dá) 95% 的占空比作。
TPSM861252 在 Eco 模式下運(yùn)行,可在輕負(fù)載期間保持高效率。TPSM861257 在 FCCM 模式下運(yùn)行,在所有負(fù)載條件下保持相同的頻率和較低的輸出紋波。TPSM861253 是具有 FCCM 模式的固定 3.3V 輸出電壓部件。該器件還在模塊內(nèi)部集成了分壓電阻器和前饋電容器。TPSM86125x 集成了完整的保護(hù)功能,包括 OVP、OCP、UVLO、OTP 和 UVP(帶打嗝)。
該器件采用 QFN 封裝。結(jié)溫的額定溫度范圍為 –40°C 至 125°C。
特性
- 針對(duì)廣泛的應(yīng)用進(jìn)行配置
- 3V 至 17V 寬輸入電壓范圍
- 固定 3.3V 輸出,用于 TPSM861253
- 0.6V 至 10V 輸出范圍,適用于TPSM861252
- 0.6V 至 5.5V 輸出范圍,適用于 TPSM861257
- 0.6V 參考電壓
- ±1%,25°C 時(shí)精度為 0.6Vref
- ±1.5%,在 –40°C 至 125°C 時(shí)實(shí)現(xiàn) 0.6Vref 精度
- ±1%,3.3Vout 精度,0 至 65°C
- 集成 55mΩ 和 24mΩ MOSFET
- 100μA 低靜態(tài)電流,用于 TPSM861252
- 1.4MHz 開關(guān)頻率
- 最大 95% 的大占空比作
- 1.2V 精密 EN 閾值電壓
- 1.6ms 固定典型軟啟動(dòng)時(shí)間
- 易于使用且設(shè)計(jì)尺寸小
- TPSM861252 省電模式,輕負(fù)載時(shí)TPSM861253/7 FCCM 模式
- 快速瞬態(tài) D-CAP3? 控制模式
- 通過集成電感器和自舉電容器輕松布局
- 支持使用預(yù)偏置輸出電壓?jiǎn)?dòng)
- 漏極開路電源良好指示器
- 用于 OV、OT 和 UVLO 保護(hù)的非鎖存
- 紫外線防護(hù)中的打嗝模式
- 逐周期 OC 和 NOC 保護(hù)
- –40°C 至 125°C 工作結(jié)溫
- 3.3mm × 4mm × 2mm QFN 封裝
- 使用 TPSM86125x 和 WEBENCH? Power Designer 創(chuàng)建定制設(shè)計(jì)
參數(shù)
方框圖
一、產(chǎn)品概述
1. 基本特性
- ?輸入電壓范圍?:3V 至 17V
- ?輸出電壓范圍?:0.6V 至 5.5V
- ?連續(xù)輸出電流能力?:1A
- ?集成組件?:55mΩ 和 24mΩ MOSFETs、電感器
- ?控制模式?:D-CAP3? 控制模式,提供快速瞬態(tài)響應(yīng)
- ?工作模式?:FCCM(強(qiáng)制連續(xù)導(dǎo)通模式),保持固定頻率和低輸出紋波
- ?封裝?:3.3mm × 4mm × 2mm QFN
2. 保護(hù)功能
- ?非鎖定保護(hù)?:過壓(OV)、過熱(OT)、欠壓鎖定(UVLO)
- ?過流保護(hù)?:循環(huán)檢測(cè)過流和負(fù)過流保護(hù)
- ?欠壓保護(hù)?:具有遲滯的欠壓鎖定
- ?熱關(guān)斷?:防止過熱損壞
3. 其他特性
- ?高精度參考電壓?:0.6V ±1% (25°C),±1.5% (-40°C 至 125°C)
- ?低靜態(tài)電流?:100μA(無負(fù)載)
- ?固定軟啟動(dòng)時(shí)間?:1.6ms
- ?開關(guān)頻率?:1.4MHz(可調(diào)整至2MHz以適應(yīng)高輸出電壓比)
- ?工作溫度范圍?:-40°C 至 125°C
二、應(yīng)用領(lǐng)域
三、詳細(xì)特性
1. 控制與操作模式
- ?D-CAP3? 控制模式?:結(jié)合自適應(yīng)導(dǎo)通時(shí)間控制和內(nèi)部補(bǔ)償電路,實(shí)現(xiàn)偽固定頻率和無需外部補(bǔ)償?shù)姆€(wěn)定操作。
- ?FCCM 模式?:在輕載條件下保持固定頻率,降低輸出紋波。
2. 軟啟動(dòng)與預(yù)偏置軟啟動(dòng)
- ?固定軟啟動(dòng)時(shí)間?:內(nèi)部設(shè)定,確保平滑啟動(dòng)。
- ?預(yù)偏置軟啟動(dòng)?:如果輸出電容器在啟動(dòng)時(shí)已預(yù)充電,設(shè)備將等待內(nèi)部參考電壓高于反饋電壓后再開始升壓。
3. 過流與過壓保護(hù)
- ?過流保護(hù)?:通過檢測(cè)低側(cè)MOSFET的漏源電壓實(shí)現(xiàn),具有溫度補(bǔ)償功能。
- ?負(fù)過流保護(hù)?(NOC):防止電感電流過大。
- ?過壓保護(hù)?(OVP):當(dāng)輸出電壓超過設(shè)定閾值時(shí)觸發(fā),具有去抖動(dòng)功能。
4. 熱關(guān)斷與欠壓鎖定
- ?熱關(guān)斷?:監(jiān)測(cè)結(jié)溫,超過閾值時(shí)關(guān)斷設(shè)備,具有滯后恢復(fù)功能。
- ?欠壓鎖定?(UVLO):當(dāng)輸入電壓低于設(shè)定閾值時(shí)關(guān)斷設(shè)備,具有遲滯功能。
5. 電源良好指示器
- ?開漏輸出?:用于指示輸出電壓是否達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)。
四、應(yīng)用與實(shí)施
1. 典型應(yīng)用電路
2. 布局指南
- ?PCB布局?:推薦使用四層PCB,輸入和輸出電容器應(yīng)盡可能靠近設(shè)備引腳,反饋電阻應(yīng)靠近FB引腳。
- ?熱設(shè)計(jì)?:確保足夠的散熱面積,通過熱過孔將熱量傳導(dǎo)到PCB的其他層。
-
電流
+關(guān)注
關(guān)注
40文章
7212瀏覽量
141196 -
QFN封裝
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
193瀏覽量
17679 -
輸入電壓
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
1384瀏覽量
18280 -
同步降壓
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
273瀏覽量
21708
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
3V至17V、1A低IQ降壓轉(zhuǎn)換器、采用SOT-583封裝TPS629210數(shù)據(jù)表
采用3mm × 3mm QFN 封裝的3V至17V、1A 降壓轉(zhuǎn)換器TPS6215x數(shù)據(jù)表
采用QFN封裝的3V至17V輸入、3A 同步降壓模塊TPSM86325x數(shù)據(jù)表
采用MicroSiPTM封裝并具有集成電感器的TPSM82901 1A 3V至17V,高效率和低IQ降壓轉(zhuǎn)換器模塊數(shù)據(jù)表
采用 QFN封裝的 3.8V 至 17V 輸入、1A、同步降壓模塊TPSM861253數(shù)據(jù)表
采用3mm×3mm QFN封裝的3V至17V、1A 降壓轉(zhuǎn)換器TPS6215x數(shù)據(jù)表
采用3 x 3 QFN封裝的 3V 至 17V、2A 降壓轉(zhuǎn)換器TPS6214x數(shù)據(jù)表
采用3x3 QFN封裝的4V至17V 1A 降壓轉(zhuǎn)換器TLV62150x數(shù)據(jù)表
3V至17V、1A低IQ降壓轉(zhuǎn)換器,、采用SOT-583封裝TPS629210數(shù)據(jù)表
采用 3x3 QFN 封裝的 3V 至 17V 3A 降壓轉(zhuǎn)換器TLV62130x數(shù)據(jù)表
TPSM861252 3V 至 17V 輸入電壓、1A 輸出、采用 QFN 封裝的同步降壓模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPSM861253 采用 QFN 封裝的 3V 至 17V 輸入電壓、3.3V、1A 輸出同步降壓模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPSM863253 采用 QFN 封裝的 3V 至 17V 輸入電壓、3.3V、3A 輸出同步降壓模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)
PSM863257 3V 至 17V 輸入電壓、3A 強(qiáng)制 CCM 同步降壓模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPSM863252 3V 至 17V 輸入電壓、3A 節(jié)能模式同步降壓模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPSM861257 3V 至 17V 輸入電壓,1A FCCM 模式,帶 QFN 封裝的同步降壓模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)
評(píng)論