L5988D 是一款單片降壓型電源開關(guān)穩(wěn)壓器,能夠在大多數(shù)僅受熱性能限制的應(yīng)用條件下向負(fù)載提供 4 A 的連續(xù)輸出電流。該器件能夠在最長時(shí)間內(nèi)向負(fù)載提供超過 5 A 的電流,具體取決于系統(tǒng)的熱阻和特定的工作條件。
輸入電壓范圍為 2.9 V 至 18 V。該器件能夠?qū)崿F(xiàn) 100% 占空比作,這要?dú)w功于嵌入式高壓側(cè) PMOS 開關(guān),無需驅(qū)動(dòng)外部自舉電容器。
*附件:l5988d.pdf
內(nèi)部開關(guān)頻率可通過外部電阻器進(jìn)行調(diào)節(jié),并且可以在 100 kHz 至 1 MHz 范圍內(nèi)連續(xù)設(shè)置。L5988D 還可以與驅(qū)動(dòng)至 SYNCH 引腳 I/O 引腳的外部頻率信號(hào)同步。
多功能 UOS 引腳允許根據(jù)電壓電平的值正確設(shè)置額外的嵌入式功能。
U (UVLO):可以選擇兩個(gè) UVLO 閾值,以匹配 3.3 V 和 5 V 或 12 V 輸入總線
O (OVP):可選擇鎖存或非鎖存 OVP 保護(hù)。在鎖存模式下,開關(guān)活動(dòng)被中斷,直到發(fā)生 UVLO 或 INH 事件
S (SINK):在軟啟動(dòng)期間,灌電流功能始終處于禁用狀態(tài),以支持預(yù)偏置輸出電壓。之后,可以根據(jù)多功能引腳上設(shè)置的電壓來啟用或不啟用灌電流功能。
在軟啟動(dòng)階段,恒流保護(hù)處于活動(dòng)狀態(tài),以提供加載輸出電容器所需的額外電流。電流限制保護(hù)是通過感應(yīng)流經(jīng)兩個(gè)嵌入式開關(guān)的電流來實(shí)現(xiàn)的,以確保即使在極端占空比作下也能提供有效保護(hù)。軟啟動(dòng)階段結(jié)束后,電流保護(hù)功能觸發(fā)“打嗝”模式,強(qiáng)制軟啟動(dòng)電容器放電和充電。兩個(gè)開關(guān)的電流閾值都可以通過使用外部電阻器來調(diào)整跟蹤,以根據(jù)本地應(yīng)用確定電流保護(hù)的尺寸。
軟啟動(dòng)時(shí)間基于外部電容器的恒定電流充電。因此,可以根據(jù)輸出電容器的值來設(shè)置時(shí)間。
最新的智能電源技術(shù) BCD6(雙極 CMOS-DMOS 第 6 版)具有嵌入式開關(guān)的低電阻(NMOS 典型值為 35 mΩ,PMOS 典型值為 50 mΩ),可實(shí)現(xiàn)高效率水平。
帶有外露焊盤的 HTSSOP16 封裝可實(shí)現(xiàn)低 RthJA (40 °C/W),有助于耗散高輸出電流/高頻作期間內(nèi)部產(chǎn)生的功率。
所有功能
- 4 A 輸出電流(超過 5 個(gè)脈沖)
- 工作輸入電壓為 2.9 V 至 18 V
- 外部 1.8 V ± 2% 參考電壓
- 輸出電壓從 0.6 到輸入電壓
- 兼容 MLCC
- 200 納秒 T
上 - 可編程 UVLO 匹配 3.3 V、5 V 和 12 V 總線
- FSW 可編程頻率高達(dá) 1 MHz
- 電壓前饋
- 零負(fù)載電流作
- 兩個(gè)開關(guān)上的可編程電流限制
- 可編程灌電流能力
- 預(yù)偏置啟動(dòng)能力
- 熱關(guān)斷
電路原理圖

一、產(chǎn)品概述
- ?型號(hào)?:L5988D
- ?類型?:連續(xù)型(脈沖電流超過5A)降壓開關(guān)穩(wěn)壓器,帶同步整流
- ?特點(diǎn)?:4A輸出電流(連續(xù)),支持高達(dá)1MHz的開關(guān)頻率,可編程UVLO,電壓前饋,零負(fù)載電流操作,可編程電流限制,熱關(guān)斷保護(hù)等。
二、主要特性
- ?輸入電壓范圍?:2.9V至18V
- ?輸出電壓范圍?:0.6V至輸入電壓
- ?開關(guān)頻率?:可編程,最高可達(dá)1MHz
- ?同步整流?:提高效率
- ?熱關(guān)斷?:防止過熱損壞
- ?軟啟動(dòng)?:減少啟動(dòng)時(shí)的浪涌電流
- ?多重保護(hù)?:過壓保護(hù)(OVP)、過流限制、欠壓鎖定(UVLO)
三、封裝與引腳
- ?封裝類型?:HTSSOP16
- ?引腳數(shù)?:16
- ?主要引腳功能?:
四、電氣特性
- ?最大輸入電壓?:20V
- ?最大輸出電壓?:接近VCC
- ?高側(cè)MOSFET導(dǎo)通電阻?:典型值75mΩ至132mΩ
- ?低側(cè)MOSFET導(dǎo)通電阻?:典型值62mΩ至106mΩ
- ?軟啟動(dòng)電流?:22A(典型值,當(dāng)SS/INH=2V)
- ?UVLO閾值?:根據(jù)總線電壓(3.3V、5V或12V)不同,有不同閾值
- ?過壓保護(hù)?:當(dāng)反饋電壓超過參考電壓的20%時(shí)觸發(fā)
五、功能描述
- ?電壓模式控制?:通過比較鋸齒波和誤差放大器輸出來控制占空比
- ? 多功能引腳(U/O/S) ?:用于配置UVLO、OVP(過壓保護(hù),可選鎖定或非鎖定模式)、SINK功能
- ?同步整流?:提高轉(zhuǎn)換效率
- ?軟啟動(dòng)?:通過外部電容實(shí)現(xiàn)軟啟動(dòng),減少啟動(dòng)時(shí)的電流沖擊
- ?熱關(guān)斷?:當(dāng)結(jié)溫超過安全限制時(shí)自動(dòng)關(guān)斷輸出
六、典型應(yīng)用
- ?應(yīng)用領(lǐng)域?:消費(fèi)類電子產(chǎn)品(如STB、DVD、LCD TV)、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備(如XDSL調(diào)制解調(diào)器、路由器)、計(jì)算機(jī)及外設(shè)(如打印機(jī)、顯卡)、工業(yè)應(yīng)用(如DC-DC模塊、工廠自動(dòng)化)、LED驅(qū)動(dòng)等。
- ?應(yīng)用電路?:文檔提供了詳細(xì)的應(yīng)用電路圖和元件選擇指南。
七、布局與接地建議
- ?布局?:建議將高頻元件(如電感、電容)靠近IC放置,以減少寄生電感和電容的影響。
- ?接地?:采用星形接地技術(shù),將模擬地和數(shù)字地分開,以減少噪聲干擾。
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