概述
HMC773A是一款通用型雙平衡混頻器芯片，可用作6 GHz至26 GHz頻率范圍的上變頻器或下變頻器。此混頻器芯片無需外部元件或匹配電路。HMC773A芯片采用經過優化的巴倫結構，提供出色的LO至RF及LO至IF抑制性能。該混頻器采用高于13 dBm的LO驅動電平工作。該寬帶混頻器具有一致的轉換增益和帶寬抑制性能。HMC773A還可作為SMT形式的HMC773ALC3B提供。
數據表：*附件：HMC773A GaAs MMIC基波混頻器，6-26GHz技術手冊.pdf

應用

• 點對點無線電
• 點對多點無線電和VSAT
• 測試設備和傳感器
• 軍用最終用途

特性

• 轉換損耗：9 dBm
• LO至RF隔離：37 dB
• LO至IF隔離：37 dB
• 高RF至IF隔離：20 dB
• 高輸入三階交調截點(IP3)：20 dBm
• 高輸入二階交調截點(IP2)：50 dBm
• 寬IF帶寬：DC - 8 GHz
• 無源：無需直流偏置
• 裸片尺寸：1.29 x 0.888 x 0.1 mm

框圖

引腳配置描述

接口示意圖

典型性能特征

應用信息
典型應用電路

圖63展示了HMC773A的典型應用電路。HMC773A是一款無源器件，并且不需要任何外部組件。LO和RF引腳僅在內部連接。

當直到直流（dc）才需要中頻（IF）操作時，建議在IF端口使用交流耦合電容。
裝配圖

裝配圖如圖64所示。

將芯片通過導電方式或使用導電環氧樹脂直接連接到接地層。

為了從芯片引出射頻（RF）信號，使用50歐姆的微帶傳輸線，該傳輸線位于厚度為0.127毫米（0.005英寸）的氧化鋁薄膜基板上（見圖65）。

如果必須使用0.254毫米（0.010英寸）厚的氧化鋁薄膜基板，則需將芯片抬高0.150毫米（0.006英寸）， 以使芯片的表面與基板的表面齊平。

實現這種共面性的一種方法是將0.102毫米（0.004英寸）厚的芯片連接到0.150毫米（0.006英寸）厚的鉬散熱片（鉬片）上，然后將鉬片連接到接地層（見圖66）。

使微帶基板盡可能靠近芯片，以盡量縮短鍵合線的長度。芯片與基板之間的典型間距為0.076毫米（0.003英寸）。建議采用0.076毫米（0.003英寸）寬且長度小于0.31毫米（小于0.012英寸）的鍵合線，以盡量減小電感，射頻、本振（LO）和中頻（IF）端口適用此要求。